球磨助剂对氧化铝粉末细度及90氧化铝陶瓷烧结温度的影响

本文以十二烷基苯磺酸钠、OP-10和吐温80作为氧化铝粉末中的球磨助剂，探讨了不同球磨助剂及其用量对氧化铝粉末的球磨效率及对90氧化铝陶瓷烧结温度的影响。结果表明，阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠的助磨效果最佳，OP-10次之，吐温作用不大。球磨助剂通过分散、润滑、劈裂等作用强化了球磨效果，可缩短球磨时间，并提高了球磨物料的细度，使氧化铝粉体的烧结活性增强。在相同的工艺条件下，加入球磨助剂可使90氧化铝陶瓷的烧结温度降低60℃以上。     

一维SiC纳米材料的研究现状

对SiC纳米棒、纳米线、纳米管、纳米带等一维SiC纳米材料的研究现状进行了综述,并提出了此类材料的研究方向. SiC;纳米棒;纳米线;纳米管;研究现状     

流动催化法制备碳纳米纤维工艺的研究进展

流动催化法是最有潜力实现碳纳米纤维工业化的生产方法。重点综述了在制备过程中温度、催化剂、载气及促进剂等因素对碳纳米纤维生长影响的研究进展,提出了综合优化各个反应参数的新思路以及该方法的未来发展方向。     

硅纳米线的制备与生长机理

硅纳米线是一种新型的一维半导体光电材料.本文较系统地介绍了硅纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展,主要就激光烧蚀法、化学气相沉积法、热气相沉积法及溶液法等制备方法和基于气-液-固机理的生长机理、氧化物辅助生长机理及固-液-固生长机理等作了较为详尽的论述.     

硅纳米管的理论及制备研究进展

硅纳米管在晶体管等纳米电子器件、传感器、场发射显示器件、纳米磁性器件及光电器件、储氢及电化学等领域有着广阔的应用前景.综述了近年来硅纳米管在储氢能力、热稳定性、量子限制行为及力学性能等理论方面的研究成果,以及采用水热法、模板法、电化学溶液沉积过程、化学气相沉积法、热蒸发、电弧法及激光烧蚀等方法制备单晶、多晶及非晶硅纳米管的最新研究进展,并提出了硅纳米管可能的研究方向.     

硅纳米线的表征、性能及应用

硅纳米线是近年来发展起来的一种新型的纳米半导体材料.电镜、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、能量色散X射线分析(EDS)等方法是表征硅纳米线的有效手段,由于硅纳米线具有特殊的光致发光、场发射、电子输运等性能,可以实现在纳米传感器等多种纳米电子器件及合成其它纳米材料的模板方面的应用.本文综述了硅纳米线的表征、性能及应用的最新进展.     

一维硅锗纳米复合材料的制备及在场效应晶体管中的应用

一维硅锗纳米复合材料，主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管，具有优异的电学、光学等性能，易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容，所以在纳米器件等领域得到了广泛重视。总结了一维硅锗纳米复合材料的研究现状和相关的制备方法，重点评述了在纳米场效应晶体管中的应用，并对其研究前景做了展望。     

硅纳米线的掺杂工艺与检测

掺杂硅纳米线有可能成为一种重要的硅纳米电子器件材料。因而,硅纳米线的掺杂工艺与检测很重要。半导体的掺杂工艺主要为扩散法,而硅纳米半导体线的掺杂检测方法主要包括电流-电压法、拉曼光谱、光致发光(PL)光谱、X-射线光电子能谱(XPS)及近边X-射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)等。该文介绍了可引入到硅纳米线研究的现有半导体的掺杂工艺及检测方法,并就硅纳米线的掺杂工艺及检测的最新进展做作了详细的讨论。     

硅纳米管的水热法合成与表征

采用水热法成功合成了新型的硅纳米管一维纳米材料,并采用透射电子显微镜、选区电子衍射分析、能量色散光谱及高分辨透射电子显微镜对合成的硅纳米管进行了表征.研究表明硅纳米管是一种多壁纳米管,为立方金刚石结构,生长顶端呈半圆形的闭合结构,由内部为数纳米的中空结构,中部为晶面间距约0.31nm的晶体硅壁层,最外层为低于2nm的无定形二氧化硅等三部分组成.     

表面活性剂在合成金纳米晶溶胶中的应用

综述了表面活性剂在合成金纳米晶溶胶中应用的最新进展,主要就十二烷基硫酸钠(SDS)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、硫醇类物质及十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)等表面活性剂作了较详细地讨论.