全文获取类型
收费全文 | 168篇 |
免费 | 4篇 |
国内免费 | 80篇 |
专业分类
综合类 | 9篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 15篇 |
机械仪表 | 1篇 |
建筑科学 | 2篇 |
能源动力 | 28篇 |
无线电 | 94篇 |
一般工业技术 | 78篇 |
冶金工业 | 2篇 |
自动化技术 | 22篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 3篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 1篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 1篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 3篇 |
2011年 | 7篇 |
2010年 | 3篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 11篇 |
2007年 | 18篇 |
2006年 | 18篇 |
2005年 | 20篇 |
2004年 | 28篇 |
2003年 | 33篇 |
2002年 | 23篇 |
2001年 | 15篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 8篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 6篇 |
1986年 | 1篇 |
排序方式: 共有252条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
利用电沉积的方法制备CuxS薄膜,研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu31Sl6其主要晶面是(842)。当用Na2S2O3作为硫源的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842),当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的CuxS其主要晶面是(102)。随着热处理温度的提高,薄膜的结晶程度有了很大的提高,晶粒有了明显的长大,不同温度的热处理证实了CuxS薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的。 相似文献
32.
33.
34.
35.
晶体硅中的铁沉淀规律 总被引:4,自引:1,他引:3
研究了在直拉单晶硅和铸造多晶硅中经110 0℃热处理快冷或慢冷条件下所形成的铁沉淀规律及其对少数载流子扩散长度的影响.红外扫描仪照片显示在直拉单晶硅中慢冷却形成的铁沉淀密度较低,而且其尺寸较大;在铸造多晶硅中,铁易在晶界上沉淀,沉淀规律也依赖于冷却速度.表面光电压仪测试结果表明:无论在直拉单晶硅材料中还是在铸造多晶硅材料中,快冷形成的铁沉淀对少数载流子扩散长度影响更大.实验结果可以用铁沉淀生成的热力学和动力学规律解释 相似文献
36.
37.
采取从某一温度(600~1000℃)开始缓慢升温至高温(1150℃)并保温若干时间的方法,使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大,然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度.通过这样的方法,定性地研究了300mm掺N直拉Si片的原生氧沉淀的径向分布.研究表明:氧沉淀异常区域(称为P区)的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域(称为V区);此外,V区中的原生氧沉淀的尺寸分布是不连续的,表现为高温下形成的大尺寸原生氧沉淀和低温下形成的小尺寸氧沉淀,而P区中的原生氧沉淀的尺寸分布则是连续的.我们从直拉Si晶体生长过程中原生氧沉淀的形成机制出发,对上述结果做了定性的解释. 相似文献
38.
本文用共混法制备CdSe/PMMA纳米复合材料,用荧光光谱(PL)研究了该复合材料的发光性质.通过延长激光照射时间并进行原位PL跟踪测试,我们发现了该复合材料中有机物基体发光不断减弱而CdSe纳米粒子发光不断增强且稍许红移的现象.我们对于这一现象的起因做出了初步的解释. 相似文献
39.
在当今流行的客户/服务器结构体系中专门设立了应用服务器,合理地将事物逻辑分布在应用服务器和应用客户端之间,优化了系统的性能,从而容易对事物逻辑进行中央控制且为客户端所共享,提高了系统的安全性,减轻了客户端的工作负载,这就是所谓的“瘦客户”(Thin Client)型结构。相应地,越来越多的企业计算机系统也采用了这种分布式应用系统。 PowerBuilder(以下简称PB)自5.0版本便开始有了分布式应用的功能,目前该软件的7.0版也已发行。随着版本的更新,PB的分布式计算功能也越来越强健。 相似文献
40.