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41.
为降低神经网络的冗余连接及不必要的计算代价,将量子免疫克隆算法应用于神经网络的优化过程,通过产生具有稀疏度的权值来优化神经网络结构。算法能够有效删除神经网络中的冗余连接和隐层节点,并同时提高神经网络的学习效率、函数逼近精度和泛化能力。该算法已应用于秦始皇帝陵博物院野外文物安防系统。经实际检验,算法提高了目标分类概率,降低了误报率。  相似文献   
42.
本文主要根据古籍及各种文献的记载,对阆中寺观园林的选址特征进行考察,寻求古人营建寺观园林时在选址上共同的倾向或规律,恢复几乎被人们遗忘的阆中寺观园林记忆,为引发对其进行更深入、广泛的研究起到抛砖引玉的作用。通过对阆中寺观园林类型及选址的系统调查,弥补四川园林研究的空缺,为全面地、系统地研究四川园林,进而完善中国古典园林研究做出应有的贡献;同时为阆中寺观园林的保护、修缮、重建,以及阆中现代园林建设提供理论指导,以利于继承和发扬其艺术精髓。  相似文献   
43.
邓宏 《现代传输》2012,(6):29-30
随着"宽带中国"战略的逐步浮出水面,光纤接入网的大规模建设需求将呈爆炸式增长。ODN作为光纤接入网络中的基础承载网,将随着FTTH的大规模建设迎来新一轮的部署高峰。据估测,中国ODN行业市场规模在2012年将达到139亿元。结合ODN此前部署的诸多经验教训表明,ODN的标准化和产品品质都十分重要,这将直接影响到网络的长期稳定性。此外,如何实现快速施工以及ODN自身技术的发展也是我们必须长期关注的课题。  相似文献   
44.
邓宏 《电信科学》1998,14(4):51-53
本文简要介绍了Informix的高性能和可伸缩性技术,指出了现代电信对数据库系统的要求,详细论述了Informix的数据仓库技术。  相似文献   
45.
压密试验中破碎岩石压密特性的本构方程及数值模拟分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
 在以往室内压密试验的基础上,利用变量依存性本构方程对压密试验中试样的压密特性进行数值模拟。本构方程中,假定岩石破坏速度随着破坏接近度Sv的增加而增大;将破坏接近度扩展到三维应力状态,且在破坏接近度为负值的区域,引进强度恢复参数Hp(Hp= –Sv);通过假定压密岩石强度的恢复程度依赖于恢复参数Hp,对本构方程进行修正。从数值模拟结果可以看出:在压密过程中依存性变量? 逐渐变小时,修正后的本构方程可以描述压密过程中岩石的性质;尽管还需进一步研究和完善修正本构方程,但其具有较强的应用前景,能够较好地描述压密试验中破碎岩石的压密特性,解释地下建筑物围岩开挖扰动区的恢复现象。  相似文献   
46.
氧化沟工艺应用研究进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
简要介绍了氧化沟工艺的发展历程,总结了氧化沟工艺向着增加厌氧区和缺氧区,将曝气和推流功能分离以及优化溶解氧浓度等运行参数实现同步硝化反硝化(SND)和同步硝化反硝化除磷(SNDPR)等方向发展的趋势。同时指出需加强循环比对氧化沟内混合液流态、溶解氧扩散传质和脱氮除磷微生物种群分布等方面响应关系的研究,以便进一步提高氧化沟工艺的脱氮除磷效率,为其设计、改造、运行提供科学依据和理论指导。  相似文献   
47.
针对5 000 t大型快锻液压机主侧缸与集成块法兰连接双头螺柱、管道连接螺钉的断裂问题,进行原因分析。通过现场勘察、液压冲击影响机理分析、内在原因分析、外在原因分析、断口理论分析,确定了断裂原因,并提出改进措施,由此提高大型快锻液压机的安全性和可靠性。  相似文献   
48.
Al浓度对AZO紫外探测器性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用射频溅射工艺,在石英基片上制备了未掺和掺Al浓度分别为5%、10%、15%及20%(原子分数)的氧化锌(AZO)薄膜.研究了薄膜的结构和光学性质,结果表明,所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着Al浓度的增加,薄膜光学吸收边蓝移.在薄膜上真空蒸发沉积金叉指电极制备了MSM结构光电导紫外探测器,光谱响应测试表明,在5 V偏压下掺Al浓度为5%的探测器在375 nm紫外光照下响应度为37 A/W,对400 nm以上可见光响应度减小了1个数量级.  相似文献   
49.
介质铁电超晶格薄膜是一类新型的薄膜材料,已逐渐开始受到重视,成为研究的热点.本文主要分析了铁电超晶格薄膜的结构特点、组分材料、介电铁电性能;介绍了其在实际中的应用以及在近几年的发展;概括了几种常用的介质铁电超晶格薄膜的生长技术及其影响因素;最后对铁电超晶格薄膜的发展和应用前景进行了展望.  相似文献   
50.
Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
李金丽  邓宏  刘财坤  袁庆亮  韦敏 《功能材料》2007,38(1):91-92,96
采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究.结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现.薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107 Ω·cm.  相似文献   
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