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金刚线切割多晶硅片表面减反射结构难以制备的问题阻碍着多晶硅光伏的进步。银辅助的酸腐蚀是解决这一问题的较好方法,但银的消耗和废液处理等增加了成本。本研究提出了醋酸铜辅助催化刻蚀金刚线切割多晶硅片方案,考察了刻蚀反应温度和时间对硅片表面形貌的影响,确定了最优的反应温度和时间分别为25℃和5 min。在此条件下,所获得的多晶硅在300~1100 nm波段的平均反射率为15.1%。按照标准太阳电池制备工艺流片后,所获太阳电池的光电转换效率为19.4%。 相似文献
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大型数据库优化设计方案 总被引:7,自引:0,他引:7
本文首先讨论了基于第三范式的数据库表的基本设计,着重论述了建立主键和索引的策略和方案。然后从数据库表的扩展设计和库表对象的旋转等角度概述了数据库管理系统的优化方案。 相似文献
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采取从某一温度(600~1000℃)开始缓慢升温至高温(1150℃)并保温若干时间的方法,使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大,然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度.通过这样的方法,定性地研究了300mm掺N直拉Si片的原生氧沉淀的径向分布.研究表明:氧沉淀异常区域(称为P区)的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域(称为V区);此外,V区中的原生氧沉淀的尺寸分布是不连续的,表现为高温下形成的大尺寸原生氧沉淀和低温下形成的小尺寸氧沉淀,而P区中的原生氧沉淀的尺寸分布则是连续的.我们从直拉Si晶体生长过程中原生氧沉淀的形成机制出发,对上述结果做了定性的解释. 相似文献
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研究了铸造多晶硅中不同温度单步退火下氧沉淀的形成规律。实验发现,单步热处理工艺下铸造多晶硅中氧沉淀的形成规律和单晶硅的基本相似,但是在铸造多晶硅中形成氧沉淀的量明显高于直拉单晶硅中氧沉淀的量;在含高密度位错的单晶硅中形成氧沉淀的量远高于无位错单晶硅中氧沉淀的生成量,而有晶界的多晶硅中形成氧沉淀生成量仅稍微高于无晶界单晶硅中氧沉淀生成量。以上结果表明,铸造多晶硅中位错对氧沉淀的形成有明显的促进作用,而晶界则对氧沉淀的促进作用不是很显著。最后,基于实验结果讨论了铸造多晶硅中初始氧浓度,位错和晶界对氧沉淀影响的机理。 相似文献
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掺氮直拉硅单晶是最早由我国实现产业化并系统研究的集成电路用基础材料,它具有容易消除微缺陷,低成本制备高质量内吸杂洁净区和增加机械强度等优点,这对大直径的现代集成电路用硅片尤其重要。经过10多年的研究和开发,掺氮直拉硅单晶的优越性能逐渐被国际硅产业界和集成电路产业界所接受,目前已经在国际硅工业界相当广泛地使用,成为国际上硅单晶的一个重要新品种。 相似文献