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为了探究单光子雪崩二极管(SPAD)器件的保护环宽度(WGR)对暗计数噪声的影响,基于标准180 nm CMOS工艺,设计了以低浓度掺杂深n阱(DNW)为保护环的p阱(PW)/DNW结构,通过实验和TCAD仿真研究了WGR对暗计数噪声的影响。实验结果表明,当WGR从1μm增加到2μm时,室温下SPAD器件的暗计数率(DCR)从79 kHz显著减小到17 kHz;当WGR从2μm增加到3μm时,DCR不再发生明显变化。TCAD仿真揭示了当WGR从2μm减小到1μm时,保护环区域的电场强度增长较大,导致缺陷辅助隧穿(TAT)效应引起的暗计数显著增加。当WGR增加到2μm以上时,保护环区域的电场强度不再降低,继续增大WGR对降低DCR不再有效,反而会导致SPAD器件填充因子减小。因此DNW WGR为2μm的SPAD器件在具有低暗计数率的同时又有较小的尺寸,有利于高密度阵列的集成。 相似文献
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应用型高校主要目标是培养从事服务经济社会发展、具有延展性的应用型人才,并开展社会发展与科技应用方面的研究.目前的课程结构体系大多是学科知识的课程体系,不符合应用型课程建设的标准.基于工作过程系统化的课程体系更注重学生应用能力的提升,更注重学生做学融合,提升分析问题解决问题的能力.因此,该文结合目前课程建设中存在的问题,... 相似文献
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