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941.
一,芳香园植物景观设计 芳香园是距离东入口最近的一个景区,该园依山势,地形而建。从而形成独特的山地芳香园景观.  相似文献   
942.
从结尾做起     
大爱痕 《建材与装饰》2009,(9):I0015-I0015
玻璃瓶生产线上,总是有些残次玻璃瓶,不是瓶口不圆,就是瓶底破损。生产出来的瓶子,废品率一直居高不下。厂里找了好多专家解决,专家们也采取了很多科学合理的办法。先是对瓶口采取模具控制.设计了一个像瓶盖一样的模具,只要是不合格的瓶口一套上模具,警报系统就会发出呜叫,然后机械臂就自动拣出这些不合格的瓶子。  相似文献   
943.
介绍了圆柱密封电池装配工艺特点与技术,简要概述了装配过程中所用的主要设备及其工作原理,结构特点和工作效率;具体阐述了AA型圆柱密封氢镍电池自动装配线在自动装配过程中须解决的问题以及该线的先进性。  相似文献   
944.
植物是所有景观设计要素中惟一一个可以对环境具有综合生态意义的造园要素。园林植物在景观中不仅起到装饰作用.还能解决许多环境问题,如净化空气、增加湿度、调节气温、水土保持等。植物在绿化中的生态功能主要体现在以下几个方面:  相似文献   
945.
通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si(111)衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究。通过显微镜和扫描电镜(SEM)观测发现,AlN形核层在高温下生长时,GaN材料表面会产生大量六角形缺陷。通过电子能谱(EDS)分析得出GaN六角形缺陷中含有大量的Si元素以及少量的Ga和Al元素,其中Si元素从Si衬底中高温扩散而来。在降低AlN形核层的生长温度后,GaN材料表面的六角形缺陷随之消失。表明AlN形核层在较低的温度下生长时可以有效地抑制Si衬底表面Si原子的扩散,减少外延层中由于衬底Si反扩散引起的缺陷。  相似文献   
946.
柴油车微粒捕捉器再生控制策略   总被引:15,自引:1,他引:15  
对柴油车微粒捕捉器的各种再生控制方法进行了比较分析 ,并对背压控制方法进行了试验研究。利用背压模拟装置替代微粒捕捉器 ,研究了排气背压对 YC6 10 8柴油机的动力性、燃油经济性、排放和排温等参数的影响 ,在此基础上讨论了微粒捕捉器定背压再生控制方法的可行性及控制限值。首次提出利用排气温度对背压控制方法进行修正 ,以保证捕捉器在正确的时机进行再生  相似文献   
947.
《动力机械文摘》编辑工作座谈会于1982年9月12~14日在杭州召开。出席会议的有上海发电设备成套设计研究所、哈尔滨大电机研究所、哈尔滨电站设备成套设计研究所、机械工业部科技情报所、中国科技情报所重庆分所、哈尔滨工业大学、上海机械学院、浙江大学、《电工文摘》编辑部、哈尔滨汽轮机厂、东方锅炉厂、北京锅炉厂和杭州汽轮机厂等单位的编辑和文摘员代表共24人。  相似文献   
948.
流场可视化模拟是流域虚拟仿真的重要组成部分,其新的方法层出不穷,但是推广到实际工程应用研究的力度不够。本文在研究基于纹理映射方法的基础上,首次将基于纹理的流场动态可视化方法IBFV(Image Based Flow Visualization)用于流域模拟可视化,研究了以颜色纹理表示流场属性值的时空分布,实现了其与三维虚拟仿真平台的集成,取得了较好的效果,为水利交叉学科的研究提供了新的思路。  相似文献   
949.
高性能的增强型AlGaN/GaN HEMT   总被引:2,自引:2,他引:0  
采用氟离子处理的方法实现了阈值电压0.35V的增强型AlGaN/GaN HEMT 器件。该器件展示了高性能直流特性,最大饱和电流 667mA/mm,器件的峰值跨导达到203ms/mm。 1μm栅长电流增益截止频率和最大振荡截止频率分别为10.3GHz和12.5GHz,并且小信号特性在器件氟离子处理后并没有出现衰退。最后,采用SIMS的实验结果辅助进行了数值仿真,对氟离子在势垒层中起受主缺陷的理论给出了合理的解释。  相似文献   
950.
An enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT with a threshold voltage of 0.35 V was fabricated by fluorine plasma treatment.The enhancement-mode device demonstrates high-performance DC characteristics with a saturation current density of 667 mA/mm at a gate bias of 4 V and a peak transconductance of 201 mS/mm at a gate bias of 0.8 V. The current-gain cut-off frequency and the maximum oscillation frequency of the enhancement-mode device with a gate length of 1μm are 10.3 GHz and 12.5 GHz,respectively,which is compa...  相似文献   
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