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新型充电泵高功率因数电子镇流器 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种新型充电泵高功率因数电子镇流器的工作原理、电路设计方法及控制方法。实验结果表明该电子镇流器具有恒功率输出、高功率因数及低波峰系数的优良特性。 相似文献
103.
介绍了六枝矿务局预抽煤层瓦斯防止突出的初步实践和取得的效果,并对预抽中的几个主要问题进行了初步探讨,可供有关人员参考。 相似文献
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106.
莱钢1^#750m^3高炉安全服役12年,采用空料线打水回收煤气停炉,整个过程安全、顺利、快速停炉。残铁口位置选定准确,残铁基本放净,为高炉大修创造了良好条件。 相似文献
107.
很多人选择家用影音娱乐笔记本电脑都会优先考虑性能。因为在家庭环境中.笔记本电脑的重量和体积并不是决定性团素.反倒是为了满足家人游戏和影音娱乐需求.笔记本电脑的性能往往被格外重视. 相似文献
108.
笔者认为.目前我国尚未真正形成统一开放的检测市场.竞争的局面也还没有真正形成。但是,就检测业务市场容量而言.从我国社会经济的快速发展和国外的经验来看,理论上说,国内检测市场的业务开拓潜力还很大,其创收递增的空间是客观存在的。[第一段] 相似文献
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研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm. 相似文献
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研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm. 相似文献