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961.
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长面临的首要问题.采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)Si (111)衬底上制备了GaN外延材料并研究了不同AlGaN缓冲层结构对Si基GaN外延材料性能的影响,并采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、喇曼光谱以及光学显微镜对制备的GaN材料的性能进行了表征.采用3层A1GaN缓冲层结构制备了表面光亮、无裂纹的GaN外延材料,其(002)晶面半高宽为428 arcsec,表面粗糙度为0.194 nm.结果表明,采用3层A1GaN缓冲层结构可以有效地降低GaN材料的张应力和位错密度,进而遏制表面裂纹的出现,提高晶体质量. 相似文献
962.
MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为97",ω(102)面扫描曲线半高宽为870",Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为240";使用原子力显微镜(AFM)对两种样品5μm×5μm区域的表面平整度进行了表征,AlN外延膜的粗糙度(Rms)为8.484nm,Al0.6Ga0.4N外延膜的粗糙度为1.104nm;透射光谱测试显示AlN和Al0.6Ga0.4N吸收带边分别为205nm和266nm,且都非常陡峭。 相似文献
963.
使用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上分别采用AlN和GaN作为形核层生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料,并进行了器件制备和性能分析.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨率X射线双晶衍射仪(HR-XRD)和二次离子质谱仪(SIMS)等仪器对两种样品进行了对比分析,结果表明采用AlN形核层的GaN外延材料具有更低的位错密度,且缓冲层中氧元素的拖尾现象得到有效地抑制.器件直流特性显示,与基于GaN形核层的器件相比,基于AlN形核层的器件泄漏电流低3个数量级.脉冲Ⅰ-Ⅴ测试发现基于GaN形核层的HEMT器件受缓冲层陷阱影响较大,而基于AlN形核层的HEMT器件缓冲层陷阱作用不明显. 相似文献
964.
分析了里下河地区2003年暴雨过程及其特点,根据里下河地区33个雨量代表站(平均650km^2/站),1953—2003年51a逐日降雨量资料进行了面平均计算、滑动处理等;统计分析了里下河地区及分区2003年最大1d至最大60d共7个时段降雨量的历史排位,得出本区2003年暴雨是仅次于1991年第2大暴雨;最后采用P-Ⅲ型曲线进行暴雨频率(重现期)分析,结合该区自然特性,得出江苏省里下河地区2003年暴雨为25a一遇。可为里下河地区水利规划提供依据。 相似文献
965.
方正飞腾并没有象维思一样集成棋牌子系统,对于经常需要使用它的人只有另行购买价格不菲的棋牌插件了。不过,如果只是偶尔使用一下,这实在是一项不划算的投资。其实利用飞腾自有功能,也完全能排出棋牌插件一样的效果。本文将介绍利用飞腾自带的图形功能来打造属于你自己的象棋插件, 相似文献
966.
远程访问可以让用户使用一台调制解调器和一条普通电话线拨人一台计算机或计算机网络,并访问共享资源,按照微软的说法,两台计算机之间的拨号连接就是网络连接。因此,拨号网络提供与用网卡连接的网络所具有的同样的一套网络服务,不同的只是网络数据是通过调制解调器进行路由的,而不是通过网卡进行路由的。 相似文献
967.
根据引起的资料介绍和步环样品分析,研制了含Al、Mn及少量Fe、Pb、Si等元素的黄铜。 相似文献
968.
969.
970.
从苏北古城徐州驱车北行约20公里,在群山怀抱中矗立着一座规模宏大的现代化水泥企业——淮海水泥厂。汽车驶进工厂后,顺着矿山公路向青龙山石灰石矿驰去。站在山上,首先映入眼帘的是工作平台上络绎不绝地奔跑着的自卸汽车和忙碌作业的电铲、推土机。举目北眺,一条1.95公里长的混凝土框架结构的皮带输送长廊尽收眼底,蜿蜒起伏,逶迤北行,一直接通厂区预均化库。那座落在39.28公顷厂区内的生料搅拌库、水泥库、窑尾预热器框架以及生产厂房等,都是高层建筑,拔地30米以上者不下20个。5.3公里长的铁路专用线与津浦路接轨,是输送水泥的大动脉。 相似文献