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91.
对MBR出水采用氯胺消毒,通过控制三卤甲烷(THMs)生成量的各影响因子,以使消毒效果达到最佳.试验结果表明:THMs生成量随着氯氨比值的降低而减少,氯氨比为(5:1)、(4:1)、(3:1)、(2:1)时的THMs生成量较氛消毒的分别降低了63.9%、72.5%、74.3%、75.2%.氯与氯化按先后投加比同时投加具有更好的控制THMs生成量的效果,先氯后氯化按、先氯化按后氛的THMs生成量比同时投加的分别减少了约8.8%和34.4%.氯胺投量与THMs生成量具有较好的线性关系(R2=0.9478).THMs的生成量随着反应时间的延长而增多,但在接触10h后趋于稳定.pH值升高不利于THMs的生成,在pH值≧8后THMs的生成量趋于稳定.THMs的生成量随着温度的升高而增多,但变化幅度不大. 相似文献
92.
93.
以低浊微污染配水为试验水样,对比考察了硫酸铝(Al2(SO4)3)、氯化铝(AlCl3)和聚合氯化铝(PACl)的混凝效能;考察高锰酸钾(KMnO4)对铝盐混凝剂的助凝效果及对出水中残余颗粒铝(AlP)和溶解铝(AlD)含量的影响;并对残余铝形态与除污染效果的相关性进行分析。结果表明:AlCl3、Al2(SO4)3混凝效能相似,二者电性中和能力较PACl强,但去除浊质及溶解性有机物效果不如PACl。KMnO4对AlCl3、PACl絮体zeta电位的影响随其投量的增加有小幅下降,同时,KMnO4能有效地降低出水中剩余浊度与溶解性有机物含量,对AlCl3、PACl的助凝作用主要体现在电性中和阶段。KMnO4也能有效地降低出水中AlP与AlD含量,且残余铝多以AlP的形式存在,AlD含量相对较低;相同混凝剂投量下,AlP与剩余浊度存在一定的正相关性,而残余AlD含量受KMnO4以及铝盐混凝剂投量的双重影响。以网捕卷扫为主导时,AlD含量较稳定,在较小范围内波动。 相似文献
94.
采用脉冲电解沉积工艺制备厚度约60μm的金属镍薄膜.当脉冲电流密度为7.5×10-2A/m2,通断时间比为1/25,pH=4.5,T=50℃时,所制备镍薄膜的平均晶粒尺寸约20nm,硬度为637HV.在电流密度一定时,晶粒尺寸随脉冲通断时间比减小而变小,硬度增大.与常规粗晶镍材料相比,纳米晶体结构镍薄膜的耐摩擦性能得到显著改善,在恒定压力下滑擦5次,纳米晶体结构镍薄膜的磨损深度从25nm增加到30nm,摩擦系数在0.13~0.20之间,而粗晶镍薄膜的磨损深度从35nm增加到46nm,摩擦系数在0.19~0.31之间. 相似文献
95.
96.
给出了配电网优化决策的数学模型,并开发了图形化的配电网规划计算机辅助决策实验系统.配电所的初始位置通过负荷矩法确定后,采用自动寻优算法确定其最终位置坐标;采用prim算法来优化网架结构;利用经济电流密度法选择导线截面,并采用边际电压费用法加以校验.实验系统以AutoCAD为图形界面,结合数据库系统,实现了数据与图形的联动,方便数据输入和结果查看. 相似文献
97.
98.
超声波搅拌-脉冲电沉积法制备纳米镍 总被引:4,自引:0,他引:4
在脉冲电沉积过程中,采用超声波搅拌制备了厚度约为90 μm的金属镍镀层.XRD和TEM对不同超声波强度下制备的镀层的分析表明,镍镀层的晶粒尺寸随着超声波强度的变化而变化.在固定脉冲电解参数导通时间(ton)和关断时间(toff)分别为0.2和0.8 ms、平均电流密度为10 A/dm2、镀液pH值为4.0、温度为50 ℃的条件下,当施加的超声波强度由0 W增至50 W时,镀层平均晶粒尺寸从45 nm减至24 nm;但当超声波强度增至70 W时,镀层的平均晶粒尺寸增至38 nm.显微硬度测试结果表明,平均粒径为24 nm的镍镀层的HV高达760. 相似文献
99.
从不同方面研究了Doppler展宽的开放的准∧型四能级原子系统中自发辐射诱导相干(SGC)对无反转激光(LWI)增益的影响.研究结果表明,当SGC强度一定时,LWI增益总是随Doppler展宽宽度的增加而变小;不管Doppler展宽是否明显,通过选取适当的SGC强度,总可以获得比不存在SGC时大的LWI增益,而且Doppler展宽宽度越小,这一差别越明显;粒子注入速率及退出速率也会对与SGC相关的LWI增益产生明显的影响;开放系统可得到远大于相应封闭系统的LWI增益. 相似文献
100.