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71.
采用阳极氧化法在p型轻掺硅片上制备多孔硅,研究了电解液配比、电流密度和反应时间对多孔硅发光性能的影响.实验研究发现多孔硅形貌随氢氟酸浓度而变化,电流密度、电化学腐蚀时间对多孔硅的发光均有影响.随着氢氟酸浓度和电流密度的增大,多孔硅的光致发光光谱强度先变大后减小;随反应时间的延长,多孔硅的光致发光光谱峰强度增强.氢氟酸浓度、电流密度和反应时间对傅立叶红外光谱中与Si-H、Si-H2键相关的振动峰具有明显影响,且与发光强度的变化相对应.结合多孔硅的成核理论、量子限制理论以及红外光谱中Si-H、Si-H2键红外振动峰的变化解释了上述现象. 相似文献
72.
为解决金刚线切割多晶硅片表面制绒的问题,提出了一种创新的两步腐蚀制备硅表面陷光结构的方法。先以浓硫酸作为添加剂去除表面线痕,然后通过酸雾腐蚀法获得一种微米纳米复合的多孔陷光结构。样品在300~1100nm波长范围内的平均光反射率被降至8.6%,减反射效果优良,少子寿命提升0.6μs以上。此方法具有操作简单,无需复杂设备,成本低等优点,易实现工业化生产。 相似文献
73.
室温下纳米多孔氧化铝湿度传感器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了纳米级多孔氧化铝为敏感膜的湿度传感器的制备、性能和感湿机理.用阳极氧化法制得纳米多孔氧化铝,用LCR测量仪研究了该传感器的电容和阻抗随湿度变化的特性,结果发现其电容特性和阻抗特性在33%~97%相对湿度(RH)范围内线性度很好.并用等效电路模型对传感器的复阻抗特性进行了分析,讨论了传感器的感湿机理.结果表明,在低湿下该传感器等效于一个R、C并联电路,以电子导电为主;在高湿下等效于两个R、C并联电路的串联,以离子导电为主. 相似文献
74.
利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition,PECVD)法在单晶硅片上生长了氮化硼(BN)材料.扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)图,能量分散谱(Energy Dispersive Spectrum,EDS)和傅里叶红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)表明,在一定的生长条件下BN薄膜呈现由纳米棒搭构而成的网络状结构.纳米棒的直径在几十到几百纳米范围,长度为微米量级.对这种特殊形貌的生长机理进行了探讨. 相似文献
75.
本文研究了Sm含量,凝固速度及Nb和Zr元素的添加对Sm-Fe合金微观组织及氮化后Sm2Fei7Nx合金磁性能的影响.研究结果表明:采用真空感应炉熔炼Sm-Fe合金,当Sm的补偿量大于10wt%时,合金铸锭组织中出现大量的富Sm相,这将导致氮化后磁体磁性能的恶化;提高铸锭的冷却速度及添加Nb和Zr等元素可以有效地细化铸锭中α-Fe相的晶粒,减少均匀化退火后α-Fe相的数量,提高磁性能. 相似文献
76.
77.
采用电弧炉快淬和晶化退火工艺制备高性能NdxFe90.5-xZr3.0B6.5(F8.5=11.5)快淬磁体。结果表明,Zr的添加显著提高磁体的磁性能,Nd含量可以明显提高磁体的磁性能,X由8.5增加到10.5时,NdxFe90.5-xZr3.0B6.5磁体的磁能积由75kJ/m^3升高到114kJ/m^3,接近于美国Magnequench公司的MQP-B磁粉性能。 相似文献
78.
本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间.此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨. 相似文献
79.
本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD). 相似文献
80.
我国进入新世纪以来,随着国民经济与科技的发展,我国的各项事业取得了跨越式的发展.其中,机械的变频技术应用越来越广泛,逐渐成为机电一体化发展的系统先锋.在锅炉的节能发展过程中,针对机电一体化技能技术的运用,对锅炉整体进行全面化、多角度、自动性质的调控,从而提升锅炉的热含量,实现能源的节约利用.本文通过变频技术的多元化运用... 相似文献