全文获取类型
收费全文 | 989篇 |
免费 | 86篇 |
国内免费 | 63篇 |
专业分类
电工技术 | 119篇 |
综合类 | 78篇 |
化学工业 | 123篇 |
金属工艺 | 35篇 |
机械仪表 | 71篇 |
建筑科学 | 66篇 |
矿业工程 | 50篇 |
能源动力 | 31篇 |
轻工业 | 86篇 |
水利工程 | 46篇 |
石油天然气 | 25篇 |
武器工业 | 14篇 |
无线电 | 125篇 |
一般工业技术 | 69篇 |
冶金工业 | 32篇 |
原子能技术 | 27篇 |
自动化技术 | 141篇 |
出版年
2024年 | 15篇 |
2023年 | 42篇 |
2022年 | 53篇 |
2021年 | 44篇 |
2020年 | 40篇 |
2019年 | 58篇 |
2018年 | 53篇 |
2017年 | 25篇 |
2016年 | 34篇 |
2015年 | 30篇 |
2014年 | 85篇 |
2013年 | 67篇 |
2012年 | 80篇 |
2011年 | 72篇 |
2010年 | 63篇 |
2009年 | 46篇 |
2008年 | 26篇 |
2007年 | 45篇 |
2006年 | 40篇 |
2005年 | 42篇 |
2004年 | 31篇 |
2003年 | 37篇 |
2002年 | 13篇 |
2001年 | 25篇 |
2000年 | 13篇 |
1999年 | 9篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 9篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 5篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有1138条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
Recently, photonic bandgap (PBG) structures have become one of the most interesting areas of research. These structures consist of one-, two- or three-dimensional finite periodically perforated dielectric/metallic material or ground planes that forbid the propagation of all electromagnetic waves within a particular frequency band (called the bandgap). This property permits additional control over the behaviour of electromagnetic waves. The research work was originally done in optical region, … 相似文献
72.
73.
74.
75.
76.
77.
这是一个常驻内存的中断处理程序,用以记录使用微机时从键盘打入的内容,避免由于突然停电而来不及存盘所造成的损失。 相似文献
78.
有线电视网络运营商切入互联网业务,为有效控制成本,常采用小步快跑的发展策略.HFC双向网络改造在节点尽量小的前提下,业内提出了500户的光节点改造与建设标准。在互联网业务发展早期,因入网率不高,调制解调器终端系统(CableModem Termination System,CMTS)上行端口往往会采用四混一甚至更高比例的接入混合比:随着业务的不断发展,用户数量的增加存在随机性,体现在CMTS端口上,表现为某些端口在某些特定时间上行或下行流量饱和.用户明显感受网速慢,体验比较差。 相似文献
79.
为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。 相似文献
80.
设计了一种宽带、低相位噪声差分LC压控振荡器(VCO)。所设计的电路采用开关电容阵列和开关电感,实现了多波段振荡输出。对负阻环节跨导进行了优化设计,将热噪声控制在最小范围内,同时采用高品质因数片上螺旋电感,以减小电路的噪声干扰。采用台积电(TSMC)0.35μmSiGe BiCMOS工艺制作了流片,并进行了仿真和硬件电路实验。实测结果表明,当调谐电压为0~3.3 V时,可设定VCO工作在6个波段(1.9~2.1 GHz,2.1~2.4 GHz,2.4~3.0 GHz,3.0~3.4 GHz,3.4~4.2 GHz,4.2~5.7 GHz),此6波段连续可调,构成了1.9~5.7 GHz宽带VCO;VCO的中心频率为2.4 GHz、偏离中心频率为1 MHz时实测相位噪声为-111.64 dBc/Hz;在3.3 V电源电压下实测核静态电流约为1.8 mA,从而验证了宽带、低噪声BiCMOS LC VCO设计方案之正确性。 相似文献