利用水溶性模板合成ZnS：Mn^2＋纳米管

纳米管材料具有种种优异性能,而通常合成纳米管使用的硬模板法则有模板去除条件苛刻、易破坏纳米管结构等缺点。本文在乙二醇中合成了水溶性的Na2SiF6纳米棒,并以此作为模板沉积ZnS掺Mn2＋材料,通过后续简单水洗,得到了ZnS：Mn2＋纳米管,并对其光学性能进行了表征。     

热处理对化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜的影响

采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜，通过XRD、EDX和SEM，对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究，并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出：二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高温长时间热处理，薄膜容易被氧化，而在低真空下，采取低温一高温两步退火处理后，薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高，因此后一热处理过程适合化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理。     

磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化

采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究 ,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能 .得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2 薄膜的优化条件为 :Cu/In比 1 133,硒化温度 4 2 0℃ ,硒化时间 2 0min ,硒源温度 2 0 0℃ .在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到 3 19cm2 /(V·s) ,XRD结果表明薄膜中没有杂相存在 .     

硅中氮离子注入的研究进展

综述了硅中氮离子注入的应用和研究进展。主要讨论了氮离子注入形成SOI层的原理、质量的影响因素和电学性能；介绍了氮离子注入在制备超薄氧化栅极及其抑制掺杂杂质原子特别是硼原子扩散等方面的研究和应用。     

氢退火对掺氮硅中氧施主电学行为的影响

本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主(TDs)和氮氧(N—0)复合体的影响。实验结果表明，在氢气下低温退火对热施主和N—O复合体的生成与在氩气下差不多。这说明低温氢退火注入到硅中的氢的量很少，不会对硅片的电阻率产生明显的影响。     

铸造多晶硅晶界的EBSD和EBIC研究

利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。EBSD分析显示铸造多晶硅中的大部分晶界为大角度晶界(tθ>10°),且以特殊晶界Σ3和普通晶界为主,同时还存在少量小角度晶界(tθ>10°)。EBIC观察发现洁净晶界(包括大角度和小角度晶界)在300K下的复合能力很弱,晶界类型对其复合特性没有明显影响。洁净的小角度晶界本征上在100K下具有强复合特性,而大角度晶界则不具有;在引入金属沾污后,小角度晶界对金属杂质的吸杂能力最强。小角度晶界的复合特性可能与其界面特殊的位错结构有关。     

室温电抽运硅基ZnO薄膜的随机激光

在硅衬底上制备了基于ZnO多晶薄膜的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件,该MIS器件在室温下被施以不断增大的正向偏压时,来自于ZnO薄膜的紫外发光从自发辐射转变为受激辐射,并产生随机激光.     

氮化硅薄膜制备和生长动力学研究进展

综述了氮化硅在微电子中的应用、制备，阐述了用氮气直接氮化的影响因素、膜生长的机理和动力学，以及未来的研究方向。     

杂质对单晶硅材料硬度的作用

室温下使用维氏硬度计研究了硅单晶表面的接触损伤及硅单晶中杂质对表面损伤的影响.实验发现,硅单晶的硬度不仅与晶体的本身特性--晶向有关,还与所掺入杂质的种类和浓度有关.损伤造成的裂纹倾向于沿着〈110〉晶向扩展,而且{111}面上的硬度要大于{100}面.重掺n型单晶由于能带结构的变化而使硬度下降;相反,重掺p型和掺氮单晶的硬度则由于掺入原子对位错的钉扎作用加强而有所提高.