首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   693篇
  免费   33篇
  国内免费   53篇
电工技术   50篇
综合类   75篇
化学工业   68篇
金属工艺   39篇
机械仪表   53篇
建筑科学   50篇
矿业工程   25篇
能源动力   13篇
轻工业   57篇
水利工程   31篇
石油天然气   28篇
武器工业   21篇
无线电   89篇
一般工业技术   74篇
冶金工业   29篇
原子能技术   4篇
自动化技术   73篇
  2024年   2篇
  2023年   13篇
  2022年   14篇
  2021年   6篇
  2020年   11篇
  2019年   11篇
  2018年   27篇
  2017年   9篇
  2016年   9篇
  2015年   15篇
  2014年   30篇
  2013年   34篇
  2012年   21篇
  2011年   45篇
  2010年   47篇
  2009年   39篇
  2008年   51篇
  2007年   43篇
  2006年   45篇
  2005年   44篇
  2004年   32篇
  2003年   27篇
  2002年   32篇
  2001年   32篇
  2000年   18篇
  1999年   16篇
  1998年   14篇
  1997年   15篇
  1996年   12篇
  1995年   11篇
  1994年   7篇
  1993年   11篇
  1992年   9篇
  1991年   9篇
  1990年   2篇
  1989年   1篇
  1988年   5篇
  1987年   2篇
  1986年   3篇
  1985年   2篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有779条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
确定注水井水驱前缘位置的方法研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文对确定注水井水驱前缘位置的方法进行了深入研究,建立了相关数学模型,并求出了模型的解析解和分阶段近似解.根据这些解,能够计算完整的注水井试井理论曲线,也能对实测曲线上的直线段特征作出理论解释,因而可以将曲线拟合、直线回归、导数诊断等现代试井分析技术全面用于注水井试井解释,准确地确定水驱前缘位置.本文虽然以油田中的注水井为具体研究对象,但所采用的方法对注入井普遍适用.只要注入的流体与地层流体是非溶混驱替,具有分明的驱替前缘界面,即可用本文提出的方法确定驱替前缘位置.与以往的方法比较,本文的方法更精确,更实用.  相似文献   
92.
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量.XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高.生长温度、反应气源中C/si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AIN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230~1270℃,比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200~300℃;较为合适的C/Si比值为1.3.  相似文献   
93.
丹东市燃气汽车及清洁汽车行动   总被引:1,自引:1,他引:0  
论述了丹东市燃气汽车及清洁汽车的发展现状,燃气汽车及清洁汽车行动的基本原则及主要措施,船舶的燃气化示范工作。  相似文献   
94.
阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进一步研究了掺Mg的Al0.5Ga0.5N薄膜的带边和杂质能级发光机理.利用CL近红外光谱系统对InN薄膜的阴极发光特性进行了研究,验证了InN实际光学带边E8在0.77eV附近.利用微区分析(CL mapping)系统,可在紫外波段确切地给出材料不同波长的荧光发光区这一特点,对HVPE生长的自支撑GaN衬底进行了SEM和CL微区的对比分析,研究了GaN的位错类型和分布.  相似文献   
95.
高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器   总被引:1,自引:1,他引:0  
第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA.  相似文献   
96.
采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理.利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨.结果表明:p型GaN的应变状态与其退火过程中的杂质和缺陷行为及其最后的电学性能都有着一定的规律性.  相似文献   
97.
文章对开展输变电设备在线监测、带电检测工作的重要性进行了论述,对目前国内外输变电设备在线监测、带电检测的新技术、新方法和国网系统总体应用情况进行了介绍,提出了青海省电力公司开展输变电设备在线监测、带电检测工作的几点建议.  相似文献   
98.
本文对羽毛羽绒目前常用检测标准和检测方法进行了综述,详细分析了各标准和方法之间的差异,结合新发布标准,提出了羽毛羽绒检测发展的新方向。  相似文献   
99.
赵红  朱以漳 《机械制造》2002,40(10):42-43
NFZ-10工业辐照电子直线加速器是目前我国同类加速器中功率大、能区宽,可适应产业规模综合辐照应用的加速器。该加速器适合于半导体的辐照加工,食品辐照保鲜,医疗用品和药品的辐照灭菌,高分子材料及制品的辐照加工,晶体材料和制品的辐照改性等综合利用。真空盒的结构特点真空盒作为NFZ-10工业辐照电子直线加速器的一个重要组成部分,其合理的机械结构及加工工艺设计是至关重要的。真空盒确保电子束流通过的空间为真空。其工作原理如图1所示:真空盒外形作为一狭长的封闭盒状,其外形结构主要受气隙1、2的空间尺寸及电子束…  相似文献   
100.
对NFZ10工业辐照电子直线加速器的恒温部件之一——隔水条的结构设计进行了探讨,确定了一套满足整机性能要求,且使之与水套安装方便、可靠的合理结构。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号