全文获取类型
收费全文 | 124篇 |
免费 | 11篇 |
国内免费 | 4篇 |
专业分类
电工技术 | 11篇 |
综合类 | 9篇 |
化学工业 | 12篇 |
金属工艺 | 3篇 |
机械仪表 | 9篇 |
建筑科学 | 13篇 |
矿业工程 | 9篇 |
能源动力 | 4篇 |
轻工业 | 23篇 |
石油天然气 | 3篇 |
无线电 | 15篇 |
一般工业技术 | 13篇 |
冶金工业 | 2篇 |
原子能技术 | 1篇 |
自动化技术 | 12篇 |
出版年
2023年 | 6篇 |
2022年 | 10篇 |
2021年 | 1篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 8篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 6篇 |
2014年 | 8篇 |
2013年 | 7篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 7篇 |
2007年 | 18篇 |
2006年 | 7篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 8篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 4篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 1篇 |
1997年 | 3篇 |
1989年 | 1篇 |
排序方式: 共有139条查询结果,搜索用时 7 毫秒
31.
文章简要介绍了我国盐业现状、品牌与产品的差异,分析了制盐树立名牌的重要性和必要性,阐述了树名牌的条件和途径,最后提出了树名牌的措施。 相似文献
32.
33.
用射频溅射法制备了金属 /半导体 Fex(In2 O3) 1-x 颗粒膜。实验结果表明 :纳米尺度的Fe颗粒比较均匀地分布在非晶态母体In2 O3 中。退火可使In2 O3 晶化。该样品在室温下表现出超顺磁驰豫 ,符合Langevin方程。光学测量表明 :嵌Fe的磁性颗粒膜 ,其电子的带间跃迁由In2 O3 的直接跃迁变为间接跃迁 ,基本吸收边红移 ;随磁性增强 ,局域态尾变宽 ,带隙变窄 相似文献
34.
用射频溅射法制备了金属/半导体Fex(In2O3)1-x颗粒膜。实验结果表明:纳米尺度的Fe颗粒比较均匀地分布在非晶态母体In2O3中。退火可使In2O3晶化。该样品在室温下表现出超顺磁驰豫,符合Langevin方程。光学测量表明:嵌Fe的磁性颗粒膜,其电子的带间跃迁由In2O3的直接跃迁变为间接跃迁,基本吸收边红移;随磁性增强,局域态尾变宽,带隙变窄。 相似文献
35.
36.
37.
Silicon materials compensated by deep level impurities such as nickel and gold have negative temperature coefficient (NTC) characteristics. In this work, n-type silicon wafers are smeared by nickel chloride ethanol solution and gold chloric acid ethanol solution, and subsequently put in the opening environment to heat. The electrical resistance and B-value of the thermistors made by this silicon material are measured and analyzed. When the silicon surface concentration of gold atoms is 2 × 10-6 mol/cm2, the uniformity of the single-crystal silicon material is optimal. When the diffusion temperature is between 900 and 1000 ℃, a material with high B-value and low electrical resistivity is obtained. The B-T and R-T change laws calculated by the theory of semiconductor deep level energy are basically consistent with the experimental results. 相似文献
38.
39.
40.