水剂法制油和饲用菜籽浓缩蛋白中试

本工艺有效地脱除了菜籽中的硫葡萄糖甙、单宁、芥子碱、水苏糖、棉子糖和皂甙等抗营养因子,防止了硫葡萄糖甙降解成异硫氰酸盐、硫氰酸盐、噁唑烷硫酮和腈类毒性物质对油脂、蛋白质和环境的污染,同时还有效地防止了菜籽蛋白质热劣变。因此,制得的菜籽油含硫量低,有利于加工开发利用,生产的饲用菜籽浓缩蛋白,通过养鸡试验,不仅可以代替豆饼,蚕蛹,而且也可以完全代替鸡日粮中的进口鱼粉。     

影响空拉管壁厚变化因素的研究

研究表明,影响空拉管壁厚度化的因素应是管坯的径厚比(D_H/S_H)及相对拉伸应力K(δ拉/β_(σ_s)~-)。在实际生产条件下考虑两者联合影响所得到的临界系数D_H/S_H≈3.6—7.6,突破了多年来人们所沿用的影响因素只有D_H/S_H及临界系数D_H/S_H=5—6的论断。同时,从理论与实践两个方面研究了诸如材质、道次变形量、拉伸道次、润滑、拉速及模子参数等工艺条件对空拉管壁厚变化的影响。结果表明,它们是通过改变K值而起作用的。     

重金属对大肠杆菌生长繁殖的影响研究

汞、镉、铅、砷、铬等是工业废物中常见的重金属。本论文采用琼脂扩散法,寻求对大肠杆生长繁殖无影响的重金属界点浓度,以此为大肠杆菌的重金属的抗性、浓缩研究及大肠杆菌的驯化及其生物治理应用等方面的深入探讨提供实验依据。     

苯甲酸钠的缓蚀性与其浓度和溶液pH值的关系

本文叙述了采用时间-电位曲线法,动态恒电位极化曲线法研究苯甲酸钠在中性和碱性介质中对10#碳钢的缓蚀行为.实验结果表明:苯甲酸钠浓度小于0.15～0.40M (2.16～5.76%) 时,存在一个危险的pH值范围,它随着苯甲酸钠浓度的增大而缩小,最后以至消失.不同的pH值,对应着不同的临界缓蚀浓度. 上述结果还为失重法和静态潮湿试验法所证实.     

装配的语义网络建模其在DFA中的应用

作为现代先进制造技术的研究热点，并行工程的根本点是产品及其过程的并行设计。本文对并行工程下的产品设计方法即面向制造，装配的设计、特别是面向装配的设计进行了研究，总结了ＤＦＡ的一般原则，提出了适用于ＤＦＡ的产品装配结构的语义网络模型及其描述语言，即功能描述语言，并通过实例说明了这种模型在ＤＦＡ中的具体应用。     

关于管道吹洗的计算问题

新安装的锅炉机组,为了保证设备的安全运行要进行汽、水管道的冲洗与吹洗,以便将残留于管道中的异物排除。由于汽机本体动静间隙小、转速高,异物进入通流部分将使转子受伤以致造成严重损失。因此锅炉蒸汽管道与主蒸汽管道的吹洗更为重要。怎样才能达到吹洗效果,在目前还是个有待于深入研究的项目。其中有理论问题也     

除草剂—稗草稀药效试验总结

稗草是稻田主要杂草之一。它具有生长迅速,根系发达,分蘖多,生育周期短,结籽多,生命力强的特点。与水稻争夺养料,水份和阳光非常厉害。我区稻田普遍有稗草危害,特别是田多人少的地区,稻田草害更为严重。例如武呜县双桥公社镇南大队第五生产队,七年对早稻田间调查,最高密度为每平方只有稗草一百五十八株。据国外研究报导,稻田中每九蔸禾苗有一株稗草危害减产百分之二十左右;每平方米有五十株杂草,从土址的总营养中     

WF-1型微分测速仪——种新型的高压开关测速工具

一、前言随着电力系统的发展,高压开关的各项性能也在不断提高。以高压少油开关来说,早期产品开断电流一般不超过20千安,分、合闸速度一般在1.5～3.0米/秒范围。近代的高压少油开关开断电流一般都在20千安以上,分、合闸速度提高到5～8米/秒,最大的可达20米/秒。开关的动作速度提高了,如何准确地测出开关的瞬时速度,是当前速度测量技术的新课题。目前广泛使用的测速工具是电磁振荡器和滑块测速器。这两种测速器结构简单,使     

热轧厂出炉C辊道传动控制系统设计

介绍了热轧厂出炉C辊道原直流传动系统的概况,并分析了该直流传动系统存在的问题。讨论了辊道传动系统的特点和辊道调速控制系统的要求。根据改造要求,设计了辊道U/f交流变频调速传动系统和PLC控制系统,并给出了控制软件流程图。与原直流传动系统相比较,此设计方案可以较大程度地提高系统运行水平,能够满足热轧厂整体技术水平发展的需要。     

脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能

采用脉冲激光沉积（PLD）方法在Si（100）基底上制备了有效氧化层厚度为8．6nm，介电常数为29．3的HfO2薄膜．借助C射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、高分辨透射电镜（HRTEM）分析了样品的微观结构，对电容的C-V与I-V电学特性进行了测试。实验结果表明，该方法制得的HfO2薄膜表面光滑，N2500℃下退火30mm后样品表面粗糙度由0．203nm变为0．498nm，薄膜由非晶转变为简单正交结构，界面层得到有效控制，该栅介质电容具有良好的C-V特性，较低的漏电流密度（4．3×10^-7A/cm^2，@-1V），是SiO2栅介质的理想替代物．