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541.
安徽省涡河近期治理工程(亳州段)是治淮19项骨干工程之一,工程已顺利通过水利部淮河水利委员会和安徽省水利厅主持的竣工验收。工程从开工到竣工未发生一起安全事故 相似文献
542.
543.
采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InGaN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术和光致发光(PL)技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试,获得了合金层的组分、厚度、元素随深度分布、结晶品质及发光性能等信息.研究表明生长温度和TMIn/TEGa比对InGaN薄膜的In组分和生长速率影响很大.在一定范围内,降低TMIn/TEGa比,InGaN膜的生长速率增大,合金的In组分反而提高.降低生长温度,InGaN膜的In组分提高,但生长速率基本不变.InGaN薄膜的结晶品质随In组分的增大而显著下降,InGaN薄膜的In组分由0.04增大到0.26,其最低沟道产额比由4.1%增至51.2%.InGaN薄膜中In原子易处于替位位置,在所测试的In组分范围,In原子的替位率均在98%以上.得到的质量良好的In0.04Ga0.96N薄膜的最低产额为4.1%.研究结果还表明用RBS技术和光致发光技术测定InGaN中In组分的结果相差很大,InGaN的PL谱要受较多因素影响,很难准确测定In组分,而以RBS技术得到的结果是可靠的. 相似文献
544.
545.
探讨了使用雷达测量的距离和(差)及其变化率数据和弹载转发器GPS外测数据,加权最小二乘解算弹道参数方法。该方法改变了目前雷测数据与GPS外测数据分别解算弹道参数的模式,可以充分利用冗余外测信息提高弹道参数的解算精度。 相似文献
546.
采用离子束溅射的方式,在K9玻璃基片表面引入金纳米杂质缺陷,通过原子力显微镜(AFM)测得金纳米尺寸直径在50~100 nm之间。采用不同能量密度的激光对样品进行点阵式的单脉冲辐照(1-on-1)并且对损伤阈值及典型损伤形貌进行了实验及理论分析。损伤阈值采用零几率处的损伤密度。结果表明:引入金纳米杂质缺陷后其抗激光损伤阈值由裸基片的26.6 J/cm2下降为15.5 J/cm2。通过微分干涉显微镜,随着激光能量的增加,损伤呈爆炸坑形貌,主要呈现纵向加剧损伤。金纳米杂质缺陷在K9玻璃基片上形成了强吸收中心(引入金纳米杂质K9玻璃基片的弱吸收(47.33 ppm,1 ppm=10-6)是裸K9玻璃基片(3.57 ppm)的13倍)造成局部高温,这是造成损伤的诱因。通过计算,金纳米杂质对K9玻璃基片的作用包括两部分:当激光辐照在K9玻璃基片上,首先是热应力引起玻璃的破裂;随后杂质汽化产生的蒸汽压加剧材料的破坏,引起局部炸裂。 相似文献
547.
介绍了GaN材料的基本特性及重要意义,讨论了在Si衬底上外延GaN的可取之处以及存在的主要问题。详细阐述了各种不同材料以及不同结构的缓冲层应用于MOCVD方法在Si衬底上外延GaN,及其所取得的最新成果。对缓冲层降低应力的机制进行了说明。 相似文献
548.
利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析。计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式。分析了从空气和Al_(0.4)Ga_(0.5)In_(0.1)N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异。为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构。分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势。 相似文献
549.
从航天运输系统发展的特点出发,论述了国外可重复使用运载器(RLV)的研究概况和发展目标,分析了航天运载器的发展趋势,并对我国RLV的发展思路和重点进行了探讨。 相似文献
550.
在互联网及分布式技术不断发展的基础上,云计算越来越受到关注.云计算能够提供移动服务,即对于资源有限的设备,可以通过付费方式,通过互联网访问云计算资源池中的数据或其他服务.云计算的核心就是分布式存储,分布式存储是研究数据中心中数据的组织和管理模式.由于云计算数据中心中存储的数据规模巨大,数据失效问题严重,增加了云计算成本,也在一定程度上限制了云计算的推广和应用.本文从存储的扩展性、容错性以及降低存储能耗等角度分析云计算环境下的分布式存储关键技术. 相似文献