电动自行车用阀控式铅酸蓄电池(2)——电池循环寿命

利用线性电位扫描法研究了不同含Sn量对Pb -Sn电极在 0 9V(vs.Hg/Hg2 SO4 )时形成的阳极膜中Pb(Ⅱ)电量的影响 ,并研究了Pb -Ce电极在相同电位下形成的阳极膜中的Pb(Ⅱ)电量随时间的增长率。采用 6V -6Ah电池测定了由不同锡含量的铅合金制成正极板栅的电动车电池的放电特性 ,并采用 12V 12Ah电池测定了含RE(RE为含Ce合金 )的Pb -Ca-Sn板栅的电池寿命。结果表明 ,在合金中添加RE或适当提高Sn含量 ,有利于增进电池的深充放循环性能     

温度对铅铈合金在硫酸溶液中阳极Pb(Ⅱ)膜生长速率的影响的研究

应用线性电位扫描法研究了温度对Pb 1%Ce合金在 0 9V (vs .Hg/Hg2 SO4 电极 ) ,4 5mol·dm-3 H2 SO4 溶液 (2 83～ 32 3K)中阳极Pb (Ⅱ )膜的生长速率的影响。实验结果表明 ,铈的添加可适当提高Pb (Ⅱ )化合物生长过程的表观活化能。在温度为 2 83～ 2 93K时 ,铈对铅在硫酸溶液中的阳极腐蚀有一定的抑制作用。     

Novell文件服务器磁盘镜像效果的验证方法

随着Novell网络在众多领域的广泛应用,为了信息数据和整个网络的安全运行,Novell文件服务器大都采用了经济、方便的双硬盘镜像功能(Disk Mirroring)。然而,由于Mirror盘安装中的错误和使用中的不当,很容易造成磁盘镜像失败或假镜像的现象,从而造成在主盘数据破坏后镜像盘数据无法读出。为此,经常验证磁盘镜像的效果是至关重要的。在此笔者向大家提供两种验证磁盘镜像效果的方法。 方法 1:在文件服务器上利用Monitor观察。     

溅射Ni和Ni/Al对SiC陶瓷真空钎焊性能的影响

本工作采用磁控溅射的方法在SiC陶瓷表面分别溅射Ni薄膜和Ni/Al双层薄膜,然后将表面改性的SiC陶瓷片用真空钎焊的方法制备了以Al为钎料的钎焊接头,研究了表面溅射Ni和Ni/Al对SiC真空钎焊接头界面结合的影响。结果表明,表面溅射Ni薄膜的SiC钎焊接头平均剪切强度为69.4 MPa,表面溅射Ni/Al薄膜的SiC钎焊接头平均剪切强度为113.8 MPa,均高于未改性处理的SiC钎焊接头的平均剪切强度(48.4 MPa),其原因在于SiC表面溅射沉积Ni和Ni/Al薄膜,一方面能够避免脆性反应相Al₄C₃的生成对界面结合强度的降低,另一方面有助于改善铝钎料对SiC陶瓷表面的润湿。另外,相比于溅射单层Ni薄膜,采用Ni/Al双层薄膜改性的SiC钎焊接头,由于界面生成的强化相Al₃Ni分布更为集中,起到了“锚定”钎缝的作用,使接头剪切强度得到了更大的提高。     

CoSb3基方钴矿化合物的Ga,In掺杂及相关复杂缺陷的研究

通过第一性原理与热力学结合的方法,研究了Ga,In等掺杂的Co Sb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了Ga,In在Co Sb3中填充,Co,Sb位置替换以及填充-替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明,缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga,In等在方钴矿中不是单纯的填充,而是填充和Sb位置替换同时共存的复杂缺陷。Ga掺杂以填充-替换比例2∶1的缺陷为主,而In掺杂,根据不同的条件可形成填充,替换,以及不同比例的填充替换复合缺陷,其中尤其以4∶2和2∶1最多。根据巨正则系宗,研究了Ga,In掺杂系统的载流子浓度和各缺陷的浓度。发现Ga,In掺杂的方钴矿由于填充和替换电荷的自补偿效应,其载流子浓度较低,尤其是Ga填充,具有类似本征半导体的低载流子浓度,且得到实验证实。In掺杂系统由于填充替换的比例偏离2∶1,填充位置的In比Ga的稍高一些,因此具有比Ga掺杂更高的载流子浓度。     

10年间汾河干流CODcr污染研究

黄河的主要支流汾河,接纳了山西省50％以上的污水,通过对汾河干流主要污染物——CODcr近10年的污染变化,研究汾河水质污染状况的变化规律,得出汾河水质污染逐步减轻的结论。     

影响梁、板、柱承载力因素的分析

从钢筋混凝土设计理论出发，分析了截面尺寸、混凝土强度对梁、板、柱等构件的配筋量的影响。提出了在设计和施工中应特别注意的事项．     

工业废水中硫化物的测定

1 前言硫化物是地面水监测的必测项目,是评价水体污染的重要指标。造纸、焦化、合成氨、印染等行业的废水是主要的硫化物污染源,工业废水排放标准规定,硫化物浓度不得超过1.0mg/l。现行的硫化物分析方法主要有预蒸馏碘量法、过滤碘量法、硫离子选择电极