上海地区住宅桩基桩型的选择

目前上海地区住宅桩基桩型主要有三种,具体使用须考虑地基、承载力、持力层、环境、工期、经济等各方面因素.     

MIKE模型在契爷石流域水质改善中的应用研究

本文以东莞市契爷石流域为例,以COD、NH₃-N、TP为特征指标,研究MIKE模型在水质改善措施中的应用。结果表明,依据不同设计方案建立的污染物排放与水质达标的响应关系,得到在Ⅴ类水目标下,契爷石流域NH₃-N的纳污能力为0.135t/d,TP的纳污能力为0.025t/d;经过截污、清淤、增加调蓄池以及污水厂提标等措施,契爷石河口断面基本可以达到Ⅴ类水目标要求,COD平均浓度下降25.5%,NH₃-N平均浓度下降74.9%,TP平均浓度下降88.3%,应用成果可为工程水质改善措施提供依据。     

2011—2020年全国河鲀毒素中毒事件分析

目的 分析2011—2020年全国河鲀毒素中毒事件的流行病学特征,为制定河鲀毒素中毒的精准防控措施提供科学依据。方法 对2011—2020年通过“国家食源性疾病暴发监测系统”上报的河鲀毒素中毒事件进行描述性流行病学分析。结果 我国2011—2020年共报告河鲀毒素中毒事件92起,中毒339人,死亡15人,病死率为4.4%。河鲀毒素中毒主要发生在我国沿海地区,原因食品包括鲜河鲀鱼（71.7%,66/92）、河鲀鱼干（13.0%,12/92）、织纹螺（7.6%,7/92）、鲎（5.4%,5/92）和云斑裸颊虾虎鱼（2.2%,2/92）,每年3~4月是中毒高发期。结论 做好河鲀毒素中毒的防控,建立生物标本中河鲀毒素检测方法,提高河鲀毒素中毒病原学鉴定能力;加强流通环节监管和科普宣传,改变民众捕食野生河鲀的饮食习惯。     

从一起河鲀中毒调查探讨河鲀食用安全性的风险管理措施

目的通过一起河鲀中毒事件的流行病学调查和人群关于河鲀安全性的知识、态度、行为(KAP)调查,探讨河鲀食用安全的风险管理措施。方法通过病例搜索,调查病例家庭成员进食史及发病情况,采用回顾性队列研究分析发病的高危因素,制作调查问卷调查了解当地村民有关河鲀中毒的知识、态度和行为。结果共搜索到14例病例,其中1例死亡。症状主要为头晕(100%)、四肢无力(79%)、四肢肌肉麻痹和行走困难(71%)、口舌肢端麻痹(71%)等。食用河鲀是发病的危险因素,加工过程保留鱼肝共同煮食可增加中毒的危险(RR=1.8,95%CI=1.1~3.1)。KAP调查发现70%(33/47)的村民近3年曾进食过河鲀,其中88%(29/33)来源于市场或流动摊贩;98%(46/47)的村民知道河鲀有毒,94%(44/47)的村民知道国家法律禁止食用河鲀鱼,但仍有94%(44/47)的人认为其味道鲜美值得品尝。结论食用混杂于无毒河鲀中的有毒河鲀是导致本次食物中毒的主要原因。居民对河鲀安全性知晓率高但依从性差。     

浅析影响胶合板预压效果的几个因素

分析了胶合板生产中原辅料及生产环境等几个因素对预压效果的影响,对改善胶合板预压效果的方法进行了初步探讨,从而为胶合板生产企业改善预压效果,进一步提高胶合板质量提供参考。     

弹簧圆锥破碎机恒功率模糊控制器设计

依据成熟的操作经验,运用模糊控制理论设计完成弹簧圆锥破碎机恒功率模糊控制器,实现了弹簧圆锥破碎机的恒功率控制.     

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子全部都吸附到了 Si表面 ,Si H4 的吸附率正比于表面空位的 4次方 ,并分析了 Ge H4 的表面吸附机制 .在此基础上建立了 UHV/CVD生长Si1- x Gex/Si的表面反应动力学模型 ,利用模型对实验结果进行了模拟 ,二者符合得很好     

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-xGex/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH4的表面吸附机制.在此基础上建立了UHV/CVD生长Si1-xGex/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟,二者符合得很好.     

AlGaN材料金属接触的性能和界面结构研究

文章通过AlGaN材料的金属接触制作工艺和接触性能、接触界面显微结构和基础理 论研究等诸方面反映AlGaN材料的欧姆接触及势垒接触研究概况和最新进展。     

AlGaN材料的MOCVD生长研究

文章研究了AlGaN材料的MOCVD生长机制。在位监控曲线表明,AlGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于Al原子表面迁移率太小,随着TMAl流量的增加,需要更长的时间才能出现二维生长,材料质量也随着Al组分的增加而下降,AlGaN的表面形貌也变差。随着TMAl流量的增加,AlGaN材料的生长速率反而下降,这是由于Al原子阻止了Ga原子参与材料生长。实验还发现,由于TMAl与NH3 之间存在强烈的寄生反应,AlGaN材料中的Al组分远小于气相中的Al组分。文中简单探讨了提高AlGaN材料质量的生长方法。