出线竖井变形监测反馈及衬砌变形稳定研究

溪洛渡左岸布置两条出线竖井,其总深度为488.5 m,穿越的覆盖层深度达到120 m。已有的监测资料表明左岸出线竖井已向下游侧变形约1 mm,向河谷侧变形约18 mm。本文拟合观测墩变形数据,对左岸两条出线竖井及其井壁衬砌结构进行三维非线性有限元分析,得出竖井详细的应力变位情况,并确定观测墩变位和竖井最大变形值的关系,从而提出了竖井观测墩变位的预警控制阈值,以及竖井可能的破坏模式。最后对不同岩层接触面进行了抗滑稳定计算,结果表明沿着这些面整体抗滑稳定安全系数满足设计要求。     

基于纳米多晶硅薄膜晶体管分裂漏MAGFET制作和特性

A split-drain magnetic field-effect transistor （MAGFET） based on a nano-polysilicon thin film transistor （TFT） is proposed, which contains one source, two drains and one gate. The sensor chips were fabricated on （100） high resistivity silicon substrate by CMOS technology. When drain-source voltage equals 5.0 V and length and width ratio of the TFT channel is 80 μm/160 μm, the current and voltage magnetic sensitivities of the split-drain MAGFET based on the TFT are 0.018 mA/T and 55 mV/T, respectively. Through adopting nano-polysilicon thin films and nano-polysilicon thin films/high resistivity silicon heterojunction interfaces as the magnetic sensing layers, it is possible to realize detection of the external magnetic field. The test results show that magnetic sensitivity of the split-drain MAGFET can be improved significantly.     

基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性

介绍了-种新型硅磁电负阻-振荡器件--S型负阻-振荡硅磁敏三极管.该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件,采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作.实验结果表明,集电极电流随外加磁场的变化而变化;在基极注入电流一定时,出现集电极电流受外加偏压VCE调制的负阻-振荡特性,且集电极电流振荡随外加磁场而变化.对该器件负阻-振荡特性的形成机理进行了讨论,结果表明,在集电区n+π结和基区与π区形成的p+π结均处于反偏条件下,当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时,该磁敏三极管伏-安特性曲线中的Vp+x偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现S型负阻-振荡特性.在发射极和基极间的n+π结和p+π结附近存在的大量深能级杂质将对负阻-振荡特性进行调制.     

冶坪煤矿建井期间二期工程供电系统设计

介绍了建井期间二期设备的选型及功率,通过设备功率进行供电系统负荷计算,详细介绍了负荷计算的方法,通过负荷计算对变压器及电缆、开关进行选型,并设计了煤矿建井期间二期工程供电系统图。     

低硫柴油润滑性分析影响因素考察

低硫柴油润滑性采用SH/T0765-2005标准进行分析,实验表明使用PCS高频往复试验机(HFRR)分析柴油润滑性,其分析结果重复性较好,远低于标准SH/T0765的要求,实验人员和样品预处理对分析结果的准确度影响较小。不同的实验球和片,由于来源途径或批次不同,使得分析结果存在不同程度的差异,特别是国产实验球和片相比进口实验球和片分析结果偏低较多。     

弧齿锥齿轮加工方法改进

弧齿锥齿轮（格里森齿制,下同）用于传递相交轴动力,广泛应用于汽车、工程机械、飞机、船舶、机车等装备。目前国内弧齿锥齿轮制造精度与国外同类产品比较存在较大差距,对于噪音、震动等平稳性要求较高以及高速传动中使用的弧齿锥齿轮一般需要进口。现代工业正朝着高速、高精度、高可靠性方向发展,对高精度弧齿锥齿轮的需求在不断增大。因此研究影响弧齿锥齿轮精度的制造因素,提高弧齿锥齿轮加工质量显得尤为重要和迫切。本文探讨通过对弧齿锥齿轮加工工艺的改进提高弧齿锥齿轮加工精度。     

薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响

以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响。结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强。     

碳纳米管/聚苯胺空心球复合材料的制备与电化学性能

以无机材料Fe3O4为模板,将在碳纳米管(CNT)功能化后,包裹在模板表面,然后再将苯胺单体接枝在CNT表面,之后采用化学氧化法,将接枝于CNT表面的苯胺单体聚合成聚苯胺(PANI),从而制备CNT/PANI空心球复合材料。用傅立叶变换红外光谱、扫描电子显微镜对复合材料进行成分和形貌的表征。用循环伏安法、恒流充放电和循环寿命等电化学测试手段来表征复合材料的电化学性能。研究结果表明所制备的复合材料比容量可达到185F/g(有机电解液),高于同样条件下所制备的纯PANI和采用一般方法所制备的CNT/PANI复合材料的电化学容量(65F/g,152F/g),显示出良好的应用前景。     

用非单质硼源直接合成MgB2超导粉末

用非单质硼源直接合成了MgB2超导粉末，X射线衍射分析表明，除了MgB2主相外，还形成了副产物Mg28205，低温段保温的工艺控制是该制备方法中形成MgB2的关键，非单质硼源直接合成法是研制MgB2新型超导体的一种很有前途的技术．