做个公文写作高手

公文写作常遇到，诀窍不知哪里找，电子书、网络、自制模板齐上阵，搞定公文快又好。     

与行走墙相遇

酒酒和绘绘是两个出生在80年代的女孩,一次偶然的机会在BLOG上相识,才发现原来竟是好多年没有联系的高中同学。     

纸精灵

从事化学研究的博士竟也是心灵手巧的首饰设计师？不错,她就是弗朗西斯卡·维塔利。     

8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计

设计了工作在8GHz的基于AIGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波ldB压缩点时的输出功率为PldB=43dBm(20W),线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%.     

8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计

设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波1dB压缩点时的输出功率为P1dB=43dBm（20W）,线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%.     

凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应

研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电. 用X射线光电能谱（XPS）分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低. 介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃, N2氛围退火10min. 退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08.     

猕猴桃籽油氧化影响因素的研究及抗氧化措施

针对猕猴桃籽油在生产加工、储藏过程容易氧化变质的现象,研究了温度、光照、金属离子等对猕猴桃籽油氧化的影响程度,对如何有效控制猕猴桃籽油氧化提出了一些解决方法,以便人们更好地使用猕猴桃籽油。     

12招地毯污渍干干净

1.颜色选择要注意 首先，地毯的颜色及图案均具备防污防渍的能力。选择地毯时，应考虑哪些颜色的污渍污垢最易渗入地毯，最常见的污垢颜色为灰色、咖啡色、棕色及红色。     

采暖地板：冬日景更媚

温暖从脚下传遍全身，舒适的温度包裹着每个人，缱绻在明媚的气息里，自在而惬意。     

基于SOP的金工实训教学研究与应用

金工实训是高等院校面向工科类专业开设的工程实践教学环节,对大学生工程实践能力、创新能力以及团队合作能力的培养具有重要作用。近年来,由于参训学生数量较多、教师人手不足等情况,传统的“师带徒”教学模式无法对所有学生的每一项操作都做出正确、详细地指导,安全事故发生率和产品报废率明显提高。因此,提出了一种将SOP应用于金工实训的教学改革方案,编制一套标准化工程实训操作指导书,建立SOP标准操作管理体系,培养学生规范操作的习惯,优化了实训流程,提高了金工实训教学质量。