SiC MOSFET在双向无线充电应用中的开关性能及效率优化研究

SiC MOSFET器件具备开关频率高、损耗小、耐高温等特性，应用于无线充电中可以显著提升其功率密度及效率。但在无线充电变换器的控制中很容易出现硬开通、硬关断的情况，这会产生额外的开关损耗。同时，在电磁环境和寄生参数的影响下，开关管门级容易因电压过冲、振荡导致加速老化或损坏。基于上述原因对双向无线充电系统中的开关特性、开关损耗及影响开关可靠性的因素进行分析及仿真验证，最后通过对搭建的双向无线系统样机在满功率和半功率点进行不同驱动参数的对比实验，得出了驱动参数对系统传输效率及门级波形的变化趋势，对双向无线充电系统中SiC MOSFET的应用和效率优化具有一定参考依据。     

坐拥高科技 迈向新时代——世博园《世纪时钟花坛》设计

“世纪花坛时钟”是上海市人民政府赠送给昆明’９９世博会的礼物，是迄今为止国内建成的最大的时钟花坛。它大气魄、高科技并重，突出时代特色。     

光电化学机械抛光装置设计

针对第三代半导体材料氮化镓(GaN)光电化学机械抛光的加工需求，研制了具有紫外光照射、电压加载和机械抛光功能的光电化学机械抛光(PECMP)装置。设计了紫外光可直接照射到GaN晶片表面的抛光盘单元，加工区稳定加载电压且与装置绝缘的电气回路，抛光盘和工件盘能够独立回转的驱动机构，并且抛光盘可以往复移动、抛光压力可以可调加载。建立了PECMP装置的整机三维模型，通过静力学分析和模态分析，优化了抛光盘和龙门等关键部件结构。搭建了PECMP抛光装置，并进行了性能测试，实现了可施加的光照强度0～200 mW·cm^-2，电压大小0～10±0.1 V，绝缘电阻150 MΩ，抛光盘转速10～100 r/min，工件转速10～200 r/min，抛光盘往复移动速度1～100 mm/s，压力加载范围0～200 N，满足2英寸GaN晶片的PECMP加工需求。     

坐拥高 迈向新时代

“世纪花坛时钟”是上海市人民政府赠送给昆明’９９世博会的礼物，是迄今为止国内建成的最大的时钟花坛。它大气魄、高科技并重，突出时代特色。     

可调激光法测定加热卷烟水分活度

为了有效监控加热卷烟的水分活度（aw），选择可调激光传感器法，通过详细的样品制备和保存条件、测试条件及联合实验等方法学研究，建立了适用于加热卷烟aw测定的方法。结果表明：(1)该方法抗发烟剂和薄荷醇干扰，选择性好。(2)样品无需均质化处理，环境暴露的时间控制在1 min内，拆封后样品可在常温密闭条件下存放3 h,-18℃密闭条件下存放30 d，样品测定前需恢复至室温。(3)优选丝状样品量为0.8～1.0 g，颗粒状样品量为2.0～4.0 g，测定次数为2次，以2 min内aw变化值小于0.001作为读数终点。(4)7个代表性加热卷烟样品在5个实验室联合实验的重复性限（r）在0.002 7～0.006 1之间，再现性限（R）在0.004 5～0.015 5之间，应用于不同类型加热卷烟测试结果良好。     

选煤厂工艺类保护设置与应用

为满足客户用煤要求，重介质选煤厂主选系统工艺参数需实时调节，经常会因工艺参数偏离设定值而造成系统故障或产品质量不达标等情况，需在相应环节设置工艺类保护，以检测和调整工艺参数。通过分析选煤厂分选系统、介质系统、煤泥水系统等部分工艺类保护设置与应用，得出需要考虑的主要因素。设置工艺类保护时，要考虑保护设置的位置及检测、动作可靠性，同时兼顾现场实际环境选择保护装置。处理工艺类保护动作时，针对每个影响因素进行分析和工艺参数调整。设置工艺类保护时，还应考虑各类保护的联动性，综合考虑各保护之间的动作关系。同时应与智能化选煤厂建设衔接，充分考虑各参数调节的关联性和智能化。     

基于光流导向的流场可视化算法及视频水彩风格化应用研究

流场可视化是科学可视化一个非常热门的子领域，同时也是是图像风格化绘制的重要组成部分。本文主要探讨基于光流导向的二维流场可视化算法的设计与实现，并将该项技术拓展到对视频进行水彩风格化渲染方面。本文的创新点在于结合物理方法模拟以及图像处理技术对视频进行水彩风格化渲染，并进一步提出采用GPU对整个算法进行硬件加速处理，实验取得了较为良好的合成效果。     

食品消费心理与营销策略分析

<正>“民以食为天”，饮食对于每个人来说都非常重要。目前食品工业总产值占据着我国工业总产值的第一位，在城镇居民的消费结构中更占据着重要位置，所以未来食品生产和经营的市场空间是非常大的，可以获得巨大的经营利润。随着越来越多适应消费者不同需求的食品不断涌现，多数食品企业的生产和经营规模也不断扩大，但有些食品企业经营得好，有些食品企业却出现亏损甚至破产的现象，而引导消费者行为的食品消费心理就是其中一个重要的影响因素。基于此，食品企业必须在研究各种食品消费心理的基础上，找到合适的营销策略。     

铜冶炼制酸酸泥中汞富集试验研究

采用常压浸出—还原富集的方法,以次氯酸钠与硝酸为混合浸出剂,将铜冶炼酸泥中的汞转化为Hg2+转移至浸出液中,再将其还原富集为零价汞而分离。结果表明,铜酸泥中汞浸出的最佳条件为:液固比5mL/g、搅拌速度500r/min、浸出温度20℃、浸出时间30min、浸出液硝酸与次氯酸钠体积比4∶1,铜酸泥中汞浸出率可达93.6%。在浸出液中添加0.1%浓度为10%的次亚磷酸钠,絮凝沉降后,富汞渣中汞品位高达20.6%,达到制汞原料的需求,实现了酸泥中汞的净化与资源化。