磁控溅射ITO薄膜的退火处理

采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO(Indium tin oxide)薄膜,并在真空中不同温度(100℃~400℃)下退火处理.研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响.XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶,优选晶向为(222).随退火温度升高,方块电阻迅速下降,表面更加平整,薄膜在可见光范围平均透过率提高到85%.     

机载系统的功能研制保证等级验证方法

为保证机载系统研制过程中人为分配的功能研制保证等级是合理的,提出一种机载系统功能研制保证等级的验证方法.考虑不同架构设计对系统功能研制保证等级分配的影响,结合模型驱动和形式化方法,研究系统的功能研制保证等级与安全标准的一致性,通过实例验证了该方法能够自动分析和检验系统的功能研制保证等级分配的合理性,提高系统安全性.