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应用灰色系统理论预测高层建筑物的沉降,通过实测数据进行参数计算,然后对后续变形进行预测,其预测结果与实测结果完全吻合,较好地用于指导工程进度和安全评价。 相似文献
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从优选高聚物黏结剂角度考虑,用分子动力学(MD)方法,对含少量液态黏结剂的奥克托今(HMX)炸药进行了MD模拟。选择端羟基聚丁二烯(HTPB)、聚叠氮缩水甘油醚(GAP)、硅橡胶和乙烯基酯(VE)4种黏结剂。通过计算HMX与黏结剂之间的结合能,选择结合能最大的一组的黏结剂作为最优黏结剂。结果表明,HTPB可作为最优黏结剂。 相似文献
57.
为研究油气润滑状态下表面织构对角接触球轴承润滑性能的影响,在角接触球轴承的内圈滚道上设计表面织构,基于气液两相流理论,采用多重参考坐标系(MRF)模型和流体体积(VOF)法,对高速角接触球轴承腔内润滑油流动特性进行数值分析,对比分析长沟槽、短沟槽、矩形、圆柱形4种表面织构对角接触球轴承润滑性能的影响,发现长沟槽形的表面织构对改善角接触球轴承的润滑性能效果最为显著,并进一步分析长沟槽形表面织构结构参数对轴承润滑性能的影响。结果表明:轴承腔内油相体积分数随着沟槽深度和面积率的增大先增大后减小,随着沟槽宽度的增加逐渐增大,存在最佳织构参数使得轴承腔内油相体积分数最大。因此,合理地设计织构参数能有效提高角接触球轴承润滑性能,该研究结果对角接触球轴承表面织构设计具有一定的参考价值。 相似文献
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介绍了研制的连杆凸轮减速器性能试验的方法和结果。对连杆凸轮减速器的承载能力、过载能力、效率、温升、噪声、动态性能、清洁度和工业运行等进行了试验。试验结果表明,该减速器具有承载能力大、传动效率高、运行可靠等优点。指出了试验过程中有待改进的方面。 相似文献
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This paper investigates the capacitance-voltage (C-V) measurement on fully silicided (FUSI) gated metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors and the applicability of MOS capacitor models. When the oxide leakage current of an MOS capacitor is large, two-element parallel or series model cannot be used to obtain its real C-V characteristic. A three-element model simultaneously consisting of parallel conductance and series resistance or a four-element model with further consideration of a series inductance should be used. We employed the threeelement and the four-element models with the help of two-frequency technique to measure the Ni FUSI gated MOS capacitors. The results indicate that the capacitance of the MOS capacitors extracted by the three-element model still shows some frequency dispersion, while that extracted by the four-element model is close to the real capacitance, showing little frequency dispersion. The obtained capacitance can be used to calculate the dielectric thickness with quantum effect correction by NCSU C-V program. We also investigated the influence of MOS capacitor's area on the measurement accuracy. The results indicate that the decrease of capacitor area can reduce the dissipation factor and improve the measurement accuracy. As a result, the frequency dispersion of the measured capacitance is significantly reduced, and real C-V characteristic can be obtained directly by the series model. In addition, this paper investigates the quasi-static C-V measurement and the photonic high-frequency C-V measurement on Ni FUSI metal gated MOS capacitor with a thin leaky oxide. The results indicate that the large tunneling current through the gate oxide significantly perturbs the accurate measurement of the displacement current, which is essential for the quasi-static C-V measurement. On the other hand, the photonic high-frequency C-V measurement can bypass the leakage problem, and get reliable low-frequency C-V characteristic, which can be used to evaluate whether the full silicidation ha 相似文献
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