硅纳米线的制备技术

硅纳米线作为一种新型的一维纳米材料,在纳米电子器件、光电器件及集成电路方面具有很好的应用前景.介绍了硅纳米线在制备方面的国内外研究现状与进展,重点讨论了基于金属催化气-液-固(VLS)生长机理、氧化物辅助生长机理的硅纳米线制备及模板法等制备硅纳米线的研究成果、特点及生长机理.与金属催化VLS生长机理相比,氧化物辅助生长硅纳米线不需要金属催化剂,能避免金属污染,保证了硅纳米线的纯度,因而是今后深入研究的方向.     

纳米碳材料场发射特性研究进展

碳纳米结构材料如纳米碳管、纳米金刚石、纳米碳纤维都具有良好的场电子发射性能,它们低的发射阈值和高发射电流密度极具应用潜力。该文对这几种碳纳米结构材料的场发射特性的研究进展进行了评述,着重讨论了影响场发射材料的性能指标,并讨论了研究中存在的问题。     

纳米硅管的掺杂

掺杂可以提高纳米硅管的高温稳定性及物理性能,从而制备出实用的纳米硅管基电子器件.系统地论述了钴、铁、锰、镍、铍、硼及磷等元素在掺杂纳米硅管方面的理论研究现状与进展.     

水热条件对锗酸铜纳米线花形成的影响

分析了水热温度、保温时间对锗酸铜纳米线花形成的影响。结果表明水热温度对锗酸铜纳米线花的形成有着重要作用。保温时间为1 h时,随着水热温度降低至200℃,纳米线的直径增加,样品中的单斜锗酸铜晶相消失,由纯斜方结构的锗酸铜晶相构成。250℃时,随着保温时间增加,锗酸铜纳米线花中的纳米线直径、长度均有所增加,保温时间增至6 h后,样品为自由分布的锗酸铜纳米线。     

多孔硅研究的回顾与展望

回顾了多孔硅的研究历史、制备方法、形成机理以及发光机理的研究现状,同时对多孔硅的发展作了展望．     

硅纳米线的合成及表征

目前已通过气-液-固生长机理及氧化物辅助生长等机理合成了大量硅纳米线,电镜、能量色散X射线分析、X射线光电子能谱、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱、I-V测量、光致发光、场发射、电子输运测量等是表征硅纳米线的有效手段,介绍了硅纳米线在合成及表征方面的最新进展,并对其发展做了展望.     

水热法及溶剂热合成法制备Ⅳ族一维无机纳米材料

一维纳米材料由于具有优异性能成为了近年的研究热点之一，水热法及溶剂热合成法是近年来发展起来的合成一维纳米材料的有效方法。评述了近年来这两种方法在合成Ⅳ族一维无机纳米材料方面的研究现状与最新进展，重点介绍了水热法合成碳纳米管和纳米丝以及溶剂热合成法合成硅、锗纳米线等一维无机纳米材料的进展情况。最后比较了这两种方法的优缺点并对其发展作了展望。     

锗纳米线的制备与生长机理

介绍了锗纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展，主要对溶剂热合成法、化学气相沉积（CVD）法、模板法和激光烧蚀法等制备方法和金属催化气-液-固（VLS）生长机理、氧化物辅助生长机理等作了较为详尽的论述。     

一维硅纳米材料形貌的研究

一维硅纳米材料是重要的纳米电子器件材料,由于其形貌不同,导致的电学等特性也不相同,因此一维硅纳米材料的形貌是重要的研究内容之一.一维硅纳米结构包括纳米线、纳米带及纳米管等,同种一维硅纳米材料由于制备方法不同其形貌也不相同.评述了一维硅纳米材料的形貌及其制备方法.     

自组生长碳纳米管的合成及其稳定性

本文介绍了自组生长硅纳米管的制备，并采用5wt％的HF酸对其稳定性进行了研究。HF酸可去除自组生跃硅纳米管的氧化物外层，只剩下晶体硅纳米管。这说明制备的砗纳米管是一种稳定结构，因而对其应用研究开发成为可能。研究表明，硅纳米管的稳定性与其形成生长过程密切相关。自组生长硅纳米管在纳米器件及场发射甚示屏等方面具有广泛的应用前景。