磁控溅射a—Si／Ni多层膜的研究

利用超高真空多靶磁控溅射设备制备ａ－Ｓｉ／Ｎｉ多层膜，经ＸＰＳ和Ｒａｍａｎ谱的分析研究表明；在所取工艺条件下制备的ａ－Ｓｉ／Ｎｉ我层膜为周期性的成份调制结构，以特殊的表面电极结构，讨论了ａ－Ｓｉ／Ｎｉ多层膜的横向光电效应与周期结构参数的关系。     

多解释系统优化地震资料解释流程

从技术应用的角度入手，详细介绍了全三维解释系统GIGAviz与DV-1 Discovery的技术特色；对多套解释系统的技术特色作了简要的对比，针对不同解释阶段的工作需要，适当运用某一解释系统的特色功能，扬长避短，提出了一套最优化解释流程。该流程能够极大地提高解释精度与解释效率。     

塔里木盆地满加尔凹陷下古生界烃源岩的再认识

中国石油天然气股份有限公司在第三次油气资源评价成果和剩余油气资源领域分布评价基础上,提出了岩性-地层油气藏、前陆盆地冲断带,叠合盆地中下部组合和成熟探区富油气凹陷(区带)四大勘探领域.指出岩性-地层油气藏已成为油气储量增长的主体,前陆盆地冲断带是寻找大发现的重要领域,叠合盆地中下部组合增储地位日趋重要,富油气凹陷(区带)精细勘探潜力仍然很大.分析认为未来剩余油气资源主要分布在岩性-地层油气藏、叠合盆地中下部组合、前陆盆地、富油气凹陷(区带)、陆上新区新盆地、南海南部海域和非常规资源等七大领域,其中前四大领域勘探潜力仍然很大,是未来油气增储上产的重点领域;陆上新区新盆地、南海南部海域及非常规资源将是未来实现中国石油资源战略接替的重要领域.     

全融合UDM割接流程概述

5G新架构及新网络功能的引入给业务运维等带来了诸多挑战,现网会出现2G/4G/长期演进语音承载（voice over long term evolution, VoLTE）/5G多网络并存的问题。为了减少网络资源投入,减轻对网络互通功能（interworking function, IWF）等5G过渡方案的依赖,提升综合运维能力,业界提出了全融合的统一数据管理（unified data management, UDM）架构,力图实现2G/4G/VoLTE/5G业务的全面覆盖、统一运维。结合中国移动当前UDM割接现状（仅涉及2G/4G/VoLTE/5G业务,无3G业务）,从UDM割接技术原理出发,论述割接前准备、正式割接、割接后值守、应急预案的UDM割接全流程,以期为相关人员提供参考。     

二十一世纪进入家庭的电子产品

本文简要介绍了本世纪电子技术在家电领域的应用 ,论证其普及的必然趋势     

超小型通用继电器组装生产线设备制造技术及应用

介绍JQC－3FB超小型通用继电器组装生产设备的技术特点、性能及结构,及其推广应用。     

C+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱

用椭偏光谱法测量了(35keV,1.0×10118cm-2)和(65keV,1. 0×1018cm-2)C+注入Si形成的SiC/Si异质结构.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SiC/Si异质结构的各层厚度及主要成份.研究结果表明:注35keV C+的样品在经1200 C、2h退火后形成的SiC/Si异质结构,其β-SiC埋层上存在一粗糙表面层,粗糙表面层主要由β-SiC、非晶Si和SiO2组成,而且β-SiC埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与β-SiC埋层界面;注65keV C+的样品在经1250 C、10h退火后形成的SiC/Si异质结构,其表层Si是较完整的单晶Si,埋层B-SiC分成三层微结构,表层Si与β-SiC埋层界面和β-SiC埋层与体硅界面亦不相同.这些结果与X射线光电子谱(XPS)和横截面透射电子显微镜(TEM)的分析结果一致.