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采用化学气相沉积法,在反应温度分别为980℃和1040℃时制备了多壁碳纳米管(MWNTs)样品,并采用扫描电镜和拉曼光谱对样品进行了表征;结果表明,当反应温度为9800C时,制备的碳纳米管结构缺陷更多。使用波长为350nm的光激发2种样品并测量它们的光致发光光谱。发射峰值约在550nm处,反应温度为980℃时制备的碳纳米管的发射光谱的光强较强。 相似文献
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采用微波烧结的方法制备出ZnO压敏电阻,并对试样的物相组成、微观形貌和电学性能进行了表征。结果表明,微波烧结制备的ZnO压敏电阻与常规烧结具有相同的物相结构,平均晶粒尺寸为2.1μm;试样的电位梯度、漏电流、非线性系数分别为2 479.1V/mm,6.60μA,22.6;晶界势垒形状尖锐,势垒高度为0.88eV,耗尽层宽度为16nm。与常规绕结ZnO压敏电阻相比,微波烧结过程加热均匀,使试样的微观结构具有较好的一致性,提升了烧结质量,优化了ZnO压敏电阻的电学性能。 相似文献
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采用真空烧结的方法制备出高电位梯度的厚膜型ZnO压敏陶瓷,并研究了多次真空烧结对高压厚膜型ZnO压敏陶瓷的影响。实验结果表明,多次真空烧结使试样的电学性能产生先劣化后优化的变化趋势。真空烧结5次后,试样的电位梯度为2890.9V/mm,漏电流为87.9μA,非线性系数为9.0,晶粒尺寸在2μm左右。晶粒中氧原子百分含量的降低表明真空烧结5次后,晶粒、晶界间发生了氧原子的转移,使试样宏观电学性能得到改善。 相似文献
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以种子乳液聚合制得的P(St-EA-MAA)共聚物微球为模板,γ-氨丙基三甲氧基硅烷(APS)为助结构导向剂,正硅酸四乙酯(TEOS)为硅源,制备了P(St-EA-MAA)/SiO2复合微球,经高温煅烧除去聚合物模板,得到了中空二氧化硅微球。热重分析(TGA)表明模板剂的最佳脱除温度为600℃。高分辨透射电镜(HRTEM)观察显示所制得的二氧化硅微球具有典型的中空结构和良好的单分散性,其尺寸主要取决于共聚物微球的大小,通过调节微球模板的尺寸可以有效控制中空微球的大小。N2吸附-脱附曲线显示二氧化硅壁具有丰富的微孔,比表面积、平均孔径和孔容分别为117.87m2/g、1.98nm和0.21cm3/g。在制备复合微球的过程中加入一定量的CTAB可以调整中空微球的壁厚和壁的孔结构,使其比表面积、平均孔径和孔容增加到219.79m2/g、3.89nm和0.25cm3/g。 相似文献
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为快速、准确地判断数控机床故障等级,避免出现花大代价处理次要故障,而关键故障却被忽略的情况,提出了一种以元动作单元为分析主体的数控机床故障分级决策方法。首先,为细化数控机床故障分析的粒度,使得分析过程更加简便,从系统功能分解的角度将数控机床按照“功能(function)-运动(motion)-动作(action)”逐层分解直至元动作层。其次,通过对分解过程进行分析,给出了元动作单元概念模型,明确了一个标准元动作单元需要包含的3类要素。然后,从动作的层面全面分析并总结元动作单元的故障模式类型。接着,定义了元动作单元故障模式的3个等级,按照评价指标对数控机床故障模式进行评价,再通过灰色聚类理论分析故障模式量化评价值,利用所得出的聚类结果建立了故障模式分级的原始决策表,随后通过粗糙集理论对原始决策表进行知识约简以使决策规则进一步简化,最终形成了一种能够快速、准确确定故障模式等级的决策方法。最后,通过对某数控机床齿条移动元动作单元的分析,验证了所提方法的合理性与有效性。实例分析结果表明使用该方法能够快速、准确地确定数控机床的故障模式等级,提高了决策效率,所得结论更加明确且具有针对性,可为后续的维修过程控制提供依据。研究结果能给相关企业确定数控机床故障等级提供有效指导,一定程度上优化企业维修资源的配置。 相似文献