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81.
合成GaN粗晶体棒的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。  相似文献   
82.
从双波长激光运转及和频的机理出发,研制了LD泵浦NdYVO4晶体、LBO腔内和频593.5 nm连续黄光激光器激光反射镜的光学薄膜.为了达到最佳的和频输出,对膜系要求进行了分析,采用对谐振腔一端面反射率固定不变,对另一腔镜基频光透过率进行调谐的方法,给出合理初始结构后,利用计算机对膜厚进行优化,采用离子束溅射和离子束辅助沉积的方法,通过时间监控膜厚成功地制备出全介质激光反射膜.在室温下,实现1 064 nm和1 342 nm双波长连续运转,并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频实现593.5 nm黄色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.8 W时,和频黄激光最大输出达85 mW,光-光转换效率为4.7%,功率稳定性24 h内优于±2.8%.  相似文献   
83.
聚合物、交联聚合物、凝胶等含水样品水化分子形态呈链状、线团状及网状等结构,这些样品由于有大量水的存在,不能用普通扫描电镜直接观察,而干燥后的样品又容易导致聚合物分子缩聚。本文介绍利用环境扫描电镜,简单有效的观察聚合物、凝胶等含水样品的水化分子微观形态的实验方法。  相似文献   
84.
市场与政策法规概述本文考察了印度卫星转发器容量的供求现状,以及这一状况如何受到印度现有政策法规环境的影响,其现有相关政策法规要求印度国内服务提供商(即从印度上行并在印度有确定的覆盖区)使用印度本国的Insat卫星。同时,印度政府部门也受到各种新的压力,要求对来自印度  相似文献   
85.
本文介绍了中央电视台索契冬奥会转播时,为实现索契前方内部独立制作以及前方和北京后方联合制作播出,建立的一套基于网络化、全台范围的专业通话系统。该系统不仅满足了前方IBC内各域的通话需求,还解决了索契前方和北京后方跨域的实时通话需求,实现了全台紧耦合的专业通话系统的设计和使用,为外场专业通话系统的设计和建设提供了行之有效的解决方案。  相似文献   
86.
应用自发布里渊散射模型和受激布里渊散射模型,在1550nm通信窗口,分别对短距离和长距离普通单模光纤中的布里渊散射阈值进行了研究.对于短距离传输,分析了自发布里渊阈值增益系数与光纤数值孔径以及有效长度的依赖关系.  相似文献   
87.
基于GoogLeNet Inception V3的迁移学习研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着人工智能的再度崛起,使用深度学习模型进行图像分类的方法得到了广泛关注。针对典型深度卷积神经网络模型是在大型数据库和大算力的基础上进行训练得到的,但普通机器学习工作者很难拿到如此规模的数据集和算力现象,本文在GoogLeNet Inception V3深度学习模型的基础上,对GoogLeNet的特征提取模块进行迁移学习来训练特定的模型进行图像分类。实验结果表明,在硬件和数据集相对不足的条件下,采用迁移学习的策略可以高效地实现目标检测。  相似文献   
88.
报道了实验中发现的可饱和吸收被动调Q晶体Cr:YAG的调Q锁模现象,在插入不同透过率的Cr:YAG片以及注入不同的泵浦电流时,得到了不同的调Q锁模输出波形,并对这一现象作了初步的讨论,总结出一些规律。  相似文献   
89.
氮化镓薄膜的研究进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
主要讨论了Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题,并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景。  相似文献   
90.
随着经济的发展和科技的进步,计算机网络已广泛的应用于社会各界的生产和生活中。建设高效可靠的计算机网络,增强计算机的可靠性是当今社会经济发展的迫切要求。本文简单阐述了计算机网络可靠性的概念,计算机网络可靠性的原则、影响因素以及提升计算机网络可靠性的方法,具有深远的意义。  相似文献   
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