掺硼p型晶硅太阳电池LID恢复研究

设计了一种基于绝缘层上硅（SOI）的推挽式硅-有机物混合（SOH）马赫-曾德干涉型（MZI）电光调制器。利用薄膜模式匹配法对槽波导（slot）的光场分布进行了仿真分析,优化后得到了限制因子为0.32的slot波导结构。采用推挽式马赫-曾德干涉仪结构,并在相移臂嵌入LX M1非线性有机材料,得到半波电压-长度积Vπ·L为0.885V·mm、电学响应带宽fRC可达123.2GHz、开关速度为8.11ps的SOH调制器结构。利用基于本征有限元法求解麦克斯韦方程,对共平面波导电极系统进行了计算仿真,获得了特性阻抗接近50Ω、高频速率匹配的电极结构。 更多还原     

铸造多晶硅中铜沉淀的电子束诱生电流

利用电子束诱生电流(EBIC)研究了不同热处理条件下太阳电池用铸造多晶硅材料中的铜的沉淀特性，并与铜在普通直拉硅单晶中的沉淀行为进行了比较。EBIC观察发现，在铸造多晶硅中，热处理的冷却速率和结晶学缺陷(如晶界和位错)共同影响着铜在多晶硅中的扩散和沉淀性质。样品在快速冷却时，在晶界以及晶粒内形成了很高密度且分布较均匀的细小铜沉淀；而在慢速冷却时，则是形成密度较低，较大尺寸的铜沉淀。EBIC的衬度计算显示，慢速冷却下形成的铜沉淀具有更强的复合特性，且铜沉淀在晶界上的分布具有选择性。最后，讨论了铜沉淀在铸造多晶硅中的形成机理。     

PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究

使用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在P型硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜，使用薄膜测试仪观察了薄膜的厚度、折射率和反射光谱，利用扫描电子显微镜(SEM)，原子力显微镜(AFM)观察了截面和表面形貌，使用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和能谱仪(EDX)分析了薄膜的化学结构和成分。最后，考察了薄膜在经过快速热处理过程后的热稳定性，并利用霍尔参数测试仪(Hall)比较了薄膜沉积前后载流子迁移率的变化。     

超长单晶硅纳米丝的化学气相沉积法制备

采用化学气相沉积法在镀金硅片上制备出了大量直径均匀、长度大于100肿的单晶纳米硅丝。采用场发射扫描电镜（FESEM）、能谱分析（EDX）、透射电镜（TEM）和拉曼光谱（Rarnan）对样品进行了表征和分析，并对超长纳米硅丝的生长机理进行了讨论。     

CZ重掺锑硅单晶的锑和氧杂质

介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点,并对单晶生长过程中出现的关键问题,如锑的挥发、氧含量减少的原因进行了探讨并提出了一些解决办法     

利用HWCVD在柔性衬底上制备多晶硅薄膜

通过热丝化学气相沉积法（Hot Wire Chemical Vapor Deposition, HWCVD），采用间歇供应硅烷气体，持续通入氢气的方式控制硅薄膜的生长，发现该方法在有机衬底上生长的薄膜结构为多晶相占主导地位。此外，研究了不同间歇周期条件下薄膜的形貌和结构，并对生长机理进行了解释和讨论。     

化学沉积法制备CdS薄膜及性质研究

利用化学沉积(CBD)的方法制备立方相的CdS薄膜。实验表明，在无搅拌、柠檬酸钠作为络合剂的条件下，在溶液的配方为0．02mol/L的CdCl2、0．02mol/L的柠檬酸钠、0．05mol/L的CS(NH2)2的体系中，当pH值为11．5，溶液温度为80℃时，在ITO玻璃上沉积得到CdS薄膜的前驱体，再把所得的前驱体在350℃，N2保护下热处理两个小时经x射线衍射(xRD)和扫描电镜分析，表面薄膜是结晶良好、立方相、表面均匀光滑的CdS薄膜。随着热处理温度的提高，CdS薄膜的晶化程度有很大的提高，晶粒有明显的长大，其光学性能也有很大的改善。     

硅基单结太阳能电池的制备技术、缺陷及其性能的研究

首先综述了硅基单结太阳能电池的分类、制备方法及进展,介绍了化学气相沉积法、液相外延法(LPPE)、金属诱导结晶法(MIC)、磁控溅射法以及分子束外延法等各种硅基太阳能电池的制备方法,阐述了各种制备工艺的优缺点。其次,总结了单晶硅、多晶硅以及非晶硅太阳能电池在组织结构、缺陷方面的研究现状。最后,对硅基太阳能电池的机械、电学、光学以及光电性能等方面的研究进展做了论述。     

杂质和缺陷对铸造多晶硅寿命分布的影响

铸造多晶硅的原生少子寿命沿晶锭生长方向呈倒U字型分布,对应于硅锭体内缺陷和主要杂质的规律性分布.硅锭中部Fe浓度低,微缺陷较少,对应的体寿命相对较高.硅锭底部高浓度的O、Fe杂质及高密度微缺陷导致了该区域体寿命偏低;硅锭顶部存在高浓度的C、Fe杂质及大量微缺陷,尤其是高密度位错与铁的相互作用导致该区域体寿命偏低.大量沉淀和结构缺陷并存使得晶锭底部和顶部的材料难以通过吸杂和钝化来改善少子寿命.