一种水质监测单片机系统的软硬件开发

介绍了一种由C51单片机控制的水质在线测量系统，对该系统的控制器硬件结构进行了说明，介绍了软件的总体结构和设计方法，并分析了系统液晶显示的模块化设计。通过与传统水质测量方法的比较，说明了该系统的优越性及应用价值。     

大巴山乡村聚落空间设计研究——以城口县鲜花村片区规划设计为例

大巴山地区受高山特殊地形条件和地理位置的影响,有丰富的自然资源和多元的文化,乡村聚落形态多样,村民建设意愿复杂。文章通过实地调研、查阅文献资料,分析了自然资源丰富而贫穷落后的大巴山高山地区聚落现状问题,探讨了巴山地区乡村聚落在乡建大热下的聚落规划与设计策略。     

直岗拉卡水电站流道混凝土施工

流道施工是灯泡贯流式机组电站的关键部位，施工难度大，技术要求高。在直岗拉卡水电站流道施工中，针对施工难点采取了多项技术措施，并取得了较好的效果。文章对流道混凝土施工工艺措施作了简单介绍。     

石油巾帼——王晓华——记“全国巾帼建功标兵”、辽河油田钻采工艺研究院仪器仪表所党支部书记兼副所长王晓华

每个人都有自己的梦想和追求,从儿时到成年,伴着年纪的增长、时代的变迁,梦想,也在随之改变。王晓华,磁采油技术的开拓者,一名新时代的以自主创新为己任的女科技工作者。为了实现科技兴油的梦想,她十几年痴心不悔,奋战在科研一线,用汗水和青春让自己的梦想开花结果。     

离子／电子混合导体CuxMo6S8—y的性能研究

本文通过对工艺条件的控制，获得了铜系混合导体材料Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ７．７，Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ８．０及Ｃｕ４Ｍｏ６Ｓ８．０Ｘ射线衍射线相分析表明为Ｍｏ６Ｓ８结构的单相，并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析。     

离子／电子混合导体Cu_xMo_6S_（8－y）的性能研究

本文通过对工艺条件的控制，获得了铜系混合导体材料Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ７、７、Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ８．０及Ｃｕ４Ｍｏ６Ｓ８．０．ｘ射线衍射物相分析表明为Ｍｏ６Ｓ８结构的单相，并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析，通过测试得到了三种混合导体的总电导率σ和离子电导率σｉ·当混合导体Ｃｕ２Ｍ０６Ｓ７、７与固体电解质Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｉ７Ｃｌ１３复合后可改善其电化学性能，复合比为２：１时，总电导率σ和离子电导率σｉ可达７５（Ω·ｃｍ）－１和７×ｌ０－２（Ω·ｃｍ）－１。     

新时期煤炭企业思想政治工作的探讨

在新时期,煤炭企业在发展中会遇到诸多新的问题和新的挑战,如何加强和改进思想政治工作,使思想政治工作能够与企业管理有机结合,并带动企业多项工作的健康发展,是我们目前需要认真对待的一个问题。当前,在市场经济及企业内部改革等多种因素的影响下,多种文化、多种思想相互冲撞,企业职工的思想十分活跃,不稳定因素也在一定程度上对企业生产经营产生负面影响。因此,通过有效的方法,增强思想政治工作在企业管理中的实效性,将成为煤炭企业思想政治工作今后一个时期的主要任务。首先,我们应把握好企业管理的脉搏,因人而异、因地制宜地开展主题教…     

冷滚轧滚轮设计理论及实验修正

通过对渐开线花键冷轧加工机床及工艺的分析，建立了滚轧轮设计的数学模型，用范成法解决了采用成形法设计轮廓不准的缺陷，并得到了实际验证。针对材料的弹塑性变形，通过对加工零件的误差测量，基于实验数据，反映到滚轧轮坐标系中，得到滚轧轮廓的修正量，使滚轧的花键齿形更接近于理想齿形，精度和寿命都得到进一步提高，实现了高精度花键轴的冷轧加工。     

ZnO纳米棒与Si(111)和Si(100)衬底的外延关系(英文)

运用热蒸发技术在Si(111)和Si(100)基片上制备了ZnO纳米棒。SEM表征显示,ZnO纳米棒的直径约100nm,长度均匀,大约3μm;XRD表征发现ZnO纳米棒沿[0001]晶向择优生长。通过实验结果与理论分析得出:对于Si(111)基片上的样品,大部分ZnO纳米棒沿6个对称方向生长,而且与基片之间的夹角为54.7°,ZnO与Si(111)的外延关系为[0001]ZnO‖[114]Si,[0001]ZnO‖[4]Si,[0001]ZnO‖[141]Si,[0001]ZnO‖[4]Si,[0001]ZnO‖[411]Si,或[0001]ZnO‖[4]Si。对于Si(100)基片上的样品,大部分ZnO纳米棒沿4个对称方向生长,与基片之间的夹角为70.5°,其外延关系为[0001]ZnO‖[114]Si,[0001]ZnO‖[4]Si,[0001]ZnO‖[14]Si,或[0001]ZnO‖[14]Si。通过比较分析得出Si基片可以控制ZnO纳米棒的生长方向。     

AZO透明导电薄膜的结构与光电性能

采用射频溅射工艺制备了Zn1-xAlxO透明导电薄膜。通过XRD、UV透射和电学性能测试等分析手段,研究了Al浓度对薄膜的组织结构和光电性能的影响规律。结果表明:薄膜具有c轴择优取向,随着Al浓度的增加,(002)衍射峰向高角度移动,峰强度逐渐减弱,x(Al)为15%掺杂极限浓度。x(Al)为2%时,薄膜电阻率是3.4×10–4Ω.cm。随着掺杂量x(Al)从0增加到20%,薄膜的禁带宽度从3.34 eV增加到4.0 eV。