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设计了一种基于绝缘层上硅(SOI)的推挽式硅-有机物混合(SOH)马赫-曾德干涉型(MZI)电光调制器。利用薄膜模式匹配法对槽波导(slot)的光场分布进行了仿真分析,优化后得到了限制因子为0.32的slot波导结构。采用推挽式马赫-曾德干涉仪结构,并在相移臂嵌入LX M1非线性有机材料,得到半波电压-长度积Vπ·L为0.885V·mm、电学响应带宽fRC可达123.2GHz、开关速度为8.11ps的SOH调制器结构。利用基于本征有限元法求解麦克斯韦方程,对共平面波导电极系统进行了计算仿真,获得了特性阻抗接近50Ω、高频速率匹配的电极结构。 更多还原 相似文献
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利用低温红外光谱技术(8K),研究了微氮硅单晶中氧和氮杂质在高温1300℃退火时的性质,实验指出,在此高温退火时,硅单晶中的原生氮-氧复合体被逐渐分解,氮杂质以很高的扩散速率,迅速外扩散 相似文献
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为了降低暗电流,通过原子层沉积(ALD)生长了一层氧化铝(Al2O3)隧穿层,制备了PdSe2/Al2O3/Si异质结光电探测器.通过优化Al2O3层的厚度,使得该探测器实现了高速和宽光谱响应.研究结果表明,在波长为808 nm的光照射和-2 V偏压下,所制备的光电探测器与未生长Al2O3的器件相比,暗电流降低了约3个数量级,器件的光响应度达到了约为0.31 A/W,对应的比探测率约为2.5×1012 Jones,器件在零偏压下表现出明显的自驱动效应.经过循环测试1 200次后,器件保持良好的光响应.器件响应的上升时间和下降时间分别为7.1和15.6μs.结果表明,在二维层状半导体材料与Si之间引入Al2O3隧穿层,可以有效地降低器件的暗电流,有利于高性能的Si基光电探测器的制备. 相似文献