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采用改进的共沉淀法合成掺杂Al、Mg的LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2系列材料,通过X射线衍射光谱法(XRD)、扫描电子显微镜法(SEM)、伏安法(CV)、充放电测试、交流阻抗等技术对材料进行了表征,比较了掺杂元素(Al、Mg)对电化学性能的影响.在2.8~4.3 V,0.1 C倍率下未掺杂材料的首次放电比容量达171.1 mAh/g,循环10次后为152.2 mAh/g,掺杂Al、Mg后容量有所下降,但循环性能得到改善,前10次容量衰减分别为2.5%、3.3%.采用Voigt模型对交流阻抗谱进行拟合,比较了电解液阻抗、交换膜阻抗和法拉第阻抗的变化,发现10次循环后电荷传递阻抗明显增大. 相似文献
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松口蘑是专一性很强的菌根菌,难以人工培养。不同的培养基对松口蘑菌丝体的生长有明显的影响。本文报道通过松口蘑菌丝得率为指标的实验,确定松口蘑菌丝体液体发酵培养基。结果表明最适培养基为:蔗糖70 g/L、硝酸铵5 g/L、KH2PO41 g/L、MgSO4.7H2O 0.5 g/L和酵母膏8 g/L。 相似文献
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化学氧化聚合法制备聚噻吩及其表征 总被引:1,自引:0,他引:1
在不同温度、浓度、反应时间下通过化学氧化聚合制备不同的聚噻吩样品。用扫描电镜对样品形貌进行了表征,分析不同反应时间、不同试剂浓度下样品的形貌。再通过Raman光谱,XRD,分光光度计等技术进行表征。结果表明,不同的制备条件影响到聚噻吩的形貌及性能,温度的不同对形貌影响较大。通过对吸收光谱的研究可知,随着反应温度的增加,吸收峰值在变大,但光谱吸收范围在变小。浓度对样品的颜色及合成效率都有影响,反应时间超过某一数值时就不再影响聚噻吩的合成。 相似文献
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