基于腿轮自平衡技术的救援巡逻小车

文章介绍一种基于腿轮自平衡技术的救援巡逻小车的设计,该小车采用两个可伸缩的腿轮实现自平衡和地形适应,配备多种传感器（如激光雷达、摄像头、超声波传感器和热能生命探测仪）,用于环境感知和目标识别。控制系统采用分层控制结构,包括运动控制、导航控制和任务控制等模块,通过Dijkstra算法进行路径规划。该小车可以在不同地形和复杂环境中实现自主巡逻和救援任务,具有较高的实用性和应用推广价值。     

面向清洁低碳转型的隧道智慧能源系统框架设计及储能容量优化配置

长距离、大规模隧道运行过程中的能量密度远高于其他交通基础设施,隧道高能耗特性带来了高污染、高碳排等问题。为推动隧道清洁低碳转型,综合考虑储能灵活调节特性及隧道工程地下空间开发优势,提出一种隧道智慧能源系统框架及储能容量优化配置方法。首先,考虑多元电源互补、主动负荷协调、双向电能互动,构建隧道智慧能源系统框架,对比分析了地上/地下储能在土地资源集约利用、应对环境制约和储能故障危害等方面的优势和不足。其次,考虑储能容量规划和长大隧道智慧能源系统调度运行耦合影响,提出储能容量配置双层协同优化方法。最后,通过算例分析了所提隧道智慧能源系统框架和储能容量优化配置方法的可行性和有效性,对比验证了地下储能构建方案在经济、低碳和社会效益等方面的显著优势。     

泡沫NiCrAl电热合金的制备及其电学性能

通过粉末包埋渗法并经过真空均匀化热处理制备高比表面积的泡沫NiCrAl电热合金,考察了真空均匀化热处理温度对泡沫NiCrAl电热合金中金属元素蒸发的影响,采用SEM和XRD等分析手段,研究了泡沫NiCrAl的成分、结构及其与电阻率的关系.研究结果表明,以泡沫NiCr为基材通过调整渗Al温度及适当的真空均匀化热处理,能获得成分均匀、具有高表观电阻率的泡沫NiCr（20-30）Al（3-9）电热合金.泡沫NiCr渗Al后形成Ni固溶体,Cr,Ni₂Al₃,NiAl和Ni₃Al的多相结构,随着Al含量的增加电阻率降低.经过真空均匀化热处理后,当Al含量很低时,Al固溶在Ni固溶体中,电阻率比泡沫NiCr高且随Al含量增加而上升;当Al质量分数达到约5%时,表观电阻率达最大值;当Al含量更高时,除Ni固溶体外还有Ni₃Al相生成,电阻率又开始降低;Al和Cr含量均较高时,未溶解的Cr沉淀相会显著降低泡沫NiCrAl的电阻率,故泡沫NiCr30Al9不适宜用作电热合金.     

西安市兴庆湖水质提升及生态修复设计与实践

通过对兴庆湖湖体水系概况、现状水质分析评价、水量平衡分析及入河污染物初步估算,诊断与识别出兴庆湖水环境问题,并针对性地进行提升修复设计,通过水质目标可行性分析预测实施效果,旨在为同类城市景观水体水质提升及生态修复提供借鉴性的参考。     

适用频率达到20GHz的射频CMOS衬底电阻的精确提取

通过对CMOS的PSP模型中四衬底电阻网络的等效电路进行Y参数分析,得到衬底电阻参数的完整提取方法.应用该方法提取了90nm CMOS工艺中射频nMOS器件的衬底电阻参数,实验数据和仿真比较表明该衬底电阻网络和相应的参数提取方法能精确预测器件的输出性能,模型精度确保使用频率可以达到20GHz以上.     

Zr基非晶合金多孔材料的制备与性能

采用液态金属渗流法制备直径为6 mm 的Zr基块体多孔非晶合金,采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分析多孔材料的结构、形貌、断口特征和相组成,同时对多孔非晶合金的孔隙结构和力学特点进行分析.结果表明:采用CaC2作为孔隙支撑材料,能够制备出孔隙分布均匀、孔隙直径为0.2～0.8 mm的多孔非晶合金,其密度和孔隙率分别为3.57 g/cm3和47%.压缩力学性能实验表明:该多孔非晶合金的应力-应变曲线具有锯齿状变化规律,应力逐渐降低,其最大强度和应变分别为383 MPa和18.6%,应变量远大于单相非晶合金的应变量.     

尺寸可变的65nm多叉指射频CMOS器件模型提取与优化

通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法.与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方法能够在14 GHz以内精确地预测器件性能.     

酸法生产粉煤灰工艺中设备的腐蚀与材料选择

本文通过对酸法溶解粉煤灰工艺技术中的工艺流程描述,列举出了可产生腐蚀现象的相关部位及零件,并对使用的相应不锈钢材质进行腐蚀机理分析,根据其腐蚀现象归纳出腐蚀类型,探讨了不锈钢材料的优选原则与材料选择。     

医疗内窥检查超低功耗电感复用射频前端芯片设计

本文阐述了一种应用于医疗探测的工作在407～425MHz频段的电感复用射频前端芯片。本射频前端芯片由超低功耗电流复用LNA、Mixer和高发射效率PA构成。本文提出了一种新型的电感复用射频前端结构,通过接收机和发射机输入输出共用电感,不仅有效避免了双工器的使用降低了芯片成本,而且节省了片外元件的数量,满足了高集成度的应用要求。该射频前端芯片在0.18μm标准CMOS工艺下进行了流片,芯片面积0.43mm2。作为接收机和发射机使用时,射频前端功耗分别为0.45mA和1.53mA,是一款超低功耗、高集成度的射频前端芯片。     

SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进

针对IMEC 0.13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25～125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量,提取了该器件在25～125℃范围内的温度可变Mextram 504模型参数.在此基础上,为Mextram 504模型对0.13μm基区Ge组分二阶分布SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案.提出了对Mextram 504模型温度参数提取方法的改进,优化了提取流程.对SiGe异质结双极晶体管雪崩电流受温度影响的特性进行了讨论,为Mextram模型提出了雪崩外延层的有效厚度的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数,提高了Mextram模型对不同温度下SiGe双极型晶体管进行模拟仿真的精确度.