1.25～3.125 Gb/s连续数据速率CDR设计

设计了一款工作速率为1.25～3.125 Gb/s的连续可调时钟数据恢复(CDR)电路,可以满足多种通信标准的设计需求.CDR采用相位插值型双环路结构,使系统可以根据应用需求对抖动抑制和相位跟踪能力独立进行优化.针对低功耗和低噪声的需求,提出一种新型半速率采样判决电路,利用电流共享和节点电容充放电技术,数据速率为3.125 Gb/s时,仅需要消耗50 μA电流.芯片采用0.13 μm工艺流片验证,面积0.42 m㎡,功耗98 mw,测试结果表明,时钟数据恢复电路接收PRBS7序列时,误码率小于10-12.     

三星编队干涉SAR测高的星间相位同步链路设计

对于三星编队干涉合成孔径雷达(SAR)地形测高,文中利用精确的Hill方程对卫星相对轨道和星间基线进行定量分析。首先,根据沿航向基线和垂直航向基线的约束确定三星编队,并同时干涉测高的工作区间;然后,根据喇叭波束宽度和三星的相对位置关系,正确切换相位同步喇叭,建立主星和两颗副星间相位同步链路,以获取两颗副星SAR成像所需的相位同步信息。其结论可为多星编队干涉SAR系统设计提供有益参考。     

牡丹江城区段江道造床流量的探讨

对造床起主导作用的造床流量是在多年径流过程中发生机率较多，历时较长的中等流量。     

基于GSM现网覆盖水平的TD-SCDMA无线网覆盖指标

在TD-SCDMA无线系统室外宏基站规划仿真中,PCCPCHRSCP的覆盖门限和覆盖率指标是关键的终止条件。本文将围绕TD-SCDMA无线网达到GSM系统相同覆盖水平这一建网目标,提出了一种参照现网2G覆盖水平,依据2G路测数据,计算PCCPCHRSCP的覆盖门限和覆盖率取值的方法,并结合GSM现网情况,计算出了PCCPCHRSCP覆盖率指标参考值。     

微透镜阵列的制作及其在光场成像中应用的研究进展

文章综述了微透镜阵列制备技术的最新研究进展,并将这些制备方法分为直接法和间接法进行了对比分析。回顾了微透镜在光场成像应用中的研究进展,指出目前该领域的研究重点是光场相机设计的新思路及提高分辨率的相应模型算法。     

自造时代大幕开启

整个生产制造系统的思维逻辑开始发生偏转,由“产品导向”变为“用户导向”,由“产品价值”过渡到“过程价值”,由“大规模生产”转向“个性化定制”,由注重单一的“交易”变为照顾全过程的“体验”。     

浅析软件无线电技术在现代通信系统中的应用

简单概括了软件无线电概念与组合的构成,并简要说明其在通行系统中的作用及其功能。如今科技发展迅速,无线电技术与软件结合成为新兴通讯的发展趋势,并运用于各个领域。而我国无线电发展仍然处于初期发展,并不完全成熟,更好地发展无线电技术,并灵巧的运用于各个领域将是今后无线电技术发展的方向,而新兴发展的无线电技术也将为通讯系统未来的发展做出贡献。     

高清时代的电视环绕声（下）

在上期《高清时代的电视环绕声》中,我们对适合环绕声的节目类型,以及前期制作和传输中的新要求、新内容等进行了探讨。本期我们将对后期制作,以及在环绕声制作中需要注意的问题进行介绍。     

A low power 3.125 Gbps CMOS analog equalizer for serial links

A CMOS analog equalizer is designed to meet the different high speed communication specifications,such as USB 2.0,PCI-E and rapid IO.The proposed circuit architecture could facilitate the wide frequency scale ranging from 1 to 3.125 Gbps by adjusting the locations of pole and zero,so that the circuit can change its response accordingly as the channel characteristic alters.In order to balance the parasitic capacitors in the internal point,symmetric switches are addressed to generate the equal load for dif...     

升华法生长AlN体单晶初探

研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象.