试行“片管”效果好

河南省许昌市城管支队一大队对重点、难点管理路段尝试实行“片管”制度．及时、详细了解管理动态．使管理关口前移，不仅把握住了管理的主动权．而且得到管理对象和市民群众的一致认可，管理成效十分显．     

南京国际商城超大体积混凝土底板施工测控技术

结合南京国际商城基础底板大体积混凝土的施工实例，施工前用有限元分析模拟大体积混凝土温度场，根据分析结果制定科学的施工控制方案，确保施工的安全进行。     

NIST Chemistry Webbooks数据库的批量查询和数据采集

NIST(The National Institute of Standards and Technology)Chemistry web Books(即美国国家标准与技术局化学数据库)是提供各种化合物化学和物理性质的免费查询数据库。作者简单介绍了NIST网上化学数据库Chemis-try Webbooks的查询语法。并根据自己的使用经验用示例详细介绍了自己开发的NIST数据库的批量查询和数据采集软件。成功地解决了NIST不能批量查询，及查询后有效数据的自动采集问题。     

提高废钢比操作的生产实践

围绕着提高废钢比，通过应用增热剂技术，短期内使废钢比由12．3％提高到了15．7％。后经过优化转炉操作工艺，实现了基本不外加燃料的情况下，使废钢比达到了16．2％。     

薄膜晶体Si太阳电池的潜力

如果效率和成本这两个“目标”能够达到，薄膜晶体Si太阳电池有可能替代目前在光伏市场上占主导的多晶Si太阳电池。[第一段]     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]