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41.
《中天竺舍卫国祇洹寺图经》(以下简称《祇洹寺图经》)是唐代高僧道宣(596-667)晚年的重要作品。图经中通过文字及图示(附在道宣同年作品《关中创立戒坛图经》中)对佛教圣地祇洹寺的描绘被视为唐代早期理想寺院模式的蓝本,对隋、唐汉地佛教寺院研究有重要意义。文章通过《祇洹寺图经》的阅读,对其中构建的寺院格局进行了初步复原,同时探讨了图经中别院形式类型的相关特点 相似文献
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详细阐述了如何设计尾座体孔的精镗专机.主要包括镗模部分、镗杆及刀具部分、镗杆与车床主轴的连接部分等,并介绍了设计时须注意的若干问题。 相似文献
43.
44.
利用光学显微镜、扫描电镜及透射电镜,结合Thermo-Calc热力学分析,研究了铌稳定化0Cr19Ni15Mn5Mo2NbN奥氏体不锈钢铸钢晶界处高温相析出行为及其对力学性能的影响。结果表明,0Cr19Ni15Mn5Mo2NbN钢晶界处存在Nb Cr(CN)、Nb(CN)2种大尺寸高温析出相,均为凝固末期液析形成。在铌含量确定条件下,这2种大尺寸晶界析出相在凝固末期的竞争析出行为受碳含量的影响。碳含量存在临界成分,碳含量低于临界成分时,Nb Cr(CN)首先液析形成;碳含量高于临界成分时,Nb(CN)首先液析形成。液析形成的NbCr(CN)热稳定性较高,1 050℃固溶处理无法使之完全溶入奥氏体。沿晶界分布的大尺寸析出相,对0Cr19Ni15Mn5Mo2NbN铸钢固溶热处理后的塑性及冲击韧性损害较大。 相似文献
45.
a-Si双栅TFT对电泳显示器响应速度的改善 总被引:1,自引:1,他引:1
第一次提出了共栅极双栅结构用于不定形硅薄膜晶体管(a-SiTFTs)的像素结构,通过控制高源漏电压下的过大漏电流,解决有源矩阵电泳显示器(AM-EPD)响应速度慢的问题。文章通过与单栅a-SiTFTs的对比分析,预期到采用等沟道长度双栅结构将在保持开态电流基本不变的情况下有效减小关态漏电流。SPICE模拟结果证明,双栅结构使关态漏电流减小一倍左右。为了衡量该结构对缩短电泳显示器响应时间的作用,建立了响应时间t与漏电流Ioff之间的函数关系。通过Matlab模拟,证明双栅结构在漏电流为20pA时可将响应时间从380ms降至320ms;漏电流为35pA时可将响应时间从530ms降至360ms,帧频由2Hz提高到3Hz。根据建立的t-Ioff关系,指出降低电泳粒子半径和增大存储电容是进一步提高电泳显示器响应速度的关键。 相似文献
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