堆浸工艺中浸润面的非线性问题牛顿迭代方法

为了研究堆浸工艺的机理,用牛顿迭代公式寻求浸润面的非线性方程的数值解,经过14次迭代的误差达到了,说明此算法收敛有效.     

125I籽源照射对壳聚糖涂层的聚乙丙交酯载体支架体外降解性能的影响

研究125I籽源持续低剂量率照射对壳聚糖涂层的聚乙丙交酯(Poly(glycolide-co-lactide),PGLA)薄层支架体外降解性能的影响。在离体条件下,模拟人体环境采用磷酸盐缓冲液(Phosphatebufferedsolution,PBS)作为降解介质,125I籽源单粒表观活度为29.6MBq,在薄层支架中5粒125I籽源按一定规律排布。采用质量损耗、弹性回复率测试和扫描电镜观察等方法来评价PGLA薄层支架的体外降解性能。照射后第2周,PGLA薄层支架的质量损耗仅减少了10%左右,弹性保持率维持在60%以上,材料纤维结构保持完好,降解行为不明显;照射第4周时,材料受照剂量最高点处的累积剂量达2.2×103Gy,PGLA薄层支架质量损耗率未超过50%,弹性保持率仍有36%,扫描电镜观察显示,部分材料纤维开始出现裂纹和缝隙,较对照组明显,表明125I籽源持续低剂量率照射4周能使PGLA薄层支架降解速率有所加快,但仍维持了约59%质量和一定的弹性,形态结构保持较好,能有效维持125I籽源的空间分布。     

TiO2/Al氮化合成复相TiN-Al2O3

从热力学角度讨论了Al作为还原剂还原氮化TiO2制备复相TiN-Al2O3的可行性.利用综合热分析、X射线衍射仪、扫描电镜及能谱仪分析研究了在1 100～1 500℃TiO2和金属Al粉还原氮化过程中样品的质量变化、相组成和显微结构.结果表明:在1 100℃合成产物中已有少量的AlN和TiN,说明A1的氮化反应以及TiO2和Al的还原氮化反应都已开始.在1200～1 300℃,TiN含量明显增加,AIN含量逐渐减少.在1 350℃,合成产物中只有TiN和Al2O3,说明还原氮化反应完成.继续提高温度,在1400～1 500℃,TiN和刚玉的晶粒长大.     

多关节研磨机器人系统的研究

介绍了4自由度多关节的自由曲面研磨机器人系统。采用顺运动学和逆运动学原理对该研磨机器人工具端部的运动进行了分析。采用微分元素补偿法,对机器人工具端部的定位精度进行了补偿。并在对工具进行了姿势控制和不进行姿势控制的两种情况下,进行倾斜面磨削加工实验。结果表明,机器人各手臂的对数精度直接影响工具端部的定位主席。通过补偿,其定位精度达到±25μm。对工具进行姿势控制,磨削余量会大幅度减少。     

LCA原理及其在环境影响分析中的应用

详尽地阐述了LCA的基本原理及其实施步骤,探讨了LCA在环境影响评价中的应用,分析了目前LCA研究的不足,并指出了LCA新的研究发展方向。     

机床热变形的主动补偿

研究加工中心热变形的主动补偿,讨论补偿系统的设计和运行原理。通过监测机床温度分布,采用附加人工热源接规则进行补偿或平衡机床本机热源所引起的温度变化。实验证明,这种主动补偿可消除机床的大部分变形和加工误差。     

第一届国际地洼构造与成矿学学术讨论会在长沙召开

第一届国际地洼构造与成矿学学术讨论会于1988年11月1日至4日在长沙召开。大会收到学术论文242篇,其中国外学者的论文47篇。中国和来自法国、日本、苏联、波兰、联邦德国、印度等世界各地的地质学家185人聚集长沙,广泛交流地洼学说研究的新成果、新进展。地洼学说创始人陈国达教授自始至终参加大会并主持大会开幕式。湖南省科委主任陶敏教授致开幕词。湖南省副省长王向天     

在不带膨胀节的固定管板式换热器强度设计中壳程圆筒材料与换热？…

本文通过对不带膨胀节的固定管板式换热器管板强度的理论分析和实例计算,说明了壳程圆筒和换热管的材料性质对换热管轴向应力的影响,并根据此提出了在对不带膨胀节的固定管板式换热器进行强度设计时关于壳程圆筒与换热管材料匹配的几点建议。     

两亲性高聚物的研究进展

对两亲性高聚物的研究一直是高分子材料领域的研究热点。随着两亲性高聚物在越来越多的领域显示出其功能,它的重要理论和应用意义正为人们所认识。本文从新型两亲性高聚物的制备、两亲性高聚物的溶液性质、两亲性高聚物的应用三方面简要综述了两亲性高聚物的研究现状和未来发展趋势。     

Ni(100)表面吸附Sn的第一性原理研究

用第一性原理的密度泛函理论分析了Sn吸附在Ni (100)表面的几何结构和稳定相吸附前后的功函变化情况。能量计算表明最稳定相是0.5 ML (monolayer)的Sn替代Ni (100)表面最外层原子形成c (2×2)结构的合金相,皱褶幅度为0.049 nm,与通过低能碱金属离子散射法和低能电子衍射法(LEED)所得到的实验值(0.044±0.005 nm)以及全矢量线性平面波法所得理论值(0.036 nm)吻合得较好,但与三维电子全息图所得值(0.09 nm)和Castep程序所得值(0.018 nm)相差很大,Sn在Ni (100)表面吸附前后的功函变化值为0.31 eV,表明电荷从底物移向吸附物。