全文获取类型
收费全文 | 2396篇 |
免费 | 177篇 |
国内免费 | 87篇 |
专业分类
电工技术 | 191篇 |
综合类 | 219篇 |
化学工业 | 230篇 |
金属工艺 | 73篇 |
机械仪表 | 148篇 |
建筑科学 | 361篇 |
矿业工程 | 134篇 |
能源动力 | 11篇 |
轻工业 | 229篇 |
水利工程 | 88篇 |
石油天然气 | 131篇 |
武器工业 | 27篇 |
无线电 | 275篇 |
一般工业技术 | 197篇 |
冶金工业 | 112篇 |
原子能技术 | 15篇 |
自动化技术 | 219篇 |
出版年
2024年 | 13篇 |
2023年 | 67篇 |
2022年 | 89篇 |
2021年 | 110篇 |
2020年 | 55篇 |
2019年 | 81篇 |
2018年 | 108篇 |
2017年 | 72篇 |
2016年 | 54篇 |
2015年 | 49篇 |
2014年 | 139篇 |
2013年 | 98篇 |
2012年 | 123篇 |
2011年 | 151篇 |
2010年 | 127篇 |
2009年 | 126篇 |
2008年 | 120篇 |
2007年 | 120篇 |
2006年 | 117篇 |
2005年 | 116篇 |
2004年 | 102篇 |
2003年 | 74篇 |
2002年 | 64篇 |
2001年 | 59篇 |
2000年 | 56篇 |
1999年 | 68篇 |
1998年 | 35篇 |
1997年 | 21篇 |
1996年 | 35篇 |
1995年 | 23篇 |
1994年 | 35篇 |
1993年 | 22篇 |
1992年 | 15篇 |
1991年 | 24篇 |
1990年 | 25篇 |
1989年 | 28篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 5篇 |
1980年 | 2篇 |
1978年 | 1篇 |
1977年 | 1篇 |
1960年 | 1篇 |
1958年 | 1篇 |
1954年 | 1篇 |
排序方式: 共有2660条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
叙述了用于驱动家用缝纫机的单相异步机械式离合器电机的基本工作原理、设计构思和结构特点,并给出了试验数据。 相似文献
62.
电力设备检修策略的马尔可夫决策 总被引:6,自引:0,他引:6
建立了基于马尔可夫过程的电力设备老化模型,在此基础上,应用马尔可夫决策方法对设备检修方案进行了优化,分析了不同目标条件下应该采用的优化检修方案。计算结果表明,本文提出的模型可以定量比较不同检修方案对设备的影响,为电力设备检修人员进行检修决策提供了有用的辅助决策工具。 相似文献
63.
为探讨巨厚煤层顶板离层水的致灾机理,以陕西焦坪矿区某矿1418工作面为研究对象,分析其突水特征及突水地质条件,并基于"拱梁平衡理论",对可致灾离层发育层位进行了判别,对离层水发育的周期进行了计算,采用UDEC数值模拟软件,对覆岩离层及导水裂缝带的发育过程进行了模拟。结果表明:可致灾的"空腔型"离层发育在直罗组泥岩和宜君组粗砾岩之间,主关键层破断周期间隔距离为190 m;导水裂缝带发育高度约245 m,导通至洛河组下段砂岩裂隙潜水含水层;顶板离层突水具有动态周期性特点,当"空腔型"离层形成稳定"储水体"后,随着顶板覆岩破坏程度的增加以及主关键层的破断,稳定"储水体"被打破,沿导水裂缝带涌入矿井,造成突水事故;随顶板覆岩的周期性破断,离层突水周期性发生。 相似文献
64.
65.
66.
67.
68.
近年来,随着世界经济的稳步上升,工业化发展变得更加繁荣,对于矿产资源的需求量也逐年提高,而我国西部地区有着大量丰富的矿产资源,对于我国西部地区矿产资源勘查开发与供需形势分析,研究了我国目前对于西部地区的矿产资源开发方式,以及对于西部矿产开发后,使我国的矿业供需情况趋于平衡进行分析。 相似文献
69.
通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线,用金属镁粉末作为掺杂源,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2P3薄膜制备GaN纳米线.X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)和能量弥散X射线谱(EDX)的分析结果表明,采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,纳米线的直径大约在60~100nm之间,纳米线的长约十几个微米.EDX分析表明纳米线掺杂了镁.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现由于镬的掺杂使GaN的发光峰有较大的蓝移.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制. 相似文献
70.
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、傅里叶红外吸收(FTIR)光谱来检测样品的形态,结构和成分,并且讨论了GaN纳米结构的生长机理.研究结果表明,在Cr催化合成GaN纳米结构的过程中,氨化温度对其有重要影响,最佳温度是950℃. 相似文献