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71.
Recently, photonic bandgap (PBG) structures have become one of the most interesting areas of research. These structures consist of one-, two- or three-dimensional finite periodically perforated dielectric/metallic material or ground planes that forbid the propagation of all electromagnetic waves within a particular frequency band (called the bandgap). This property permits additional control over the behaviour of electromagnetic waves. The research work was originally done in optical region, …  相似文献   
72.
论文阐述了当今企业面对的信息安全发展趋势,提出了内网安全的发展策略。  相似文献   
73.
王磊  杨宁  徐海涛 《电子技术》2007,34(9):94-95
通过对MVBNUmB的协议转换卡系统设计的介绍,详细说明了USB单片机68013的Slave FIFO模式、接口设计方案、固件设计方案以及FPGA内部软核结构设计方案.  相似文献   
74.
SimpliciTI网络频率捷变机制的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨宁  史仪凯  袁小庆  黄磊 《传感技术学报》2011,24(12):1739-1743
针对SimpliciTI网络存在着跳频盲目性和通信初始信道易受到干扰的问题,引入FA帧模型,提出一种改进的频率捷变方案.该方案根据FA帧的同步码信息,采用时钟同步法构建网络的主从同步体系;通过SimpliciTI信道模型计算出的RSSI 阀值,使频率捷变次数相对降低,进而提高网络的抗干扰能力和频谱利用率.研究结果表明,...  相似文献   
75.
对Si脱氧和Al脱氧的热轧Q235B带钢分别进行了压下率为26%和44%的冷轧。随后对两种冷轧带钢进行了温度为640℃、620℃、570℃和540℃(对于前者)和603℃、620℃、596℃和586℃(对于后者)保温时间不同的退火。检测了带钢的力学性能、显微组织和成形性能。结果表明:带钢的显微组织为铁素体和珠光体;镀锌产品力学性能均符合要求。两种带钢的最合适的不完全退火工艺为约600℃保温1.97 min。  相似文献   
76.
弯管注射模     
杨宁 《模具制造》2001,1(4):30-31
通过对典型零件的分析,详尽剖析了该类产品的模具设计要点及步骤,以及齿轮、齿条主要参数的设计,为同类产品的模具设计提供借鉴。  相似文献   
77.
这是一个常驻内存的中断处理程序,用以记录使用微机时从键盘打入的内容,避免由于突然停电而来不及存盘所造成的损失。  相似文献   
78.
有线电视网络运营商切入互联网业务,为有效控制成本,常采用小步快跑的发展策略.HFC双向网络改造在节点尽量小的前提下,业内提出了500户的光节点改造与建设标准。在互联网业务发展早期,因入网率不高,调制解调器终端系统(CableModem Termination System,CMTS)上行端口往往会采用四混一甚至更高比例的接入混合比:随着业务的不断发展,用户数量的增加存在随机性,体现在CMTS端口上,表现为某些端口在某些特定时间上行或下行流量饱和.用户明显感受网速慢,体验比较差。  相似文献   
79.
王鹏程  成立  吴衍  杨宁  王改 《半导体技术》2010,35(2):150-153,165
为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。  相似文献   
80.
刘建峰  成立  杨宁  周洋  凌新  严鸣 《半导体技术》2010,35(5):473-477
设计了一种宽带、低相位噪声差分LC压控振荡器(VCO)。所设计的电路采用开关电容阵列和开关电感,实现了多波段振荡输出。对负阻环节跨导进行了优化设计,将热噪声控制在最小范围内,同时采用高品质因数片上螺旋电感,以减小电路的噪声干扰。采用台积电(TSMC)0.35μmSiGe BiCMOS工艺制作了流片,并进行了仿真和硬件电路实验。实测结果表明,当调谐电压为0~3.3 V时,可设定VCO工作在6个波段(1.9~2.1 GHz,2.1~2.4 GHz,2.4~3.0 GHz,3.0~3.4 GHz,3.4~4.2 GHz,4.2~5.7 GHz),此6波段连续可调,构成了1.9~5.7 GHz宽带VCO;VCO的中心频率为2.4 GHz、偏离中心频率为1 MHz时实测相位噪声为-111.64 dBc/Hz;在3.3 V电源电压下实测核静态电流约为1.8 mA,从而验证了宽带、低噪声BiCMOS LC VCO设计方案之正确性。  相似文献   
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