深科技城A座框架-核心筒超高层结构设计

针对深科技城A座超高层结构存在扭转不规则、楼板不连续、承载力突变、其他不规则超限项,结构进行风洞试验与规范风荷载作用下对比分析,并对其进行多遇地震、设防地震及罕遇地震作用下抗震性能化设计,采用动力弹塑性的方法对结构进行罕遇地震分析。计算结果表明,多遇地震、设防地震和罕遇作用下,构件满足预定的性能目标要求,对结构薄弱部位采取抗震加强措施。     

p-GaN与ITO欧姆接触的研究

针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电阻,降低LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度。将ITO薄膜应用于218μm×363μm GaN基发光二极管LED,分析其在20 mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化,在优化条件下制得的蓝光LED在直流电流20 mA下的正向电压3.23 V,光输出效率为23.25 mW。     

GaAs垂直结构PIN二极管限幅器

基于垂直结构GaAs PIN二极管的工艺技术开发,在GaAs PHEMT生产线上开发研制了GaAs PIN二极管限幅器单片集成电路.针对不同频段的单片电路采用了不同的材料结构参数设计.工艺中采用先进的深挖槽技术,严格控制横向钻蚀问题,制作出了限幅水平40 mW、最大承受功率5 W的多个频段GaAs限幅器单片电路,成品率达到95%以上.GaAs垂直结构PIN二极管工艺对GaAs PIN二极管大功率开关、限幅器等GaAs MMIC的发展具有重大意义.     

高良姜中4种黄酮化合物的体外抗氧化能力及抑菌活性研究

从高良姜中提取纯化得到高良姜素、山奈素、山奈酚和槲皮素,以该4种黄酮化合物为原料,对比分析其抗氧化活性,及其对6种食源性腐败菌的抑制作用。结果表明,在抗氧化方面,槲皮素表现出较好的抗氧化活性,山奈酚和山奈素次之,高良姜素最低,但高良姜素在ABTS自由基清除试验中活性与山奈酚和山奈素相似。在抑菌方面,金黄色葡萄球菌对4种黄酮化合物较为敏感,其中枯草芽孢杆菌和金黄色葡萄球菌对槲皮素较为敏感(MIC值分别为1.25,2.50mg/mL,MBC值均为2.5mg/mL);大肠杆菌、白色念珠菌、黑曲霉和绿脓杆菌对4种化合物敏感性低,抑菌活性均不明显。     

浅析城市多样性策略在中国的可行性

中国正处于高速城市化发展的进程,但过快的城市化发展也造成了城市多样性的缺失。文中通过对简雅各布所写的《美国大城市的死与生》中所提出的实现城市多样性的策略进行阐述和分析,结合中国城市的实际状况,分析其策略在中国城市的可行性。     

溅射时间对AZO薄膜结构以及光电性能的影响

应用直流磁控溅射在石英玻璃上生长AZO薄膜,利用X射线双晶衍射(XRD)、四探针以及可见光分光光度计,对薄膜结构特性、光学以及电学特性进行了分析,并讨论了溅射时间对薄膜晶体结构、膜厚、方块电阻以及透过率的影响。针对AZO在LED中作为电流扩展层的应用,利用光学模拟软件TFCalc对AZO以及SiO2构成的双层膜的透过率进行了模拟,用溅射和PECVD分别生长AZO以及SiO2薄膜加以验证。通过适当的调节薄膜厚度,可使透光率在可见光波段有整体上的提升。