合成气乙醇发酵的微生物研究

生物质合成气发酵是一种独特的、经济可行的乙醇生产新方法,它包括气化和发酵两个方面,对环境改善和能源供给有积极的意义.在合成气发酵产乙醇的微生物中,Clostridium ljungdahlii和Clostfidium carboxidivorans P7最有应用价值.它们利用合成气的途径是wood-ljungdahl途径.文章概述了合成气发酵产乙醇的菌种和培养条件,建立了生长动力学模型,提出了合成气发酵产乙醇工业化过程中存在的问题和应用前景.     

基于酸碱性评价的砾石骨料与沥青黏附性分析

为分析砾石骨料与沥青黏附性,结合具体工程实例从骨料酸碱性出发,采用岩相法、SiO2含量法和碱度模数法研究了砾石骨料的酸碱性,再通过水煮法与光电比色法测得沥青剥落率.结果表明:3种酸碱性判定方法的结果存在差异,岩相法仅适用于常见岩石的初步判定,碱度模数法考虑了岩石中碱性氧化物的含量,比SiO2含量法的测定结果更精确;光电...     

光纤表面等离子体波共振温度传感器的研究

根据液体折射率随温度变化而改变的特性，提出了一种基于表面等离子体波共振(SPR)效应的新型光纤温度传感器，分析了表面等离子体波共振光纤探头感应环境温度变化的原理。对表面等离子体波共振探头结构进行了优化设计，并进行了相关实验，为实现高折射率液体介质的感温测试和扩大测温范围提供依据。通过自行设计的一套光纤温度传感测试系统，得到系统输出的表面等离子体波共振光谱信号随温度变化的特性曲线，并提出对共振波长和最小光强反射率进行实时双参数测量的方法。实验结果表明，该测试系统具有结构简单、全光纤化、易远程测量等优点。     

干电池封口胶图像分割方法

高速高效生产是碳性电池的以后生产发展方向,而干电池封口胶质量直接影响干电池的寿命以及运输安全。利用机器视觉可以很好地检测封口胶质量,在生产线上获取的图像含有多个图像特征,无法使用单一阈值分割图像,在对比了多种阈值分割方法后,给出了一种较为理想的图像分割方案。     

利用偏光分束棱镜测定波片的延迟量

在文〔３〕的基础上,提出了波片延迟量测量精度较高的方法。     

一种通用模块化单片机实验系统的设计

给出一种采用MCS-51／96系列单片机为核心的通用模块化单片机实验系统的硬件设计,该系统能在一块电路板上灵活地进行单片机系统与各种外部接口器件连接的实验,从而能有效锻炼学生的实验能力和动手能力,进而提高了《单片机原理及应用》课程的教学质量。     

基于PCA与分类回归树的疾病诊断应用研究

提出基于主成份分析和分类回归树方法（CART）的分类判别法。针对皮肤病学中鳞片状红斑疾病区分诊断的难题,首先利用主成份分析对病例属性进行约简,然后通过构造的分类回归树用于识别不同种类的红斑疾病。实验表明该方法能够准确的对病例进行识别,且达到了相当的精度要求。     

一种用于靶场多台站的时间同步电路设计

在靶场组网测试中,测试终端和多个测试分站间的时间同步直接影响测试参数准确性,为提高时间同步精度,基于SOPC技术和GPS授时相结合设计了测试分站时间同步电路。通过GPS接收机输出1PPS脉冲信号作为测试站的时间基准信号,在FPGA中设计Nios II处理器及相应的逻辑模块,由Nios II处理器通过中断信号提取当前时刻的UTC时间信息,逻辑模块实现本地时钟与GPS-1PPS脉冲信号的时间差,最终得出精确的微秒级UTC时间。该电路具有精度高、功耗低、集成度高等特点,对实现测试系统集成优化设计,提高系统的可靠性、灵活性、稳定性具有重要意义。     

多孔硅新的表面处理技术

对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌，破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题．阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面，满足SI分子化合价的需要,消除悬空键,促使多孔硅表面性能稳定，避免结构重组产生分子间的不均匀内应力，从而获得性能稳定、可靠、在空气中可以长期干燥保存的多孔硅．     

Investigation of charge loss characteristics of HfO2 annealed in N2 or 02 ambient

The retention characteristics of electrons and holes in hafnium oxide with post-deposition annealing in a N2 or 02 ambient were investigated by Kelvin probe force microscopy. The KFM results show that compared with the N2 PDA process, the O2 PDA process can lead to a significant retention improvement. Vertical charge leakage and lateral charge spreading both played an important role in the charge loss mechanisms. The retention improvement is attributed to the deeper trap energy. For electrons, the trap energy of the HOS structure annealed in a N2 or 02 ambient were determined to be about 0.44 and 0.49 eV, respectively. For holes, these are about 0.34 and 0.36 eV, respectively. Finally, the electrical characteristics of the memory devices are demonstrated from the experiment, which agreed with our characterization results. The qualitative and quantitative determination of the charge retention properties, the possible charge decay mechanism and trap energy reported in this work can be very useful for the characterization of hafnium charge storage devices.