高地压超长工作面收作期间防灭火技术

对于高地应力易自燃煤层,受地应力的影响使工作面上下顺槽维护比较困难,造成停采收作期间比较长,增加了采空区遗煤自然发火的危险程度。为了防止口孜东矿111303工作面遗煤自燃,在自然发火预测预报的基础上,采用超前预埋防火管路,利用灌浆、注氮、注液态CO2、喷注瑞米材料充填等综合防灭火技术,同时对工作面高温氧化区域打钻定点注浆、导孔注凝胶等技术,实践证明该技术有效的保障了千米深井高地压超长工作面安全收作,为类似工作面收作期间的防灭火工作提供了参考依据。     

基于变权-灰色理论的城镇燃气PE管道风险评价

针对城镇燃气聚乙烯(PE)管道事故具有高风险性、高危害性和随机性的特点,提出了一种综合运用故障树分析(FTA)、层次分析(AHP)和灰色理论的评价方法。该方法利用故障树分析法确定城镇燃气PE管道的主要风险因素,并根据基本事件的割集重要度、概率重要度和关键重要度选取评价指标。在此基础上,建立了一个三层AHP城镇燃气PE管道风险评价指标体系,该体系包含6个一级指标和15个二级指标;然后,运用灰色理论构建层次灰色评价模型来计算综合评价值,确定管道风险度;最后,将该方法运用于某个燃气PE管段的风险评价,结果表明该管段的综合风险等级为一般,需进行相关的监测与检测,与实际情况符合。该案例研究表明,变权-灰色理论评价模型是一种有效的风险评价方法,可以对城镇燃气PE管道进行风险评价。     

寒地粳稻种子的拉曼光谱鉴别方法研究

针对水稻种子的品种鉴别存在检验周期长、种类少等实际问题,本研究提出一种高效、快捷、准确鉴别水稻种子的方法。以拉曼光谱技术为基础、寒地粳稻种子为研究对象,进行快速、准确鉴别。首先,利用Savitzky-Golay(SG)、一阶导(1-Der)、二阶导(2-Der)、迭代自适应加权惩罚最小二乘(AIRPLS)和均值中心化(MC)预处理方法及其组合对原始光谱进行预处理,研究不同预处理方法及组合的偏最小二乘判别(PLSDA)和支持向量机(SVM)模型判别效果;其次,应用光谱-理化共生距离(SPXY)法对预处理数据进行样本划分;最后,通过连续投影算法(SPA)、逐步回归(SR)和竞争自适应重加权采样法(CARS)对特征波段进行提取,对比分析不同预处理下的特征波段与全波段建模效果和检测时间差异。结果表明：在13种预处理方法中,AIRPLS+1-Der组合预处理效果较好,在PLSDA和SVM模型中测试集准确率均达到95.45%以上;在3种特征提取方法中,基于 CARS 方法的特征波段在两种鉴别模型中准确率达到96.97%,而且模型运行速度较快,这说明基于拉曼光谱技术对寒地粳稻种子进行快速、准确鉴别是可行的。     

酵母菌发酵制服装材料

正澳大利亚昆州科技大学(QUT)时装系的学生正在采用一种全新的方法来制作服装材料,一种永续材料,并于近日向媒体展示了他们的研究成果。这是一种类似于啤酒酿造或者制作酵母面团的发酵过程,将酵母菌媒介放在培养皿中培养形成一种凝乳状物质,这种物质会形成一种全新的服装材料。在昆州州立图书馆的实验室里,昆州科技大学的学生们利用咖啡、茶、红酒和糖浆来进行实验。自身时装工作室讲师布     

某再生水厂改造工程除盐工艺选择及运行效果

以某再生水厂改造工程为背景,在对各种除盐工艺进行比较后,选择离子交换和反渗透两种工艺进行了详细的工艺技术及经济比选,并最终选择了反渗透系统作为除盐工艺,实际数据证明,反渗透系统运行稳定,产水水量、水质达到设计要求。     

基于CPLD的时间信号精确同步研究

电磁波阵列数据采集系统要配合井中大功率电磁脉冲源使用,为了能够严格同步发射地震波、采集反射波,需要精确的时间同步信号.主要论述在复杂可编程逻辑器(CPLD)的控制下,结合恒温晶振(OCXO),实现全球定位系统(GPS)失效情况时的精确时间同步.在设计中采用CPLD作为GPS和OCXO同步时钟的控制和数据处理CPU,加速...     

斜坡和垂直断层地形的瞬变电磁响应

计算了斜坡(垂直断层)地形的瞬变电磁响应,考察了斜坡(垂直断层)地形存在时对瞬变电磁(TEM)测深结果造成的影响.数值模拟结果表明,与不存在地形时的瞬变电磁响应相比,把电偶极子源放在地形中不同位置时,会对TEM响应产生不同程度的影响.源放在坡度不大的斜坡边缘处异常最小,源放在地形变化剧烈处(垂直断层)影响最大,放在斜坡...     

硫系相变材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜相变速度及电学输运性质研究

利用磁控溅射方法制备了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5两种相变存贮材料的薄膜.原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜都逐步晶化,材料结构发生了从非晶态到面心立方结构、再到六角密堆结构的转变.由衍射峰的半宽高可以看出,在达到第一次相变温度后,Ge2Sb2T...     

功率VDMOS器件用硅外延材料研制

文章阐述了硅功率VDMOS器件的基本原理和器件结构,也展现了作为电力电子器件其广阔的应用领域,提出了功率VDMOS器件对硅外延材料的要求和发展方向。依据功率器件对外延片的要求,通过优化外延工艺程序和优化外延工艺参数,消除或减弱了自掺杂对电阻率均匀性的影响,消除了过渡区对厚度均匀性的影响,也较好地控制了外延层中的结构缺陷...