不同S值磁控阴极溅射沉积Mo薄膜的结构与性能研究

在室温下,利用不同磁感应强度相对分布因子S的磁控阴极溅射沉积了金属Mo薄膜.实验研究了磁控阴极S值对放电参数、Mo薄膜的结构、形貌及性能的影响.分别利用XRD,SEM和四探针技术对Mo薄膜的相结构、表面和截面形貌及电阻率进行表征分析.结果表明,随着磁控阴极S值的增加,Mo靶放电电压降低,而放电电流增加;不同S值的磁控阴极沉积的Mo薄膜均呈现多晶结构,且具有柱状生长特征;随着磁控阴极S因子的增加Mo膜的厚度和电导率呈现先增加而后减小的变化规律,电阻率最小可达4.9×10-6Ω·cm.     

今年将有12个学术会议在二汽召开

一九八三年,中国机械工程学会和湖北省机械工程学会所属的有关专业学会,将有12个专业学术年会或学术交流会预定在十堰市第二汽车制造厂召开。 二季度召开的学术会议有: 1.全国设备维修学术交流会; 2.汽车行业焊接工艺及装备学术会议;3.汽车行业油料专业学术讨论会;4.全国电泳超滤封闭循环现场技术交流会议;5.全国冷弯型钢新技术现场交流会。     

基于比边缘负荷理论的等距直齿磨片齿型参数设计的研究

直齿磨盘在制浆过程中应用十分广泛,但没有统一的设计方法。本课题在广泛研究现有直齿磨盘及前人研究的基础上,基于比边缘负荷理论（SEL）提出了等距直通齿磨盘及等距环形多级分区直齿磨盘的设计方法,对于直齿磨盘的参数化高效设计具有积极意义。     

一种异构数据库转换的实现方法

介绍了一种在ＤＯＳ环境下实现ＦｏｘＰｒｏ数据库向Ｓｙｂａｓｅ数据表转换的实现方法，它为异构数据库之间的转换提供了一种思路。     

锅炉安全技术监察规程中关于合金材料水压试验温度标准化的分析与研究

锅炉安全技术监察规程是我国锅炉相关法规和技术标准的基础,从设计、制造、安装、改造、修理、使用、检测等方面提出基本的安全要求,其中要求了合金钢受压元件的水压试验温度应当高于所用钢种的脆性转变温度,现用舞钢生产厚度δ90的亚临界锅炉用钢BHW35材料进行脆性转变温度试验,发现与压力容器材料实用手册中关于BHW35钢脆性转变温度的值相差甚远,望此研究报告为相关规程、标准、手册修订提供可以借鉴的研究数据。     

HDH81—1型多元素肥料进行苹果叶面喷洒的肥效试验

生产高浓度、多元素的化学肥料,是我国化肥工业发展的重要方向。1980年初,河南省化工研壳所开展对多元素肥料的制造与肥效应用的研究。1981年与中国农科院郑州果树研究所合作,研制适用于果树的多元素肥料。根据国内外有关果树施肥的资料,根据果树的果实、叶、茎所含营养元素的分析;同时收集了一些肥效较好的农家肥,如陈马粪、芝麻饼、     

混凝土坝运行初期安全监控指标拟定方法研究

针对混凝土坝在运行初期安全监测数据有限、常规大坝安全监控指标拟定方法误差较大的问题,提出基于自助法(Bootstrap)及核密度估计(KDE)理论的大坝安全监控指标拟定方法。通过再抽样构造安全监测数据的自助样本,对扩充后的样本采用核密度估计方法确定监测数据的概率密度函数,在此基础上拟定混凝土坝运行初期安全监控指标。结合仿真算例与某混凝土坝的实测数据,并与置信区间法结果对比分析,结果显示新方法误判率低,表明该方法所拟定的安全监控指标可以作为混凝土坝运行初期识别险情的标准,具有有效性和可行性。     

二汽技术引进的方针与策略

(一) 第二汽车制造厂在建设过程中,从产品设计到试制试验,从工厂施工到安装调试,从设备制造到投入生产,始终坚持自力更生为主、技术引进为辅的方针,运用“四新”技术装备自己,促进了汽车生产和科技的发展,为赶超世界先进水平创造了条件。 二汽建厂初期,有人主张按一汽的建厂方式,     

工程边坡绿色防护机制研究

在岩土工程施工中，不可避免地会造成当地生态环境的破坏。对工程边坡进行绿色防护，不仅有利于环境的恢复，而且植被根系对边坡表层起到一定加固作用。首先从植被生长的角度对边坡进行重新分类，研究了植被根系对边坡防护层的加固机制，然后采用试验和数值模拟的方法，研究了工程初期和植被长成后边坡绿色防护层的稳定性。研究结果表明，不同类型的边坡绿色防护机制不同，为保持边坡绿色防护层的稳定，在对边坡绿色防护时应根据边坡类型、坡高、坡比与其他工程防护措施结合进行。     

磁控溅射技术制备硅纳米晶多层膜及微观结构表征

在室温下,分别利用常规磁控溅射和反应磁控溅射技术交替沉积Si薄膜和Si1-xNx薄膜在单晶硅基体上制备了Si/Si1-xNx纳米多层膜。接下来,在高温下对Si/Si1-xNx多层膜进行退火诱发各层中形成硅纳米晶。研究了Si1-xNx层厚度和N2流量沉积对Si/Si1-xNx多层膜中Si量子点形成的影响。TEM检测结果表明,N2流量为2.5mL/min时沉积的多层膜退火后形成了尺寸为20～30nm的等轴Si3N4纳米晶;N2流量为5.0mL/min时沉积的多层膜退火后在Si层和Si1-xNx多层中均形成了硅纳米晶,而在7.5mL/min N2流量下沉积的Si/Si1-xNx多层膜退火后仅在Si层中形成了硅纳米晶。