浅议防止工程建设挂靠现象的对策

工程建设挂靠现象的存在有着深刻的社会原因和复杂的经济背景,其产生、发展和消亡有一个历史发展的过程,目前总的来讲是弊大于利,失大于得。本文从工程建设挂靠现象的特征及其表现形式入手,分析其产生及危害性,提出了工程建设挂靠防范措施。     

荷能团簇碰撞沉积装置中飞行时间质谱仪的物理设计

介绍了荷能团簇飞行时间质谱仪的原理及其在荷能团簇碰撞沉积装置中的物理设计。对实验中出现的若干问题进行了探讨,并提出了解决的措施。     

GaN基稀磁半导体的离子注入研究动态

离子注入掺Mn的GaN基稀磁半导体,由于具有高于室温的居里温度及一系列独特性质而受到广泛重视.综述了GaN基稀磁半导体离子注入的近期研究成果,讨论了能量、剂量、温度、束流、退火条件等因素对GaMnN结构和性能的影响,并对GaMnN中铁磁性的起源,就理论和实验两方面的结果作了讨论.     

小断面竖井衬砌混凝土提升滑模施工技术

斐济群岛共和国南德瑞瓦图(Nadarivatu)水电站工程引水系统调压井高约90m、内径2.5m(开挖直径3.3m),永久结构采用混凝土衬砌。断面小、工期紧使得混凝土衬砌施工难度加大,为确保工程质量及施工进度,本工程在施工中针对工程特点设计了专用于小断面竖井衬砌混凝土施工的提升滑模系统,并取得了成功。本文详细介绍     

300mm硅片精密化学机械抛光机几何参数优化(英文)

对于评价用于极大规模集成电路(ULSI)生产的300 mm硅抛光片的表面质量,需要关注两个关键参数即:SFQR和GBIR。在中国电子科技集团第四十五研究所研发的中国第一台最终化学精密抛光机的验证过程中,我们发现为了提高硅片表面的几何参数,必须监控抛光前硅片的形貌,并根据不同的硅片表面形貌来改变抛光头的区域压力。通过深入分析抛光前硅片的表面形貌,我们发现当硅片形貌为凹陷形状时,抛光后的硅片表面将严重恶化。由此,根据每个硅片不同的形貌,我们用特殊设计的抛光头来调整背压的区域分布,然后再进行抛光。最终,经过抛光头区域压力调整后的硅片几何参数比调整前得到了大幅提升,并已经能够满足我们的产品指标并可以用于生产。     

基于QoS的动态组播路由算法

在分析了网络中基于QoS的组播路由问题的基础上,本文提出了一种新的动态算法,并进行了实验和分析,文中构造的路由方案成功地解决了当网络中存在多个组播及组播节点动态变化情况下的QoS路由选择问题,此方案不仅保证了带宽,端到端延时和延时抖动,优化了路由树的代价,而且有效地控制了算法的复杂性并可适用于大规模的网络中。     

连铸法生产高性能焊料

利用一套具备真空 /气氛保护、均质搅拌、小型精密等特点的精密连铸设备 ,生产适合于电子、机械、航空、航天等行业用的贵金属钎料、特种铝焊丝 (铝锂合金焊丝 )、脆性焊料及易偏析焊料。采用该技术制备的焊料具有超纯净 (气体和杂质含量低 )、高均质化、微量元素准确控制等优点     

半导体硅材料专利专题数据库建设——积极有效应对知识产权问题的有益尝试

一,建立硅材料专利专题数据库的重要性 1．硅材料专利专题数据库的建设可有效降低企业知识产权风险 目前,世界半导体产品中95％以上是用硅做的,硅材料的发展对于推进我国新材料领域技术创新具有重要引领作用。硅材料是半导体产业赖以生存的基础材料,半导体技术的迅猛发展是建立在占半导体材料95％的硅材料基础上的。     

Ag/Cu离子先后注入形成合金和核壳结构纳米颗粒

具有核壳结构的纳米颗粒由于它独特的性质已经成为目前材料科学研究的热点.本文介绍用离子注入并退火的方法制备核壳结构的纳米颗粒.Ag/Cu离子以13的剂量比先后注入到非晶SiO2中形成了Ag-Cu合金纳米颗粒.当样品在还原气氛中600℃退火后,光学吸收谱在400nm附近出现了一个新峰,透射电子显微镜(TEM)观察发现纳米颗粒中心出现亮的衬度,相应的选区电子衍射(SAED)出现了两套斑点,因而形成了Ag-Cu合金核Cu壳纳米颗粒.用Mie理论模拟了核壳结构光学吸收谱,其结果与实验符合较好.     

Ag离子注入石英玻璃光学透射率研究

用Mevva离子源,将Ag离子注入到石英玻璃中形成纳米晶粒。离子注入的能量为90keV,剂量分别为5×1015、1×1016、3×1016、5×1016、1×1017ions/cm2。X光电子能谱(XPS)分析纳米Ag颗粒没有发生化学反应,说明Ag仍以金属态形式存在。光学透射率测试表明,吸收峰的位置在400nm,当剂量大于5×1016ions/cm2时,发现在440nm左右有一伴峰。分析表明400nm的峰来源于表面等离子体共振吸收,而440nm的伴峰是注入离子形成了少数非常大的纳米颗粒以及纳米颗粒之间相互作用引起的。样品退火后,表面等离子体共振吸收峰红移,而伴峰消失。随着退火的温度升高,峰位红移越大,说明纳米颗粒尺寸增大。