肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气

通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面以下 1.3nm处 ,2 DEG分布峰的半高宽为 2 .3nm ,2 DEG面密度为 6 .5× 10 1 2 cm- 2 .与 Alx Ga1 - x As/ Ga As异质结相比 ,其 2 DEG面密度要高一个数量级 ,而空间分布则要窄一个数量级 .这主要归结于 Alx Ga1 - x N层中～ MV / cm量级的压电极化电场和自发极化电场对 Alx Ga1 - x N/ Ga N异质结能带的调制和 Alx Ga1 -     

一种新的WLAN环境下移动IPv6的低时延切换方法

提出了一种IEEE 802.11无线局域网环境下移动IPv6的低时延切换方法NDPR.在不依靠链路层触发的条件下,NDPR使用非均匀检测模型来减小切换检测产生的时延,降低了切换检测过程的开销.通过IP地址与MAC地址的映射机制和转交地址的预注册机制,NDPR减小了移动IPv6的移动检测和转交地址配置过程的时延.仿真结果表明,该方法不但能够有效降低节点切换过程的时延,而且其性能优于以往相关的工作.     

CuO对β-BZT陶瓷结构与介电性能的影响

在三元系单斜焦绿石相微波介质陶瓷Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(简称β-BZT)中添加不同量的CuO,研究其对材料的结构和介电性能的影响。研究发现,添加CuO能降低烧结温度,w(CuO)<0.3%不会导致样品的密度降低和出现第二相,并能很好保持β-BZT的介电性能。w(CuO)为0.1%的样品烧结温度仅为950℃,其微波介电性能参数为:εr约为63,Q约为1191(4.5GHz)。     

全含能侵彻战斗部对多层钢介质的毁伤威力表征技术

为实现全含能侵彻战斗部毁伤威力的有效评价,基于125 mm火炮建立了全含能战斗部毁伤威力表征试验系统,从侵彻扩孔、高温高压、纵火引燃等多个方面对战斗部毁伤威力进行了多物理场信息描述。结果表明,16 kg战斗部在952 m·s^-1速度条件下侵彻5层钢靶能够形成强烈火光,持续时间约120 ms,最大扩散范围超6 m×10 m,最高温度约2100℃,相比于惰性战斗部,温度增益约1270℃,1.2 m处的超压增益约为0.16~0.5 MPa,对5层钢靶破孔面积的累计增益达到300%以上,对油箱燃油有良好的纵火引燃效果。     

GaN基蓝光器件的研究进展

本文对近几年ＧａＮ基蓝光器件，包括ＧａＮ基发光二极管和激光二极管的发展历程进行了全面介绍和评价。指出ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ的研究开发技术将在１－２年内走向成熟，从而实现大规模商业化生产，而ＧａＮ基蓝光ＬＤ也将在近二年内实用化。     

热压烧结对Co－Mn－Ni－O热敏材料电性能的影响

研究了不同热压压力、热压方式对Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｏ热敏材料电性能的影响。热压烧结能够提高材料的电阻率及Ｂ值。Ｘ射线衍射分析表明，热压烧结材料有ＭｎＣｏ２Ｏ４、ＮｉＭｎ２Ｏ４和ＣｏＮｉＯ２三相组成。从扫描电镜照片可见，热压烧结材料晶粒细小、均匀、气孔率少，是提高其电性能的主要原因。调整热压压力可以有效地控制材料的电学参数     

InGaN／AlGaN双异质结构蓝光LED的电学和光学性质

研究了ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结构（ＤＨ）蓝光发光二极管（ＬＥＤ）的电学和光学性质，实验表明，器件正向偏压下的Ｉ－Ｖ特性偏离了ｐｎ结二极管的肖克莱模型的结果，并且载流子的主要输运机制与载流子隧穿有关。通过对电致发光（ＥＬ）谱的测量，得到位于２．８ｅＶ的发射峰和位于３．２ｅＶ弱发射峰，随着电流增大而均出现蓝移。对大脉冲电流下ＬＥＤ的特性的退化作了研究。     

α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究

本文报道了蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上ＧａＮ薄膜的瞬态光电导性质．用ＹＡＧ∶Ｎｄ脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域,即起始衰减区域和拖尾区域,分别对应时间常数：τ０１～０．１ｍｓ和τ０２～１．０ｍｓ．在相同偏压和光强下,加热样品至３００℃,光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化,对应的两个时间常数都相应变小．实验结果说明在导带边几十ｍｅＶ内存在大量陷阱．对衰减曲线起始２００ｎｓ取样,发现光照时光电导呈“Ｓ”形上升,停止光照,光电导锐利下降并出现振荡,表明光照停止后,载流子在导带和深陷阱能级的     

发展城郊型水土保持经济的试验研究

我国大、中、小城市拥有较大面积的郊区，它是城市人民赖以生存的重要基地。但郊区人口密度大，水土资源破坏也十分严重，生态环境日益恶化，致使不少城市都遭受着不同程度风砂、洪水和环境污染等危害。所以，城郊型水土保持经济模式的试验研究对搞好郊区资源的开发和合理利用具有重要意义。１９８８年以哈尔滨市太平区东风镇境内的石人沟小流域作为试点流域，开展了观光、旅游、经济林果种植和加工等综合型的城郊水土保持经济的试验研究。经过４年的试点治理，已建立了综合发展的城郊型水土保持经济结构。产业结构也由单一的粮食生产调整为粮、果、菜、养殖等多方位发展的新格局，为城郊的经济发展奠定了基础。     

阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长

尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料一阳极氧化铝，在Si（111）衬底上电子束蒸发铝膜，经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火，然后进行GaN外延生长，对材料的微结构和电学性质进行了测量和分析，并将得到的GaN材料制备成光导型的紫外光电探测器，器件在330－380nm紫外光区域有明显的响应，最后响应度为3．5A／W（5V偏压）。