可满足性问题中信念传播算法的收敛性分析

信念传播算法是基于因子图模型的消息传递算法,通过图中的边,将消息从一个结点传递给另一个结点,以高概率地确定部分变量的取值,这种方法被实验证明在求解可满足性问题时非常有效.然而,目前还未对其有效性从理论角度给予解释.通过对信念传播算法的收敛性分析,试图从理论上解释算法的有效性.在信息传播算法的信息迭代方程中,参数的取值范...     

一种改进的形式化本体模型研究

基于对象、属性、类及其之间的4个主要关系,即实例关系、属关系、抽象关系和区分关系,提出一种本体三角形模型.该模型符合人的抽象思维过程,其核心机制是抽象原理.采用一阶逻辑等值演算形式化定义该模型结构,根据实体及其关系分析其约束机制,论述相应公理,解释一些重要推论.这种形式化本体理论系统描述了分类学,为实现本体框架奠定了基础,可用于实现知识推理.     

多孔硅基体系发光特性研究进展

综述了多孔硅基复合体系发光特性的研究进展，阐述了多孔硅基体系及其发光特性，详细介绍了影响多孔硅基体系发光特性的因素和制备多孔硅基体系的方法，并讨论了多孔硅基体系的发光机理。最后综述了目前有待于进一步深入研究的问题及发展趋势。     

硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究

利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(10 0 )表面生长Si,Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明 :Si在Si(10 0 )表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si(10 0 )表面生长形成规则的三维小岛。而在Si/Ge/Si(10 0 )多层膜上生长则形成大小二种三维岛。研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构     

硅片中金属镍的沉淀和稳定

金属镍是大规模集成电路中常被发现的杂质，它的沉淀严重影响着集成电路的性能。本文阐述了在集成电路工艺中镍沾污的可能途径，镍在硅中的基本性质，说明了镍的沉淀性质和与硅材料扩散长度的关系，也说明了镍沉淀的稳定性。     

硅中氧沉淀的研究

随着大规模集成电路的发展,氧沉淀对硅片的机械性能和器件的电学性能,有着越来越重要的影响。本文就氧沉淀的影响因素,沉淀的数目、速率、形态、形核和长大机理,碳及其它杂质原子对氧沉淀的作用等方面的研究近况作一综合介绍。     

多孔硅基电致发光研究进展

综述了多孔硅电致发光研究进展.阐述了多孔硅液相和全固态电致发光体系及其发光特点,并详细介绍了多孔硅复合体系的制备方法和发光特性.     

一维硅纳米材料的研究进展

作为微电子领域最重要的半导体材料,硅的一维纳米结构在器件组装、纳米尺寸磁性器件、光电子等领域具有重要的作用,已经成为国际上材料科学研究的一个热点.从制备方法、应用前景等方面综述了国际上关于纳米硅丝和纳米硅管的研究进展,并提出今后的研究方向.     

重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .