不同入射角下的激光干扰效果研究

为了研究不同入射角下的激光干扰效果,采用逐步调节光轴指向的方法,对不同入射角下的干扰效果进行了实验研究和理论分析,取得了不同入射角下激光束在探测器上光斑位置、接收能量和光斑形状的数据。结果表明,光斑位置随入射角的增大而线性移动,对于本文中的光电成像系统而言,移动速率为入射角每增加0.1°,光斑偏离探测器中心16个像素;接收能量随入射角的增大而减小,对于本文中视场角为8°的光学系统而言,减小的幅度不超过1%;不同入射角下的激光光斑形状满足空间平移不变性。这一结果对开展激光干扰光电成像系统试验是有帮助的。     

基于物联网的智能物流配送系统设计与实现

针对物流配送的特点,利用GIS、GPS、传感器技术和无线网络通信技术,提出了基于物联网的智能物流配送的系统框架.根据嵌入式设备的存储能力和计算能力有限的特点,动态划分地图区域的思想和矢量栅格存储结构,并对优化的Dijkstra算法及物流配送数据管理功能进行了探讨,减少了内存存储空间,提高查询速度和系统的整体效率.     

基于栏目状态进行播出调度的硬盘播出系统

根据硬盘播出系统在平度广播电视台的应用,探讨分析硬盘播出系统在实际使用时存在的问题和不足。为提高效率,保障新闻类节目的快速制作及准时播出,提出基于栏目状态进行调度的硬盘播出系统。新改进的系统充分发挥了硬盘播出系统的能力和潜力,既可帮客户有效节省设备资源,又可节省节目制作成本,同时也可大幅减少节目播出过程中的人工干预,减轻节目播出人员的值机压力,保障安全播出。     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

硫与烤烟质量相关性试验研究

1990～1991年在河南省宝丰县进行了硫与烤烟质量相关性的试验研究。试验结果表明,土壤有效硫15ppm 左右或烟叶硫0.3%左右,硫的用量3.5kg/亩较为适宜。     

GaN压电效应对载流子浓度的影响

在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变．随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌ测试得到的背景电子浓度增大．本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释．     

GSMBE GaN膜的电子输运性质研究

用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在晶向为（０００１）的α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了非有意掺杂的单晶ＧａＮ外延膜，ＧａＮ膜呈Ｎ型导电，室温时的最高迁移率约为１２０ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），相应的非有意掺杂电子浓度为９．１×１０１７ｃｍ－３．对一些ＧａＮ膜进行了变温Ｈａｌ测试，通过电阻率、背景电子浓度以及Ｈａｌ迁移率随温度的变化研究了ＧａＮ外延膜的导电机理．结果表明，当温度较低时，以电子在施主中心之间的输运导电为主；当温度较高时，以导带中的自由电子导电为主．     

GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究

用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的Ｎ型及Ｐ型载流子浓度范围分别为１．５×１０１６～４．０×１０１９ｃｍ－３及１．０×１０１７～２．０×１０１９ｃｍ－３，基于对Ｎ型Ｓｉ外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，我们用Ｋｌａａｓｓｅｎ模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响．此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，Ｎ、Ｐ型杂质浓度纵向     

以天然石灰石为原料制备高白度片状纳米碳酸钙

以赤峰地区的天然石灰石为原料 ,通过加入添加剂和调整工艺条件 ,制备出了平均厚度 5 0nm、分散性好、白度高、晶型为方解石型的片状纳米碳酸钙     

浅析上隅角大管径预留管治理瓦斯

通过对盘江煤电 (集团 )公司土城矿洒基采区工作面瓦斯涌出量的分析 ,论述了采取大管径预留管治理采煤工作面瓦斯的措施 ,并介绍了采用这种方法在治理采煤工作面瓦斯的效果。