切削制备纳米材料过程的应变与温度预测

大应变切削是制备纳米材料的一种新方法.切削过程中的应变和温度是影响晶粒细化程度的两个重要参数.在DEFORM软件环境下,建立铝合金6061切削过程的有限元模型,通过切削过程的有限元仿真,研究刀具的切削角度、切削用量对大应变切削过程中的材料应变、切削温度的影响规律.研究表明:影响剪切应变的主要因素是刀具前角,前角越小,对应的剪切应变越大;大应变主要集中在剪切区域,即第一变形区;影响切削温度的主要因素是切削速度,在切削速度较低时,切削温度上升速度缓慢,将切削速度由目前20 mm/s提高到100 mm/s,仍然可以使切削温度控制在铝合金6061动态再结晶温度之下,可以大幅度提高制备纳米材料的效率.     

高速精密加工工具系统现状与探讨

综述了新型工具系统的发展过程、特点及应用情况 ,着重分析了HSK工具系统的刚度和承载能力、夹紧力、动平衡、测量技术、材料和热处理等几个关键问题 ,指出了尚待解决的一些重要问题 ,提出了今后研究的途径以及我国开发高速加工工具系统时应采取的策略。     

振动磨的周期运动稳定性与分岔

由于碰撞的存在,振动磨系统的响应呈现出复杂的周期运动或混沌运动。本文将振动磨的模型进行简化,建立一维、两自由度、受简谐激振力作用的振动磨碰撞振动力学模型。基于Poincare映射原理,根据映射Jacobi矩阵分析振动磨周期运动的稳定性,并通过理论分析和数值仿真,研究振动磨周期运动的稳定性与分岔,以及由倍周期分岔通向混沌的过程。     

ZnO纳米棒阵列膜的制备及其光电化学性能研究

采用化学溶液沉积法,在ZnO纳米颗粒膜修饰的FTO导电玻璃基底上,制备了ZnO纳米棒阵列。用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、透射电子显微镜（TEM）对样品进行表征。研究结果表明所制备的ZnO纳米棒为六方纤锌矿相单晶结构,沿c轴择优取向生长,平均直径约为40nm,长度约为900nm;ZnO纳米棒阵列生长致密,取向性较一致。以曙红Y敏化的ZnO纳米棒阵列膜为光阳极制作了染料敏化太阳能电池原型器件,在光照强度为100mW/cm2下,其开路电压为0.418V,短路电流为0.889mA/cm2,总的光电转换效率为0.133%。     

对邮电建筑防火设计标准的探讨

结合工程实例 ,对邮电建筑防火设计标准部分条文进行探讨 ,提出与之不同的观点 ,并给出解决办法 ,供广大电气设计工作者参考指正     

水解锌制备Zn/ZnO纳米结构及其光学性能研究

利用滚压振动磨在干法室温条件下将金属锌制备成尺度约为3~5nm的锌量子点,并使产物与水蒸气在250℃进行化学反应,得到纳米氧化锌或纳米氧化锌与锌的混合物。分别利用能量发射谱仪(EDS)、透射电镜(TEM)对样品成分和形貌进行了表征。结果表明,250℃反应温度下得到的产物具有良好的分散性,其特征是棒状和片状结构共存,而且纳米棒具有显著的沿[011 1]晶向生长的趋势。室温下光致发光(PL)谱显示,在360nm和388nm处有双紫外发射峰,属于激子态发光,双紫外发射峰可能与掺杂能级有关;同时,在496nm处有蓝光发射峰,在515nm处有绿光发射峰,这两种发射属于表面缺陷态发光。对各种发光峰的发光机制进行了讨论。UV-Vis吸收光谱表明,产物在紫外区有很强的紫外吸收,吸收峰出现了蓝移现象,验证了Zn纳米量子点的掺杂形成掺杂能级,也与测得的可见光发射一致。     

寒地城市快速路冰雪路面交通流特性研究

利用视频检测系统采集城市快速路冰雪路面上的交通数据,对城市快速路冰雪路面交通流特性进行了研究;分析了冰雪路面对道路交通安全影响,探讨了城市快速路冰雪路面上车速变化、车头时距分布特性,对比分析了冰雪路面与非冰雪路面上城市快速路交通流量与速度的关系,并建立了冰雪路面快速路交通流量与速度关系模型．研究成果将对寒地城市快速路的运营、管理和评价提供科学依据和数据支持．     

多孔大通量莫来石相碳化硅陶瓷的制备与表征

采用碳化硅作为陶瓷骨料,氧化铝和二氧化硅高温反应生成的莫来石作为陶瓷粘接剂,三氧化二钇作为烧结助剂,羧甲基纤维素钠作为生坯粘接剂,合成石墨作为造孔剂,在二氧化碳气氛下,1 450℃保温2 h,成功制备了以莫来石作粘结相的碳化硅多孔陶瓷,考察了不同莫来石组分对多孔陶瓷的物相组成、抗折强度、孔隙率、微观形貌及通孔孔径分布的影响.结果表明:随着莫来石质量分数的逐渐增加,多孔陶瓷的抗折强度先增加后降低,孔隙率逐渐降低;样品中莫来石的质量分数为25%时多孔陶瓷的性能最佳,其抗折强度为27.81 MPa,孔隙率为38.88%.多孔陶瓷的通孔孔径分布范围为1~8μm,以1~2μm的孔径为主.     

径向对称双裂纹圆柱体扭转问题的应力强度因子K3的解析解

导出了对称多裂纹柱体扭转问题中应力强度因子Ｋ３与抗扭刚度的关系式，利用文献［１］中得到的抗扭刚度的结果，首次以收敛形式给出了径向对称双裂纹圆柱体扭转问题的应力强度因子Ｋ３的解析式。     

a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜界面的研究

<正> 尽管过去几年对非晶半导体多层膜及其界面对多层膜传输性能影响的研究甚多,然而对于界面缺陷态的特性及其密度了解甚少。不同的测量方法得到的a-Si:H/a-SiNx:H界面缺陷态密度可从1010变到1012cm-2。这一实验结果反映了每一测试方法仅能探测某些能级的缺陷,在某些情况下可能是不同类的缺陷。非晶硅系材料都包含有氢。已发现,在多层膜的沉积过程中,由于组成多层膜的子层间应力释放的需要以及两子层材料的氢扩散系数不同而