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861.
霍尔电流传感器中存在的温漂会影响传感器的精度,特别是在极端高温和低温下影响更加明显,这限制了霍尔传感器
应用的场合。 针对该问题本文设计实现了一种适用于霍尔电流传感器的宽温度范围温漂补偿电路。 温漂补偿电路通过将增益
补偿与带隙补偿相结合,在霍尔电压放大电路中采用与霍尔元件形状材料均一致的负载电阻,补偿了霍尔元件的温漂误差;同
时利用带隙基准电路产生的高低温补偿电流实现对放大器电路的尾电流的温度补偿,使得霍尔电流传感器可以在更宽的温度
范围内保持灵敏度稳定。 采用 GF0. 18 μm BiCMOS 工艺制程,仿真验证表明,在 5 V 电源电压下,电路在-40 ℃ ~ 140 ℃的宽温
度范围内,灵敏度温漂误差小于 0. 3%,温漂系数达到 35 ppm/ ℃ 。 相较于其他温度补偿设计,该设计实现了对霍尔传感器高阶
温度误差的补偿,使得霍尔传感器具有更宽的工作温度范围以及更小的温漂误差,且不需要额外的数字处理电路,具有较高的
工程应用价值。 相似文献
862.
863.
提出了一种针对时间交织模数转换器(time interleaved ADC,TI-ADC)通道间失配误差的基于参考通道的后台校准算法。该算法利用参考通道与同采样时刻TI-ADC子通道ADC输出差值估计待校准子ADC的失配误差,然后从系统输出中减之实现自适应误差补偿;为了克服当TI-ADC系统前端不存在单独输入缓冲器时,参考ADC通过输入网络耦合对TI-ADC产生干扰问题,进一步加入随机化技术,减少残余失配误差产生毛刺;该校准系统可以实现3种主要失配误差的同时有效校准,对输入信号带宽没有限制。应用于12位1 GS/s TI-ADC系统,当输入信号频率为470 MHz时,FPGA验证结果表明,校准后无杂散动态范围(SFDR)提升了44.14 dB,达到76.16 dB。 相似文献
864.
865.
866.
金属冶炼是我国工业发展的重要组成部分,金属平衡也是冶炼工厂综合管理的必要环节,是企业实现对金属物料精细化管理的重中之重。金属平衡报表的编制在一定程度上也标志着金属平衡管理的落实,能够帮助金属冶炼企业对生产计划进行合理优化,帮助企业降低生产成本。本文对金属平衡系统在冶炼系统中的设计及实现进行了探究,以供参考。 相似文献
867.
为推动高校“三全育人”工作,探索全员育人、全过程育人和全方位育人新格局,重庆大学虎溪校区结合自身优势,积极探索学生舍区党建工作的新途径和新方法,通过建立“一站两室”工作平台、完善“师生协同”工作机制、开展“五位一体”舍区教育等途径,将思政教育和舍区教育相融合,形成舍区一体化育人格局。经过多年的探索与实践,重庆大学虎溪校区党建进舍区工作取得积极成效,以舍区党团活动室为主阵地的党建工作蓬勃开展,但在舍区党组织架构、党建宣传、舍区党员模范作用发挥、党建工作与舍区教育深度融合方面尚需要进一步探讨。将党建工作深度融入舍区教育中,还需要从学校层面进一步明确校区定位,理顺体制机制,整合育人队伍,明晰工作职责,协同协作、同向同行,形成一体化育人的良好局面。 相似文献
868.
在我国经济快速发展的今天,化工企业的污染问题已经引起了人们的广泛重视,不但对生态环境造成了严重的损害,而且对企业的经济效益也产生了一定的影响。因此,加强对化工企业和其他污染的环境监测是十分必要的。企业和相关的环境监测机构以及第三方机构,都要对环境污染情况进行监测,以保证其在实施过程中能够有效地控制废物、废气等污染物的排放量。基于此,从环境监测的基本内容出发,分析了环境监测对化工等污染企业的重要意义和作用,根据当前环境监测中存在的问题,提出了相应的对策,意在实现对化工企业和其他污染企业进行有效的环境保护治理,实现“绿水青山”的目标。 相似文献
869.
870.
与传统制备防护薄膜的方法相比,等离子体聚合法是一种更高效、干燥和简易的制备方法,可以在各种基底上制备数百纳米厚的致密薄膜涂层。采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法在大面积柔性聚酰亚胺Kapton基底上制备了聚硅氧烷防原子氧薄膜。用SEM、AFM、FTIR和XPS等表征分析了电极间距对聚硅氧烷薄膜性能的影响。结果表明,减小电极间距加速了单体的解离和碳基成分的氧化。随着电极距离的减小,薄膜的沉积速度增大,薄膜从有机无机聚硅氧烷薄膜(SiOxCyHz)向无机薄膜(SiO2)转化。薄膜中高解离能Si-O键的增多,降低了原子氧的侵蚀率。研究结果为用PECVD方法制备其他有机硅功能薄膜奠定了技术基础。 相似文献