电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钕铁硼中钼钨铌锆钛

采用硝酸和硫酸处理样品后, 在5%(体积分数)硫酸介质中, 用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定了钕铁硼中钼、钨、铌、锆、钛的含量。基体元素铁、钕和硫酸产生的光谱干扰或基体效应采用基体匹配的方法克服, 基体元素硼和其他共存元素对测定均没有干扰。方法的测定下限分别为0.10 μg/mL(钼)、0.20 μg/mL(钨)、0.15 μg/mL(铌)、0.10 μg/mL(锆)、0.10 μg/mL(钛)。方法应用于钕铁硼样品中钼、钨、铌、锆、钛的测定, 测定结果与电感耦合等离子体质谱法的测定结果或参考值相符, 加标回收率在98%～104%之间, 相对标准偏差(RSD, n=11)小于6%。     

PLC控制网络与计算机管理网络通信方法的探讨

PLC（可编程控制器）已经成为了现今我国很多企业都会应用到的一类控制方式，并在PLC控制方式的基础上通过计算机网络的应用对其实现数据的交换以及管理。在本文中，将就PLC控制网络与计算机管理网络通信方法进行一定的分析与探讨。     

基于伪标签局部集成投票属性约简

属性约简是粗糙集核心内容之一,然而,传统基于邻域粗糙集的局部约简算法具有以下两个问题:1)经典邻域粗糙集没有关注到半径变化对样本标签的影响,以致于不同标签样本被划分到相同邻域;2)传统的属性约简算法只有一个约束条件,缺乏适用性.为了解决这一难题,论文从局部视角出发,利用伪标签邻域粗糙集模型,构建了一种属性约简方法.实验选取五组UCI数据集,通过多个算法的对比分析,论文所提算法提高了分类性能.     

分层取样方式对碳酸氢铵沉淀法生产碳酸稀土过程混合RECl3溶液理化指标检测结果的影响研究

稀土的提取与分离需要经过硫酸焙烧、水浸、萃取、反萃和碳沉等一系列过程,其中混合RECl₃溶液是稀土产业线中的重要中间产品,该混合稀土溶液的REO浓度、配分、密度等理化指标是评价混合RECl₃溶液产品质量的主要参数。针对一定存储条件下的混合RECl₃溶液,按照国家标准分析方法,结合X射线荧光光谱法(XRF)、电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)和重量法等手段,对该溶液中的REO浓度、配分、密度等项目进行检测,研究分层取样方式对3项理化指标的影响及变化规律。通过不同存放时间的变化因素绘制混合RECl₃溶液中REO浓度、密度的变化曲线,得出混合RECl₃溶液的存放时间越长,不同层面取样时这两个指标检测结果差异越大的结论;浅析了混合RECl₃溶液取样深度变化对检测结果的影响因素,对混合RECl₃溶液从表层到底层按照均匀间隔取样进行检测,得出REO浓度和密度的检测结果呈递增趋势,配分的检测结果呈轻稀土含量减少、重稀土含量增加的趋势等结论;研究了混合RECl₃溶液中REO浓度范围差异与存放一定时间内REO浓度的变化趋势,得出REO质量浓度小于50 g/L或大于250 g/L时,其检测结果变化缓慢,REO质量浓度在100～200 g/L时,其检测结果变化快速的结论。深入剖析了分层取样方式影响检测结果的基础理论,此研究可用于指导用于稀土应用产品的混合RECl₃溶液的质量控制,对规范混合RECl₃溶液的取样操作具有重要的指导意义。     

ICP-AES法测定氧化钕中硫的含量

用ICP-AES测定氧化钕中的S的含量,方法采用纯试剂标准曲线,扣除基体背景进行测定。方法简单易行,结果稳定可靠。与红外CS仪的对照结果令人满意。     

建立健全鲜活小宗农产品市场监测和调控机制的思考——基于山东省大葱、生姜的调查

通过对山东省大葱、生姜生产与流通情况的调查发现,鲜活小宗农产品市场存在供给不确定性增加,产销信息不充分、不对称,市场信息监测体系不健全,产销衔接能力不强等问题;提出了建立信息平台,探索调控思路,创新手段系统,开展试点工作,发展专业合作社,提升组织化程度,稳定葱姜生产,夯实供给基础,完善流通体系,创新产销衔接等政策建议。     

2008年日本稀土市场状况

一、抛光村料、荧光材料、磁体需求迅速降低 1．开拓中国以外的供给源 日本稀土进口量自2001年“IT泡沫”触底崩溃后持续5年增长，但2008年下半年，金融危机开始蔓延，受世界经济景气度下滑影响，液晶电视、电动车市场低迷，导致抛光材料、荧光材料、磁体需求大幅回落。     

一种配电网中性点接地方式浅析

作者根据多年工作实际经验,对一种配电网中性点接地方式进行分析与探讨。     

电子辐照条件下高纯铁中位错环演化的多尺度模拟

辐照诱导材料微观结构演化导致的材料力学性能降级或尺寸不稳定性是限制反应堆安全与经济性的关键因素之一。本文基于速率理论建立了辐照诱导材料微观结构演化的物理模型,并开发了模拟程序Radieff。采用分子动力学计算了高纯铁中缺陷的形成能、结合能、迁移能以及间隙原子位错环的构型,在此基础上模拟了电子辐照诱导高纯铁内位错环的演化过程,并与实验结果进行了对比。基于分子动力学的计算结果表明,当间隙原子团簇包含3个间隙原子时,团簇的排列方式为〈110〉构型,间隙原子团簇包含4个以上间隙原子时,团簇排列方式变为〈111〉构型。此外基于Radieff研究了400~600K温度范围内,损伤速率为1.5×10-4 dpa/s电子辐照条件下,位错密度对位错环演化的影响,位错密度对位错环数密度及其平均尺寸的影响取决于位错以及间隙原子团簇对间隙原子的阱强度;在464K和550K温度下辐照,位错环数密度及其平均尺寸分别在位错密度增加到1011 cm-2和1010 cm-2后急剧减小,这是由于此时位错对间隙原子的阱强度会大于间隙原子团簇对间隙原子的阱强度。     

硅钼蓝分光光度法测定镁钕合金中硅

采用盐酸(1+2)溶解镁钕合金样品,在0.12～0.25 mol/L盐酸介质中,加入2.5 mL 50 g/L钼酸铵溶液与硅形成硅钼黄络合物,稳定15 min后,加入5 mL 10 g/L硫酸-草酸混合酸分解磷、砷钼杂多酸,而后加入2.5 mL 10 g/L抗坏血酸溶液做还原剂,使硅形成稳定的硅钼蓝络合物,稳定15 min后,于分光光度计波长800 nm处测量其吸光度,从校准曲线上查得硅量,从而建立了使用分光光度法测定镁钕合金中硅的方法。结果表明,试液中硅质量在1～50 μg范围内与吸光度呈线性,校准曲线线性回归方程为y=61.634 x+0.007 5,相关系数r=1.000;方法中硅的检出限为0.000 11%(质量分数)。按照实验方法对镁钕合金样品中硅进行加标回收试验,回收率为97%～104%。实验方法用于测定镁钕合金实际样品中硅,结果的相对标准偏差(RSD, n=11)为0.76％～7.6％,结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定结果相吻合。