试论#3锅炉燃烧系统的改造

针对乌兰浩特热电厂#3锅炉燃烧系统在设计和安装上存在的不合理之处,通过对#3锅炉的冷、热态试验,发现锅炉系统存在很多问题:煤粉细度大;一次风温低;炉膛温度低;一次风速高;二次风速小;一次风煤粉浓度偏差大等这些缺陷造成锅炉着火不良,燃烧不稳,经常性的灭火放炮;从而导致各项热损失增大,锅炉效率低等诸多问题,为此制定了相应的技术改造,加装了浓淡燃烧器,保证了锅炉机组的安全性,稳定性,经济性.     

气相二氧化硅的分散对胶体电解质电化学行为的影响

用显微镜观察了气相SiO2粉末的形态,用循环伏安对德国进口的气相SiO2在配胶过程中机械分散和超声波分散对胶体电解液电化学行为的影响进行了研究。发现气相SiO2的适度分散是影响电池容量的关键因素。     

一种UPQC直流侧电压控制器的设计方法研究

统一电能质量调节器(UPQC)的直流侧电容电压维持恒定与其和电源的有功功率平衡有关,为获得直流电压闭环控制模型,将直流电压表示成为电源有功电流的函数是必要的.提出了一种利用UPQC小信号模型推导出直流侧电压和电源电流的线性表达式的方法,据此获得了直流侧电压控制的闭环模型.以此为基础,探讨了直流侧电压控制器的设计方法.利用这种方法,针对实际的控制策略,计算出控制器的参数.仿真结果显示,采用这种方法设计的直流侧电压控制系统具有较好的频率特性,获得了较好的直流侧电压,表明这种方法是有效的.     

基于新能源消纳的峰谷平时段划分方法

针对提升新能源消纳问题,设计了一种峰谷平时段划分方法.首先,建立基于消费者心理学的用户响应模型,得到用户负荷转移率;其次,综合考虑不同时段负荷对峰谷隶属度的贡献程度,以新能源消纳最大化及用户费用最小化为目标,建立基于新能源消纳的峰谷平时段优化模型;最后,通过改进粒子群算法对峰谷隶属度阈值进行优化求解.仿真结果表明,用户响应新的峰谷平时段后,用电费用降低,同时新能源的消纳得到提升.     

接地材料腐蚀速度弱极化曲线评价方法

变电站接地材料腐蚀速度选取及接地材料选择是接地网截面校核亟待解决的问题。通过电化学极化曲线实验计算得到材料腐蚀的电流密度可以用于材料耐腐蚀性能的实验室评价,并指导工程选材。采用电化学工作站三电极体系测量了碳钢、镀锌钢及铜3种接地材料在3种不同土壤中的弱极化曲线,对比分析了Barnartt三点法、Jankowski&Juchniwi四点法、单极化方向三点法及线性极化和弱极化结合法等4种弱极化曲线数据处理基本算法的分析效果。由结果可知:4种算法均存在数据利用率低、数据处理过程中可能出现二次根式开方项小于零导致无法得到分析结果和对测量极化曲线拟合效果不佳等缺陷,从而提出将阻尼高斯–牛顿迭代算法引入接地材料土壤腐蚀弱极化曲线数据拟合计算中,解决了弱极化曲线数据处理算法存在的不足,为开展接地材料土壤腐蚀速度实验室评价提供了一种有效的新手段。     

基于改进模块度函数分区的光伏地区电压协调控制研究

随着分布式光伏电站的大规模应用,光伏引入带来的一系列问题日益凸显,为满足光伏接入地区并网电压稳定的需求,提出了一种计及光伏电站无功出力的电压控制策略.考虑了接入系统对电压的影响和光伏电站的输出功率特性,提出了补偿点对系统电压支撑能力的指标,对补偿点的电压支撑能力进行评估.利用改进的灵敏度Ｇ模块度函数进行分区,同时按照电压支撑能力强弱的顺序,对区内电压进行无功补偿.该方法不仅充分利用光伏接入系统中每台设备的无功调节能力,还避免了各装置间的频繁动作,减少了不必要的设备损耗.仿真结果验证了所提策略的有效性。     

掘进机制造中热处理工艺使用分析

在掘进机制造过程中,针对其中耐磨板与销轴的热处理工艺使用非常有必要,因为二者的价格偏高、焊接性能表现偏差、容易出现开裂状况,因此通过热处理工艺可有效提高二者机械性能,整体看来工艺实施价值较高。本文中就分别探讨了掘进机制造过程中对耐磨板与销轴的热处理工艺使用状况。     

以骨架镍为催化剂由5-硝基苯并咪唑酮制备5-氨基苯并咪唑酮

以5-硝基苯并咪唑酮为原料,以骨架镍为催化剂,高压加氢制备了5-氨基苯并咪唑酮,研究了骨架镍的类型及循环回收利用、反应温度、压力和反应溶剂及用量对反应的影响。通过实验得到了适宜的反应条件,以乙醇为溶剂,其用量为120 mL/mol硝基物,反应温度90~95℃,反应压力2~3 MPa,催化剂用量为硝基物质量的4%~5%,可循环回收利用4次,得到产物5-氨基苯并咪唑酮,产物收率约为90%,产物的质量分数达到99.0%以上。     

不同Ⅴ/Ⅲ族元素比对m面GaN薄膜性能的影响?

采用分子束外延( MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面GaN薄膜。利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜( SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07 nm。利用光谱型椭偏仪研究m面GaN薄膜,得到了m面GaN薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,GaN样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。