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挤压膜悬浮导轨的悬浮特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
运用数值解法对自由悬浮体挤压膜悬浮导轨进行理论分析,其数值结果适用于各种大小的挤压数和激振振幅,与实验结果更加贴近。研究2种激振模式即刚体模态激振和弯曲波激振下的自由悬浮块数学模型,运用数值方法计算气膜特性,得到2种激励下的气膜特性。结果表明:采用弯曲波激振模式能得到更好的承载力和气膜稳定性;对于弯曲波激振模型,由于波传递的影响,悬浮体可能发生偏转或不稳定,可依靠提高频率和减小波幅值来提高悬浮精度,采用轴对称模型,或用2个波长以上的波支撑悬浮体来克服悬浮体的偏转。 相似文献
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首先感谢感谢组织召开此次会议的相关单位,其次我要感谢在此次日本大地震中,对我们伸出援手的中国人民。今天,由于时间限制,我只讲一下我对防火技术的想法及在日本的一些概念。 相似文献
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<正> 故障位置检测海底电缆的故障位置是由设置在地面电缆房的故障位置测定器探测。故障形式多种多样,有中继器故障、电缆切断故障、外导体环形破裂故障和由绝缘体龟裂而引起绝缘劣化等故障,而且其程度也大不相同。为此,必须准备几种方法不同的测定仪器,根据测试 相似文献
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2005年底索尼发布了一款高速存储器,它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写入次数等特性。该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列,写入时间为2ns。如果再进一步提高集成度,可替代45nm以下工艺的SRAM、DRAM等非易失性存储器。索尼的这款存储器属于MRAM的一种。几年前,当MRAM刚上市时,业内就对它充满期待。但是随着研究的深入,很多难题不断出现。MRAM渐渐被视为特定市场的特定部件。索尼发布的这款存储器使MRAM回归到主流存储器的轨道上,甚至很可能发展成为终极存储器。除索尼外,美国Grandis、瑞萨科技、日本… 相似文献
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2005年底索尼发布了一款高速存储器,它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写入次数等特性.该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列,写入时间为2ns.如果再进一步提高集成度,可替代45nm以下工艺的SRAM、DRAM等非易失性存储器. 相似文献